Файл:T-ray metamaterial semiconductor modulator.jpg
Перейти к навигации
Перейти к поиску
Нет версии с бо́льшим разрешением.
T-ray_metamaterial_semiconductor_modulator.jpg (450 × 481 пкс, размер файла: 72 КБ, MIME-тип: image/jpeg)
 | Этот файл находится на Викискладе. Сведения о нём показаны ниже.
Викисклад — централизованное хранилище для свободных файлов, используемых в проектах Викимедиа.
|
Краткое описание
| Описание |
English: a) C-DOT-rays shine through the modulator. (b) With no voltage applied, electrons can flow across the gap in the gold structure. The electrons absorb a few T-rays as they flow easily around the two loops. (c) Applying voltage prevents electrons from crossing the gap. But they absorb far more T-rays as they slosh back and forth between the upper and lower halves of the structure. Fewer T-rays pass through the device. |
| Дата | |
| Источник | United States Department of Energy, Los Alamos National Laboratory |
| Автор | Hou-Tong Chen (Los Alamos National Laboratory) |
| Права (Повторное использование этого файла) |
Public Domain |
The metamaterial and the semiconductor together form a device that can modulate the intensity of the T-rays by up to 50 percent when a voltage is applied to the gold structures. The experimental demonstration of the device exceeds the performance of existing electrical terahertz modulators
Лицензирование
|
Это произведение находится в общественном достоянии (англ. public domain) в Соединённых Штатах Америки, так как оно является работой, выполненной должностным лицом или наёмным сотрудником Федерального правительства США в качестве части служебных обязанностей этого лица. Правовой статус регламентируется в соответствии с разделом 17, главой 1, секцией 105 Кодекса Соединённых Штатов. См. Авторское право.
Обратите внимание: это относится только к оригинальным (первоначальным) произведениям Федерального правительства, а не к произведениям любого отдельного штата США, территории, содружества, округа, муниципалитета или любой другой территориальной единицы. Этот шаблон также не относится к дизайну почтовых марок, изданных Почтовой службой США с 1978 года. (См. § 313.6(C)(1) в Compendium of U.S. Copyright Office Practices). Это также не относится к определённым монетам США; см. Условия использования Монетного двора США.
|
 |
| Этот файл был определён как свободный от известных ограничений авторского права, а также связанных и смежных прав. | ||
История файла
Нажмите на дату/время, чтобы посмотреть файл, который был загружен в тот момент.
| Дата/время | Миниатюра | Размеры | Участник | Примечание | |
|---|---|---|---|---|---|
| текущий | 14:29, 21 сентября 2009 | | 450 × 481 (72 КБ) | Ti-30X | {{Information |Description={{en|1=a) C-DOT-rays shine through the modulator. (b) With no voltage applied, electrons can flow across the gap in the gold structure. The electrons absorb a few T-rays as they flow easily around the two loops. (c) Applying vol |
Использование файла
Нет страниц, использующих этот файл.
