Обсуждение:Магниторезистивная оперативная память
Проект «Электроника» (уровень II, важность для проекта средняя)
Эта статья тематически связана с вики-проектом «Электроника», цель которого — создание и улучшение статей по темам, связанным с Электроникой. Вы можете её отредактировать, а также присоединиться к проекту, принять участие в его обсуждении и поработать над требуемыми статьями. |
Проект «Информационные технологии» (уровень II, важность для проекта средняя)
Эта статья тематически связана с вики-проектом «Информационные технологии», цель которого — создание и улучшение статей по темам, связанным с информационными технологиями. Вы можете её отредактировать, а также присоединиться к проекту, принять участие в его обсуждении и поработать над требуемыми статьями. |
также есть STT-RAM[англ.]* (в чем отличие?) — Tpyvvikky (обс.) 11:06, 12 декабря 2020 (UTC)
улучшить[править код]
автопереводчиком переводили ? Позорище... — Эта реплика добавлена с IP 84.21.71.145 (о) 16:13, 9 октября 2007 (UTC)
перепишите этот бред — Эта реплика добавлена с IP 83.237.224.17 (о) 22:13, 14 января 2008 (UTC)
- +1, промт не рулит, ребята.--76.194.27.154 22:28, 19 марта 2008 (UTC)
- Всецело согласен с предыдущими ораторами - статься должна быть переписана с нуля или переведена вменяемым человек. ~~Aesthetus Animus~~ — Эта реплика добавлена с IP 79.140.78.5 (о) 19:25, 8 декабря 2008 (UTC)
- Ссылку на статью дал Софтодром. Со статьёй нужно срочно что-то решать. 2A02:1812:112C:F00:A492:3F05:E199:9719 07:52, 16 марта 2016 (UTC)
Слишком сложное предложение: "Несмотря на то, что процесс чтения требует большей энергии в порядке перезаписи существующего поля сохраняющегося в соединении, изменяющегося от трёх до восьми раз энергия требуется в течение чтения." — Эта реплика добавлена участником Terentev e (о • в) 21:19, 26 января 2010 (UTC)
"не подвержена воздействию ионизирующих излучений"[править код]
Есть данные о влиянии ионизирующих излучений на MRAM? Надо бы добавить в статью... Evatutin 08:08, 18 августа 2010 (UTC)