Эффект Кирка

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Эффект Кирка — явление увеличения толщины базы биполярного транзистора, вызываемое ростом тока коллектора выше некоторой величины при прочих неизменных условиях.

Объясняется повышением концентрации неосновных носителей в базе при больших токах коллектора, которая вызывает уменьшение толщины области пространственного заряда коллекторного перехода, и, таким образом увеличение толщины базы. Пороговая величина тока коллектора , начиная с которой возникает эффект Кирка, определяется из условия превышения концентрации электронов, вызванной протеканием тока над концентрацией примеси на границе базы со стороны коллектора, то есть из условия . Отсюда следует: Эффект Кирка уменьшает коэффициент усиления по току и увеличивает время пролета неосновных носителей через базу.

См. также[править | править код]

Литература[править | править код]

  • Сугано, Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику. — М. : Мир, 1988. — С. 102. — ISBN 5-03-001109-9.