Научно-исследовательский институт электронной техники
| АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» | |
|---|---|
 | |
| Тип | Акционерное общество |
| Основание | 9 мая 1961 года |
| Прежние названия | Центральное конструкторское бюро при Воронежском заводе полупроводниковых приборов |
| Ключевые фигуры | Генеральный директор: Куцько Павел Павлович |
| Отрасль | Радиоэлектроника |
| Продукция | микроконтроллеры, микропроцессоры, АЦП, ЦАП, процессоры цифровой обработки сигналов, ВЧ и СВЧ транзисторы |
| Число сотрудников | 500 |
| Сайт | niiet.ru |
 Медиафайлы на Викискладе | |
Научно-исследовательский институт электронной техники (АО «НИИЭТ») — советский и российский институт, созданный 9 мая 1961 года как «Центральное конструкторское бюро» согласно Приказу по организации п/я 111 №204 и в соответствии с Постановлением Воронежского Совета Народного хозяйства.
Предприятие специализируется на разработке и производстве сложных изделий микроэлектроники специального и гражданского назначения: микроконтроллеров, микропроцессоров, цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей, интерфейсных интегральных микросхем, СВЧ-транзисторов и модулей усиления мощности СВЧ-диапазона.
C 2014 года АО «НИИЭТ» входит в структуру Объединённой приборостроительной госкорпорации Ростех.[1]
В начале 2019 года АФК «Система» и Ростех завершили создание совместного предприятия в области микроэлектроники. Согласно соглашению 100% акций АО «НИИЭТ» были переданы вновь созданной организации ГК «Элемент».[2]
История[править | править код]
В 1961 году при «Воронежском заводе полупроводниковых приборов» («ВЗПП») было учреждено Центральное конструкторское бюро.
Основной задачей предприятия в первые годы становления было создание и освоение серийного выпуска полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов) на основе германия и кремния — сначала на базе изделий, разрабатываемых московским НИИ «Пульсар», а затем самостоятельно. Параллельно с этим проводились разработки нестандартного технологического оборудования для оснащения строящихся цехов и участков «ВЗПП».
В 1962 г. перед «ЦКБ при ВЗПП» была поставлена цель по разработке комплексно-механизированной линии по изготовлению наиболее массовых диодов Д226. Запуск комплексно-механизированной линии в производство обеспечил выпуск до 10 миллионов диодов Д226 в год.
В период 1963–1964 гг. с участием специалистов «ЦКБ на ВЗПП» было освоено серийное производство германиевых мощных транзисторов П213–П217, П602–П603, кремниевых транзисторов средней мощности П307–П309 и мощных транзисторов П702, 2Т903.
В 1965 году на предприятии были разработаны первые в СССР микросхемы диодно-транзисторной логики.[3]
В 1964 году в ЦКБ при ВЗПП началась активная работа по созданию отечественной интегральной микросхемы. В отделе, занимающимся разработкой планарных транзисторов, была создана группа перспективной (критической) технологии во главе с Никишиным В. И. Целью работы этой группы было создание элементов твердых схем: диодов, транзисторов, резисторов.
В короткие сроки к декабрю 1965 года ученые разработали и получили опытные образцы полупроводниковых интегральных схем «Титан». В 1966 году образцы были переданы на завод в серийное производство. Таким образом, в Воронеже были созданы первые в СССР микросхемы диодно-транзисторной логики по твердотельной технологии с диэлектрической изоляцией компонентов серии 104[4].
В 1968 г. разработчиками «ЦКБ при ВЗПП» (В.Д. Скороходовым, А.И. Стояновым, С.А. Ереминым) были созданы и внедрены в производство первые ИС ОЗУ емкостью 16 бит по МОП-технологии. Впоследствии на базе МОП-технологии было реализовано целое поколение р-канальных, n-канальных и КМОП интегральных и больших интегральных схем (БИС).
В декабре 1969 года «ЦКБ при ВЗПП» вошло в состав НПО «Электроника».
