Обращённый диод

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Вольт-амперная характеристика обращённого диода (сплошная линяя), и туннельного диода (пунктирная)

Обращённый диод — полупроводниковый диод, на свойства которого значительно влияет туннельный эффект в области p-n перехода.[1] В отличие от туннельного диода вольт-амперная характеристика обращённого диода практически не имеет «горба», что обусловлено немного меньшей, чем у туннельного диода, концентрацией примесей в полупроводнике.[2] Из-за неполного легирования обладает значительной температурной зависимостью.[2][3]

Применение[править | править вики-текст]

Обозначение на схемах. От катода к аноду — прямое (проводящее) направление тока. От анода к катоду — обратное (запирающее) направление тока.[3]

Обращённый диод применяется в высокочастотных схемах детектирования слабых сигналов, а также в смесителях СВЧ сигналов.[1] При этом максимальное рабочее обратное напряжение может лежать в пределах от 0,1 до 0,7 В.

Примечания[править | править вики-текст]