Описание4 inch float zone n-type silicon wafer with amorphous silicon thin film heterojunction structure.png
English: A scientist holding a 4 inch diameter n-type float-zone silicon wafer that has been through PECVD to coat a thin film (tens of nanometres) of amorphous silicon onto it. This creates a passivation layer such as what is used in silicon heterojunction solar cells. Typically, high quality amorphous layers in a SHJ solar cell would be on the order of less than 10 nm. However the thin film is thicker for this research cell due to technical limitations (50–200 nm). This research cell was used to research how high temperatures affect the passivation layer of heterojunction solar cells.
делиться произведением – копировать, распространять и передавать данное произведение
создавать производные – переделывать данное произведение
При соблюдении следующих условий:
атрибуция – Вы должны указать авторство, предоставить ссылку на лицензию и указать, внёс ли автор какие-либо изменения. Это можно сделать любым разумным способом, но не создавая впечатление, что лицензиат поддерживает вас или использование вами данного произведения.
распространение на тех же условиях – Если вы изменяете, преобразуете или создаёте иное произведение на основе данного, то обязаны использовать лицензию исходного произведения или лицензию, совместимую с исходной.
Добавьте однострочное описание того, что собой представляет этот файл
A 4 inch diameter float zone silicon wafer that has been through PECVD to coat a thin film of amourphous silicon on it. This creates a passivation layer such as what is used in heterojunction solar cells.
Файл содержит дополнительные данные, обычно добавляемые цифровыми камерами или сканерами. Если файл после создания редактировался, то некоторые параметры могут не соответствовать текущему изображению.