Ковш, Алексей Русланович

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Алексей Русланович Ковш
Дата рождения 27 июля 1973(1973-07-27) (50 лет)
Место рождения Ленинград
Страна  СССР,  Россия
Научная сфера нанотехнологии
Место работы ФТИ РАН, ИТМО
Альма-матер СПбГЭТУ
Учёная степень доктор физико-математических наук
Награды и премии золотая медаль и премия Фонда Жореса Алфёрова 2006 года

Алексей Русланович Ковш (р. 27 июля 1973 года, Ленинград) — российский физик, д.ф.-м.н. (2011), специалист по технологиям наногетероструктур, молекулярно-пучковой эпитаксии.

Биография[править | править код]

Окончил факультет электроники СПбГЭТУ (ЛЭТИ) по специальности «Оптоэлектроника» (1996), ученик Жореса Алфёрова.

В 1999 году защитил кандидатскую диссертацию в ФТИ им. А. Ф. Иоффе.

Доктор физико-математических наук (2011), тема диссертации «Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках».

Работа:

  • 1999—2003 научный сотрудник Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе.
  • 2000—2002 приглашённый специалист НИИ промышленных технологий Тайваня.
  • 2003—2009 технический директор немецко-калифорнийской компании Innolume — производителя полупроводниковых лазеров на основе квантовых точек.
  • с 2009 года — исполнительный вице-президент компании «Оптоган» (был одним из её основателей) и генеральный директор Optogan Lighting GmbH.

Соавтор изобретений в области полупроводниковых лазеров.

Преподавание[править | править код]

Профессор кафедры светодиодных технологий Санкт-Петербургского национального исследовательского университета информационных технологий, механики и оптики (ИТМО). Читает курс «Кванторазмерные эффекты и применение их в оптике».

Награды[править | править код]

  • золотая медаль и премия Фонда Жореса Алфёрова 2006 года за первую в мире реализацию температуронезависимого полупроводникового лазера в 2004 году.

Источники и ссылки[править | править код]