Кардо-Сысоев, Алексей Фёдорович

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
В Википедии есть статьи о других людях с фамилией Кардо-Сысоев.
Алексей Фёдорович Кардо-Сысоев
Дата рождения 7 июня 1941(1941-06-07) (82 года)
Место рождения Ленинград
Страна  СССР→ Россия
Научная сфера импульсная техника
Место работы ФТИ им. Иоффе РАН
Альма-матер ЛЭТИ
Учёная степень доктор физико-математических наук
Награды и премии Государственная премия СССР — 1987

Алексе́й Фёдорович Кардо́-Сысо́ев (род. 7 июня 1941 года, гор. Ленинград) — советский и российский физик, специалист в области физики мощных быстродействующих полупроводниковых приборов и импульсной электроники, доктор наук. Лауреат Госпремии СССР (1987). Главный научный сотрудник-консультант ФТИ РАН в Санкт-Петербурге.

Ранние годы, образование[править | править код]

Принадлежит к роду Кардо-Сысоевых. Мать, Елена Константиновна Кардо-Сысоева, — биолог, доктор биологических наук. Дед, Константин Николаевич Кардо-Сысоев, — хирург-офтальмолог, доктор медицины, умер в Ленинграде в 1942 году[1]. В 1942 году после смерти деда Алексей вместе с семьёй был эвакуирован из блокадного Ленинграда.

В 1958 году окончил среднюю школу № 1 гор. Салехарда[2]. В 1964 году окончил Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) им. В. И. Ульянова (Ленина).

Профессиональная карьера[править | править код]

По завершении обучения в вузе три года работал инженером в Ленинградском институте телевидения[3].

С 1967 года — сотрудник Физико-технического института (ФТИ) им. А. Ф. Иоффе. Доктор физико-математических наук (1988). Работа А. Ф. Кардо-Сысоева в ФТИ в основном связана с лабораторией мощных полупроводниковых приборов. В настоящее время занимает должность главного научного сотрудника-консультанта в этой лаборатории.

Научная деятельность и достижения[править | править код]

Проводит исследования в области сверхбыстрых процессов накопления и рассасывания электронно-дырочной плазмы в мощных высоковольтных полупроводниковых приборах, импульсной полупроводниковой схемотехнике[3]. Один из создателей нового научно-технического направления — мощной импульсной полупроводниковой электроники нано- и субнано- секундного диапазона.

Экспериментально обнаружил эффект задержанного ударно-ионизационного пробоя высоковольтных p-n переходов (совместно с И. В. Греховым). На основе этого эффекта были созданы такие импульсные ударно-ионизационные переключатели субнаносекундного диапазона, как кремниевые диодные обострители импульсов и динисторы с быстрой ионизацией. В англоязычной литературе эти приборы стали известны под названиями Silicon Avalanche Sharpening diode (SAS), Fast Ionization Dynistor (FID). Появление SAS-диода увеличило мощность, коммутируемую полупроводниковыми приборами в субнаносекудном диапазоне, сразу на 4 порядка. Разработал дрейфовый диод с резким восстановлением — мощный импульсный переключатель наносекундного диапазона.

Разработки SAS-диода и ДДРВ сформировали элементную базу мощной импульсной полупроводниковой электроники субнаносекундного диапазона. Это позволило создать компактные высокоэффективные генераторы высоковольтных импульсов, к настоящему времени коммерциализированные[4].

Автор свыше 100 научных публикаций[5]. Избранные работы:

  • Grekhov I. V., Kardo-Sysoev A. F. Subnanosecond current drops in delayed breakdown of silicon p-n junctions // Sov. Tech. Phys. Lett.  — 1979 — vol. 5 — no. 8 — p. 395.
  • Grekhov I. V., Kardo-Sysoev A. F., Kostina L. S., Shenderey S. V. High-power Subnanosecond Switch // Electronics Letters — 1981 — vol. 17 — no. 12 — p. 422 — DOI: http://dx.doi.org/10.1049/el:19810293.
  • Grekhov I. V., Efanov V. M., Kardo-Sysoev A. F., Shenderey S. V. Power Drift Step Recovery Diodes (DSRD) // Solid-State Electronics — 1985 — vol. 28 — no. 6 — pp. 597—599 — DOI: 10.1016/0038-1101(85)90130-3.
  • Kardo-Sysoev A. F. New Power Semiconductor Devices for Generation of Nano- and Subnanosecond Pulses // in Ultra-Wideband Radar Technology, ed. J. D. Taylor — CRC Press — 2000 — ISBN 849342678 — pp. 205—290.

Признание и награды[править | править код]

Лауреат Государственной премии СССР 1987 года «За разработку новых принципов коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами»[6].

Примечания[править | править код]

  1. ↑ См. в Книгах памяти России Архивная копия от 31 декабря 2019 на Wayback Machine («Блокада»).
  2. ↑ Ю. Морозов. Два класса на всё село Обдорск. Газета «Полярный круг», гор. Салехард (5 февраля 2015). — см. конец материала. Дата обращения: 22 апреля 2020. Архивировано 25 марта 2019 года.
  3. ↑ 1 2 См. биографическую справку об А. Ф. Кардо-Сысоеве в тексте проекта, поданного на инновационный конкурс, стр. 32—33 (прим.: в этой справке допущена опечатка в годе докторской защиты — правильная датировка: 1988).
  4. ↑ См. информацию на сайтах компаний FID Technology GmbH Архивная копия от 15 марта 2022 на Wayback Machine (Германия) и Megaimpulse Архивная копия от 14 марта 2022 на Wayback Machine (Россия).
  5. ↑ См. Список публикаций А. Ф. Кардо-Сысоева и данные об их цитируемости на сайте eLIBRARY.ru.
  6. ↑ О присуждении Государственных премий СССР в области науки и техники. Газета «Правда» (7 ноября 1987). Дата обращения: 22 апреля 2020. Архивировано 14 мая 2021 года.
Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Кардо-Сысоев,_Алексей_Фёдорович&oldid=136432931