Иммерсионная литография
Иммерсионная литография (англ. Immersion lithography) — в фотолитографии для микроэлектроники — способ повышения разрешающей способности за счёт заполнения воздушного промежутка между последней линзой и плёнкой фоторезиста жидкостью с показателем преломления более 1 (метод иммерсии). Угловое разрешение увеличивается пропорционально показателю преломления. Современные литографические установки используют в качестве жидкости высокоочищенную воду, позволяя работать с техпроцессом менее 45 нм.[1] Системы с использованием иммерсионной литографии выпускаются лишь ASML, Nikon и Canon. Улучшением данной технологии можно считать методику HydroLith, в которой измерения и позиционирование производится на сухой пластине, а экспонирование — на «мокрой».[2]
Преимущества иммерсионной литографии[править | править код]
В системах с воздушным зазором имеются ограничения увеличения разрешения (невозможность увеличения Числовой апертуры). При помощи иммерсионной жидкости можно увеличить показатель преломления пространства между линзой и объектом, увеличив тем самым апертуру. Так, вода в системе, работающей на ультрафиолетовом свете с длиной волны 193 нм (ArF), имеет показатель 1.44.
Разрешение оборудования увеличивается на 30-40 % (точное значение зависит от материалов).
Особенности в производственном процессе[править | править код]
 | Этот раздел статьи ещё не написан. |
Перспективы технологии[править | править код]
В 2010 году был достигнут техпроцесс 32 нм с использованием иммерсионной литографии; продолжаются эксперименты по работе с 22нм. Теоретически возможно использование иммерсионной литографии вплоть до техпроцесса 11 нм.[3]
Согласно данным, подготовленным RealWorldTech к 2009 году иммерсионная литография использовалась практически повсеместно при производстве микросхем по наиболее тонким техпроцессам. [4]
Примечания[править | править код]
- ↑ DailyTech — IDF09 Intel Demonstrates First 22nm Chips Discusses Die Shrink Roadmap. Дата обращения: 14 ноября 2010. Архивировано из оригинала 28 августа 2010 года.
- ↑ ASML: Products - Immersion Technology. Дата обращения: 14 ноября 2010. Архивировано из оригинала 7 июля 2011 года.
- ↑ http://www.photonics.su/files/article_pdf/2/article_2517_257.pdf Архивная копия от 4 марта 2016 на Wayback Machine глава "О синице в руке и журавле в небе"
- ↑ Таблица Данные с IEDM о техпроцессах к 2010 году. Источник — RealWorldTech Архивная копия от 16 апреля 2012 на Wayback Machine из статьи Тасит Мурки, Закон Мура против нанометров. Всё, что вы хотели знать о микроэлектронике, но почему-то не узнали… Архивная копия от 23 июня 2012 на Wayback Machine // ixbt.com