В период 1967–1973 гг. было выполнено около 20 НИР и ОКР по созданию и внедрению в производство быстродействующих и маломощных ИС малой и средней степени интеграции серий 106, 134, 128, 149, 177, – схем транзисторно-транзисторной логики, динамических логических схем, линейных схем и т.д.
В 70-е годы на предприятии были выполнены разработки цифровых ИС серий 531, 530, в 80-е — биполярных БИС серии 1804 на основе инжекционной логики.
В 1983 году ЦКБ стало самостоятельным предприятием: его переименовали в «Научно-исследовательский институт электронной техники»[3].
В 1986 г. «НИИЭТ» приказом по Министерству электронной промышленности был определен головным предприятием отрасли по созданию цифровых процессоров обработки сигналов (DSP) для специальной техники.
В 1987 году в «НИИЭТ» была введена первая в стране линейка по производству кристаллов интегральных схем с топологическими нормами 2,0 мкм в чистых помещениях класса 10 площадью 1200 кв.м. (так называемый «финский» модуль).
В 1994 году «НИИЭТ» был переименован в Государственное предприятие «НИИЭТ» (ГП «НИИЭТ»). В 2002 году — в Федеральное государственное унитарное предприятие «НИИЭТ» (ФГУП «НИИЭТ»).
Начиная с 2003 года «НИИЭТ» приступил к разработке, а с 2005 года организовал производство современных мощных ВЧ и СВЧ полевых транзисторов по DMOS и LDMOS технологиям. При этом был достигнут максимальный уровень выходной мощности в непрерывном режиме в КВ-диапазоне — 600 Вт (транзистор 2П986АС); в МВ-диапазоне — 300 Вт (транзистор 2П979В); в ДМВ-диапазоне — 150 Вт (транзистор 2П980БС).
В октябре 2012 года институт был преобразован в ОАО «НИИЭТ».
В конце 2012 года предприятие вошло в интегрированную структуру Концерна «Созвездие», передав предприятию 99,99 % своих акций в уставном капитале.[5][6]
В 2014 году ОАО «НИИЭТ» вошло в состав холдинга АО «Объединенная приборостроительная корпорация» (АО «ОПК») ГК «Ростех», объединившего научные и производственные предприятия радиоэлектронной промышленности России.
В августе 2016 года компания была переименована в АО «НИИЭТ».
В 2017 году АО «НИИЭТ» вошло в контур дивизиона ЭКБ и СВЧ радиоэлектроника АО «ОПК» ГК «Ростех». В том же году на предприятии было запущено производство нитрид-галлиевых транзисторов (GaN-транзисторов) для создания сетей связи 5G и нового поколения систем радиолокации.[7]
В 2019 году по соглашению АФК «Система» и Ростех АО «НИИЭТ» перешел из Концерна «Созвездие» во вновь созданное совместное предприятие ООО «Элемент».
Санкции[править | править код]
В 2022 году институт был включен в санкционные списки США на фоне вторжения России на Украину[8], так как компоненты АО “НИИЭТ” используются в российских системах вооружения[9].
Основные виды деятельности[править | править код]
- разработка и производство интегральных микросхем (в т.ч. устойчивых к воздействию спецфакторов);
- разработка и производство ВЧ и СВЧ-транзисторов, модулей усиления мощности СВЧ-диапазона;
- испытание, измерение и сертифицирование отечественных и импортных электронных компонентов.
Продукция[править | править код]
За период своего существования институтом было создано более 250 типономиналов изделий.
Максимальная производственная мощность: около 300 000 единиц изделий в год.
Виды продукции
- 8,16,32- разрядные микроконтроллеры;
- 16,32- разрядные процессоры цифровой обработки сигналов;
- цифро-аналоговые преобразователи;
- аналого-цифровые преобразователи;
- интерфейсные интегральные микросхемы;
- ВЧ и СВЧ-транзисторы диапазона частот 0-12000 МГц с выходной мощностью от 0,5 до 800 Вт непрерывного и импульсного режимов работы;
- модули СВЧ-усилителей мощности с выходной мощностью от 5 до 2000 Вт.
