Тонкоплёночный транзистор

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Основные типы конструкций TFT.

Тонкоплёночный транзистор (TFT, англ. thin-film transistor) — разновидность полевого транзистора, при которой как металлические контакты, так и полупроводниковый канал проводимости изготавливаются в виде тонких плёнок (от 1/10 до 1/100 микрона).

Изобретение датируется 1959 годом.

TFT в дисплеях[править | править вики-текст]

Тонкоплёночные транзисторы применяются в нескольких типах дисплеев.

Например, во многих ЖК-дисплеях используются TFT как элементы управления активной матрицей на жидких кристаллах. Однако сами тонкоплёночные транзисторы, как правило, не являются достаточно прозрачными.

В последнее время TFT стали применяться во многих OLED-дисплеях как элементы управления активной матрицей на органических светодиодах (AMOLED).

В первых дисплейных тонкоплёночных транзисторах, появившихся в 1972 году, использовался селенид кадмия. В настоящее время материалом для тонкоплёночных транзисторов традиционно служит аморфный кремний (amorphous silicon, сокращённо a-Si), а матрицах с высоким разрешением используется поликристаллический кремний (p-Si). В Токийском институте технологий была найдена альтернатива аморфному кремнию — оксид индия, галлия и цинка (англ. Indium gallium zinc oxide, сокращённо IGZO)[1]. TFT на основе IGZO используется, например, в дисплеях фирмы Sharp.

Примечания[править | править вики-текст]

Ссылки[править | править вики-текст]