МОП-структура: различия между версиями

Полупроводник канала может быть легирован примесями для получения электропроводности P или N типа. Подачей на затвор определённого потенциала можно менять тип проводимости участка канала под затвором. Если вытеснять из канала его основные носители заряда, обогащая канал неосновными носителями, то это так называемый <i>''режим обогащения</i>''. При этом проводимость канала растёт. Подачей противоположного по знаку потенциала на затвор можно обеднить канал неосновными носителями и уменьшить его проводимость (это называется <i>''режимом обеднения</i>'', характерен только для транзисторов со встроенным каналом).<ref>''Москатов Е. А''. Электронная техника. Начало. — Таганрог, 2010. — С. 76.</ref>.