Сверхатом

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Сверхатом — гипотетическая квазиатомная полупроводниковая гетероструктура.[источник не указан 1570 дней] Состоит из сферического ядра одного полупроводникового материала размером 3—10 нм, селективно-легированного донорами, окружённого беспримесной матрицей из материала с меньшей шириной запрещённой зоны[1]. Донорные электроны переходят из ядра в матрицу, а ядро в результате остаётся с положительным зарядом, который определяется количеством атомов-доноров . Величина может достигать нескольких десятков и определяется пределом растворимости примеси в материале ядра. Идея сверхатома была выдвинута Ватанабе в 1986 году[2]. Конфигурация электронных уровней сверхатома может быть рассчитана с помощью уравнения Шрёдингера[3]. Энергия ионизации сверхатома около 1 мэВ[1]. Ионизированный сверхатом может быть использован в качестве счётчика одиночных электронов[4]. На основе массивов сверхатомов возможно создание ячеек памяти[2].

См. также[править | править код]

Примечания[править | править код]

  1. 1 2 Бузанева, 1990, с. 234—235.
  2. 1 2 Watanabe H., Ioshita T. Electronic Structure and Various Types the Realization of the Superatom // Optoelectron. Dev. Tecnol. — 1986. — Vol. 1, № 1. — P. 33-38.
  3. Ioshita T., Ohnishi S., Oshiyama A. Electronic Structure of the Superatom: a Quasiatomic System Based on a Semiconductor Heterostructure // Phys. Rev. Letts. — 1986. — Vol. 57, № 20. — P. 2560-2563.
  4. Андрюшин Е. А., Быков А. А. От сверхрешеток к сверхатомам Архивная копия от 4 июня 2018 на Wayback Machine // УФН — 1988, т. 154. — С. 123—132.

Литература[править | править код]

  • Бузанева Е. В. Микроструктуры интегральной электроники. — М.: Радио и связь, 1990. — 304 с.