КТ315
| KT315 А...И | |
|---|---|
 | |
| Характеристики | |
| Структура | n-p-n |
| Uce | 15–60 В |
| Ube | 6 В |
| Ic | 50–100 мА |
| Ib | 50 мА |
| P | 100 мВт |
| Pmax | 150 мВт |
| Рабочие температуры | до 100 °C |
| fгр | не ниже 250 МГц |
| h21e | 20–350 |
 Медиафайлы на Викискладе | |
КТ315 — кремниевый высокочастотный биполярный транзистор малой мощности n-p-n–проводимости в корпусе KT-13, получивший самое широкое распространение в советской радиоэлектронной аппаратуре.
История
В 1966 году А. И. Шокин прочитал в журнале «Electronics» новость о разработке в США транзистора, технологически приспособленного под массовое производство[1] — с использованием метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Разработкой транзистора и оборудованием для производства занялся НИИ «Пульсар», Фрязинский полупроводниковый завод и его ОКБ.[1] Уже в 1967 году была выполнена подготовка производства для запуска массового изготовления, а в 1968 году были выпущены первые электронные устройства на базе КТ315.[1]
Первым массовым транзистором с кодовой маркировкой был КТ315 в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. На нём в левом верхнем углу плоской стороны ставилась буква, обозначающая группу, ниже иногда указывалась дата изготовления. Через несколько лет в корпусе КТ-13 стали выпускать транзистор с p-n-p проводимостью — КТ361. Для отличия от КТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верхней части на плоской стороне корпуса.
Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР.[2]
Применение
Транзисторы КТ315 предназначались для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и звуковой частот.
Технология
Транзисторы этого типа стали первенцами новой технологии — планарно-эпитаксиальной. Эта технология подразумевает, что все структуры транзистора образуются с одной стороны, исходный материал имеет тип проводимости, как у коллектора, в нём сначала формируется базовая область, а затем в ней — эмиттерная. Эта технология была освоена советской радиоэлектронной промышленностью, как ступень к изготовлению интегральных микросхем без диэлектрической подложки. До появления КТ315 низкочастотные транзисторы изготавливались по «сплавной» технологии, а высокочастотные — по диффузионной. Соотношение параметров, достигнутое в КТ315, было прорывным для времени его появления. Так, например, он превосходил современный ему германиевый высокочастотный транзистор ГТ308 по мощности в 1,5 раза, по граничной частоте в 1,4 раза, по максимальному току коллектора в 3 раза, и при этом был дешевле. Он мог заменить и низкочастотные МП37, при равной мощности превосходя их по коэффициенту передачи тока базы, максимальному импульсному току и обладая лучшей температурной стабильностью. Кремний как материал позволял этому транзистору десятки минут работать на умеренных токах даже при температуре плавления припоя, правда, с ухудшением характеристик, но без необратимого выхода из строя.
КТ361
КТ361 — биполярный транзистор p-n-p–проводимости.
Комплементарен к КТ315, благодаря чему часто использовался в паре с последним в бестрансформаторных двухтактных схемах. Благодаря неплохим техническим характеристикам получил широкое распространение в отечественной радиотехнике. Для отличия от КТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верхней части плоской стороны, иногда в обрамлении двух дефисов слева и справа.
Примечания
- ↑ 1 2 3 «КТ315 + КТ361» — сайт «Музей электронных раритетов»
- ↑ Национальная академия наук Беларуси :: Член-корреспондент ОНЕГИН Евгений Евгеньевич (1932-2002). Дата обращения: 16 февраля 2013. Архивировано 26 февраля 2013 года.
Ссылки
- Внешний вид
- Фотографии кристалла
- Электрические параметры
- Справочные данные и цоколёвка
- Электроника ДД - первое массовое устройство с применением КТ315