Эберс, Джуэл Джеймс

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Джуэл Джеймс Эберс
Jewell James Ebers
Дата рождения:

25 ноября 1921(1921-11-25)

Место рождения:

Гранд-Рапидс

Дата смерти:

март 1959 г.

Страна:

США

Научная сфера:

Физика полупроводников

Место работы:

Bell Labs

Альма-матер:

Университет штата Огайо

Известен как:

Соавтор модели Эберса—Молла

Джу́эл Джеймс Э́берс (англ. Jewell James Ebers, родился в 1921 году, умер в марте 1959 года) — американский физик, соавтор простейшей математической модели биполярного транзистора — модели Эберса — Молла.

Биография[править | править вики-текст]

Джуэл Джеймс Эберс родился и вырос в городе Гранд-Рапидс, штат Мичиган. Обучение в Антиохийском колледже[en] было прервано Второй мировой войной[1]. Отслужив три года в армии США, Эберс в 1946 году окончил курс в колледже, а затем продолжил обучение на электротехническом факультете Университета Огайо[1]. В 1947 году Эберс получил диплом магистра, в 1950 году — звание доктора философии. В 1951 году, после непродолжительной преподавательской работы, перешёл на работу в Bell Labs — один из двух крупнейших частных научно-исследовательских институтов США[2]. Эберс показал себя способным администратором и быстро продвинулся по службе, достигнув к 1959 году поста директора филиала Bell Lans в Аллентауне[1].

Важнейшим вкладом Эберса в электронику стало создание в 1954 году[3], совместно с Джоном Моллом, первой практической и удобной для расчётов математической модели биполярного транзистора.

Модель Эберса — Молла, включает в себя идеальные диоды, идеальные управляемые источники тока и паразитных емкостей, удачно подошла под требования и вычислительные ограничения ранних программ машинного моделирования электронных цепей и стала составной частью многих программ моделирования электронных цепей, например, SPICE, Microcap и других средств САПР. Модель Эберса — Молла в которой два диода и два источника тока — основная (простейшая) модель биполярного транзистора.

Последовательное усложнение модели Эберса — Молла с целью уточнения её «в конце концов приводит» к совершенной (и требующей для описания не менее 25 параметров) модели Гуммеля — Пуна[4]. Вторым по значимости вкладом Эберса в электронику стала разработка им в 1952 году первого четырёхслойного полупроводникового pnpn-прибора, впоследствии названного тиристором[5].

В 1971 году секция электронных приборов IEEE учредила ежегодную премию Эберса, присуждаемую «за выдающийся инженерный вклад в области электронных приборов»[1].

Примечания[править | править вики-текст]

  1. 1 2 3 4 Early, J. M. Electron Devices Group Award Established // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1971. — Vol. ED-19, № 9. — P. 613.: «For an outstanding technical contribution to electron devices»
  2. Вторым был комплекс лабораторий General Electric в Скенектади
  3. Ebers, J. J. and Moll, J. L. Large-signal behavior of junction transistors // Proceedings of the Institute of Radio Engineers. — 1954. — Vol. 42, № 12. — P. 1761–72.
  4. Зи, C. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Мир, 1984. — Т. 1. — С. 161—163. — 456 с. — 16 000 экз.
  5. Hubner, K. The four-layer diode in the cradle of Silicon Valley // Silicon Materials Science and Technology: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology / Huff, H.. — The Electrochemical Society, 1998. — P. 99—109. — 1638 p. — ISBN 9781566771931.