Сводные характеристики производимых изделий
1. Микроконтроллеры (в т.ч. с повышенной стойкостью к воздействию спецфакторов):
Разрядность: 8,16,32- разрядные;
Тактовая частота: от 8 до 200 МГц;
Напряжение питания: 1,2В; 1,8В; 3,3В; 5В;
Архитектуры: MCS 51 (Intel), ARM (ARM Limited), AVR-RISC (Atmel), MCS-96, С-166/167, RISC (32 бит), CISC+RISC MCS-96 (32 бит) и др.
2. Процессоры цифровой обработки сигналов (в т.ч. с повышенной стойкостью к воздействию спецфакторов):
Разрядность: 16,32- разрядные;
Тактовая частота: от 12 до 200 МГц;
Напряжение питания: 1,2В; 1,8В; 3,3В; 5В;
Архитектуры: С-25(16 бит), С-50(16 бит), С-54(16 бит), F-240(16 бит), C-30(32 бит), C-40(32 бит), Sparc LEON(32 бит).
3. Аналого-цифровые преобразователи: 16- разрядные.
4. Цифро-аналоговые преобразователи (в т.ч. с повышенной стойкостью к воздействию спецфакторов): 8-24- разрядные.
5. ВЧ и СВЧ-транзисторы
Диапазон частот: от 0 до 12 ГГц;
Выходная мощность 0,5-1000Вт.
Типы:
- Биполярные транзисторы (Bipolar);
- Полевые транзисторы (FET, MOSFET);
- Полевые транзисторы с распределенным затвором (LDMOS);
- Нитрид-галлиевые транзисторы (GaN).
6. СВЧ-модули
Диапазон частот: от 0,15 до 3,1 ГГц;
Выходная мощность: от 0,5 от 2000Вт.
См. также[править | править код]
Примечания[править | править код]
- ↑ Структура Холдинга "Росэлектроника". Дата обращения: 2 мая 2019. Архивировано 28 апреля 2019 года.
- ↑ АФК "Система" и Ростех завершили создание СП в области микроэлектроники//Интерфакс. Экономика, 2019 Архивная копия от 1 мая 2019 на Wayback Machine
- ↑ 1 2 Воронежский завод полупроводниковых приборов. Время. Традиции. Люди. — Воронеж: Центр духовного возрождения Чернозёмного края, 2013
- ↑ Петров Л., Удовик А. Кто изобрёл… интегральную схему? // Электронные компоненты. 2013. № 8. С. 10-11. (недоступная ссылка)
- ↑ Расширяемое «Созвездие». Концерну передают новые активы // Коммерсант.ru Архивная копия от 4 марта 2016 на Wayback Machine
- ↑ В составе Концерна «Созвездие» теперь работают 20 предприятий // sozvezdie.su Архивная копия от 4 марта 2016 на Wayback Machine
- ↑ Ростех запустил производство нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов для создания сетей связи 5G, квадрокоптеров и новых РЛС // http://integral-russia.ru Архивная копия от 30 июня 2020 на Wayback Machine
- ↑ Russia-related Designations; Issuance of Russia-related General License and Frequently Asked Questions; Zimbabwe-related Designation, Removals and Update; Libya-related Designation Update (англ.). U.S. Department of the Treasury. Дата обращения: 20 сентября 2022. Архивировано 19 сентября 2022 года.
- ↑ Ввод санкций в отношении российских высокопоставленных должностных лиц, оборонно-промышленной базы и нарушителей прав человека. Дата обращения: 6 января 2023. Архивировано 4 октября 2022 года.
Литература[править | править код]
- Воронежский завод полупроводниковых приборов. Время. Традиции. Люди. — Воронеж: Центр духовного возрождения Чернозёмного края, 2013.
- Петров Л., Удовик А. Кто изобрёл… интегральную схему? // Электронные компоненты. 2013. № 8. С. 10-11.