Туннельный эффект
Тунне́льный эффект, туннели́рование — преодоление микрочастицей потенциального барьера в случае, когда её полная энергия (остающаяся при туннелировании неизменной) меньше высоты барьера. Туннельный эффект — явление исключительно квантовой природы, невозможное и даже полностью противоречащее классической механике. Аналогом туннельного эффекта в волновой оптике может служить проникновение световой волны внутрь отражающей среды (на расстояния порядка длины световой волны) в условиях, когда, с точки зрения геометрической оптики, происходит полное внутреннее отражение. Явление туннелирования лежит в основе многих важных процессов в атомной и молекулярной физике, в физике атомного ядра, твёрдого тела и т. д.
Содержание |
[править] Краткое квантовомеханическое описание
Согласно классической механике, частица может находиться лишь в тех точках пространства, в которых её потенциальная энергия — Upot, меньше полной. Это следует из того обстоятельства, что кинетическая энергия частицы
не может (в классич. физике) быть отрицательной, так как в таком случае импульс будет мнимой величиной. То есть, если две области пространства разделены потенциальным барьером, таким, что
, просачивание частицы сквозь него в рамках классической теории оказывается невозможным. В квантовой же механике, мнимое значение импульса частицы соответствует экспоненциальной зависимости волновой функции от её координаты. Это показывает уравнение Шрёдингера с постоянным потенциалом:

(упрощенное уравнение Шрёдингера в одномерном случае)
где
координата;
полная энергия,
потенциальная энергия,
редуцированная постоянная Планка,
масса частицы).
- Если E > Upot, то решением этого уравнения является функция:

Пусть имеется движущаяся частица, на пути которой встречается потенциальный барьер высотой
, а потенциал частицы до и после барьера
. Пусть так же начало барьера совпадает с началом координат, а его «ширина» равна
.
Для областей
(до прохождения),
(во время прохождения внутри потенциального барьера) и
(после прохождения барьера).получаются соответственно функции:



где
, 
Так как слагаемое
характеризует отраженную волну, идущую из бесконечности, которая в данном случае отсутствует, нужно положить
. Для характеристики величины туннельного эффекта вводится коэффициент прозрачности барьера, равный модулю отношения плотности потока прошедших частиц к плотности потока упавших:

Для определения потока частиц используется следующая формула:

где знак * обозначает комплексное сопряжение.
Подставляя в эту формулу волновые функции, указанные выше, получим

Теперь, воспользовавшись граничными условиями, выразим сначала
и
через
(с учетом, что
):


а затем
через
:

Введем величину

которая будет порядка единицы. Тогда:

Для потенциального барьера произвольной формы делаем замену

где
и
находятся из условия

Тогда для коэффициента прохождения через барьер получаем выражение

[править] Упрощённое объяснение
Туннельный эффект можно объяснить соотношением неопределённостей.[1] Записанное в виде:
,
оно показывает, что при ограничении квантовой частицы по координате, то есть увеличении её определённости по x, её импульс p становится менее определённым. Случайным образом неопределённость импульса Δp может добавить частице энергии для преодоления барьера. Таким образом, с некоторой вероятностью квантовая частица может проникнуть через барьер, а средняя энергия частицы останется неизменной.
[править] Макроскопические проявления туннельного эффекта
Туннельный эффект имеет ряд проявлений в макроскопических системах:
- Туннелирование носителей зарядов через потенциальный барьер p-n перехода, получившее практическое применение в туннельном диоде.
- Туннелирование носителей зарядов через тонкую оксидную пленку, имеющую диэлектрические свойства, покрывающую ряд металлов (в частности, алюминия) и обеспечивающее проводимость точек механического соединения проводников (скрутки проводов, зажимы, джамперы). Применительно к сверхпроводникам это явление получило название эффект Джозефсона.
[править] См. также
- Квантовая механика
- Корпускулярно-волновой дуализм
- Туннельный диод и Обращённый диод
- Эффект Джозефсона
- Твёрдое тело
- Бета-распад
- Альфа-распад
- К-захват
[править] История и исследователи
В 1928 Георгий Гамов разработал теорию альфа-распада, основанную на туннельном эффекте.[2] Автоэлектронная эмиссия из металла в вакуум (туннелирование электрона сквозь поверхностный барьер) описывается законом Фаулера — Нордгейма, также выведенном в 1928 г.
[править] Примечания
[править] Ссылки
- Туннельный эффект — статья из Большой советской энциклопедии
- Туннельный эффект, БСЭ на slovari.yandex.ru (5 июня 2009). Проверено 5 июня 2009.
[править] Литература
- Блохинцев Д. И., Основы квантовой механики, 4 изд., М., 1963;
- Ландау, Л. Д., Лифшиц, Е. М. Квантовая механика (нерелятивистская теория) — Издание 3-е, переработанное и дополненное. — М.: Наука, 1974. — 752 с. — («Теоретическая физика», том III).

,