An ohmic contact or Schottky barrier is formed when a metal and a p-type semiconductor are brought into contact. In the ideal case, the magnitude of the band bending and contact resistance depend on the doping of the semiconductor, its dielectric constant and the Schottky barrier where is the work function of the metal and is the bandgap and the electron affinity of the p-type semiconductor.
22 января 2006 (дата первоначальной загрузки файла на вики)
Источник
Не предоставлен машиночитаемый источник. Предположительно собственная работа (на основании заявления об авторских правах)
Автор
Сведения об авторе отсутствуют или не читаются программно. Предположительно Chaiken (основываясь на заявлении об авторском праве).
Лицензирование
Я, владелец авторских прав на это произведение, добровольно публикую его на условиях следующих лицензий:
Разрешается копировать, распространять и/или изменять этот документ в соответствии с условиями GNU Free Documentation License версии 1.2 или более поздней, опубликованной Фондом свободного программного обеспечения, без неизменяемых разделов, без текстов, помещаемых на первой и последней обложке. Копия лицензии включена в раздел, озаглавленный GNU Free Documentation License.http://www.gnu.org/copyleft/fdl.htmlGFDLGNU Free Documentation Licensetruetrue
делиться произведением – копировать, распространять и передавать данное произведение
создавать производные – переделывать данное произведение
При соблюдении следующих условий:
атрибуция – Вы должны указать авторство, предоставить ссылку на лицензию и указать, внёс ли автор какие-либо изменения. Это можно сделать любым разумным способом, но не создавая впечатление, что лицензиат поддерживает вас или использование вами данного произведения.
распространение на тех же условиях – Если вы изменяете, преобразуете или создаёте иное произведение на основе данного, то обязаны использовать лицензию исходного произведения или лицензию, совместимую с исходной.
Этот признак лицензирования был добавлен к этому файлу как часть обновления лицензии GFDL.http://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/CC BY-SA 3.0Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0truetrue
делиться произведением – копировать, распространять и передавать данное произведение
создавать производные – переделывать данное произведение
При соблюдении следующих условий:
атрибуция – Вы должны указать авторство, предоставить ссылку на лицензию и указать, внёс ли автор какие-либо изменения. Это можно сделать любым разумным способом, но не создавая впечатление, что лицензиат поддерживает вас или использование вами данного произведения.
распространение на тех же условиях – Если вы изменяете, преобразуете или создаёте иное произведение на основе данного, то обязаны использовать лицензию исходного произведения или лицензию, совместимую с исходной.
An ohmic contact or Schottky barrier is formed when a metal and semiconductor are brought into contact. In the ideal case, the magnitude of the band bending <math>V_{bi}</math> and contact resistance depend on