Микроскопия медленных электронов

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск

Микроскопия медленных электронов (англ. low-­energy electron microscopy, LEEM) — вид микроскопии, в которой для формирования изображения поверхности твердого тела используют упруго отраженные электроны низких энергий.

Описание[править | править вики-текст]

Изображение в микроскопе медленных электронов фазового перехода от реконструкции 7×7 к реконструкции 1×1 на поверхности Si(111). Фаза 7×7 (светлые участки) декорирует атомные ступени, тогда как поверхность террас в основном покрыта структурой 1×1 (темные участки). Размер поля изображения 5 мкм.

Микроскопия медленных электронов была изобретена Э. Бауэром в начале 1960-х годов и стала достаточно широко использоваться в исследованиях поверхности, начиная с 1980-х годов. В микроскопе первичные электроны низких энергий (обычно до 100 эВ) попадают на исследуемую поверхность, а отраженные электроны используются для формирования фокусированного увеличенного изображения поверхности. Пространственное разрешение такого микроскопа составляет до десятков нанометров. Контраст изображения обусловлен вариацией отражательной способности поверхности по отношению к медленным электронам из-за различия в ориентации кристалла, поверхностной реконструкции, покрытия поверхности адсорбатом. Так как микроскопические изображения могут быть получены очень быстро, микроскопия медленных электронов часто используется для изучения динамических процессов на поверхности, таких, как рост тонких пленок, травление, адсорбция и фазовые переходы в реальном масштабе времени.

Литература[править | править вики-текст]

  • Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А. и др. Введение в физику поверхности / В. И. Сергиенко.. — М.: Наука, 2006. — 490 с.
  • Tromp R.M. Low energy electron microscopy // IBM / J. Res.. — Develop, 2000. — С. 503—516.

Ссылка[править | править вики-текст]