Тонкоплёночный транзистор

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Основные типы конструкций TFT.

Тонкоплёночный транзистор (TFT, англ. thin-film transistor) — разновидность полевого транзистора, при которой как металлические контакты, так и полупроводниковый канал проводимости изготавливаются в виде тонких плёнок (от 1/10 до 1/100 микрона).

Изобретение датируется 1959 годом.

TFT в дисплеях[править | править вики-текст]

Тонкоплёночные транзисторы применяются в нескольких типах дисплеев.

Например, во многих ЖК-дисплеях используются TFT как элементы управления активной матрицей на жидких кристаллах. Однако сами тонкоплёночные транзисторы, как правило, не являются достаточно прозрачными.

В последнее время TFT стали применяться во многих OLED-дисплеях как элементы управления активной матрицей на органических светодиодах (AMOLED).

Материалом для тонкоплёночных транзисторов традиционно служит аморфный кремний (amorphous silicon, сокращённо a-Si). В Токийском институте технологий была найдена альтернатива аморфному кремнию - оксид индия, галлия и цинка (англ. Indium gallium zinc oxide, сокращённо IGZO)[1]. TFT на основе IGZO используется, например, в дисплеях фирмы Sharp.

Ссылки[править | править вики-текст]


  1. http://www.mobimag.ru/Articles/5286/Displei_IGZO_novoe_lico_tehniki_Apple.htm