Рекомбинация (физика полупроводников)

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск

Рекомбинация — исчезновение свободных носителей заряда в результате столкновения зарядов противоположных знаков (при «низких» скоростях).

В полупроводниках возможны следующие варианты рекомбинации:

  • межзонная — непосредственный переход электронов в валентную зону, существенна в собственных полупроводниках и полупроводниках с узкой запрещённой зоной с минимальным количеством дефектов
  • через промежуточные уровни в запрещённой зоне, существенна в примесных полупроводниках.

В образцах с больши́м значением поверхности на единицу объёма значительно возрастает роль рекомбинации на поверхностных состояниях (поверхностной рекомбинации)

При рекомбинации носителей выделяется энергия, которая передаётся частицам (в том числе квази-). В зависимости от типа частиц-«приёмников» выделяются: