Каримов, Абдулазиз Вахитович

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Каримов.
Абдулазиз Вахитович Каримов
Дата рождения 11 января 1944(1944-01-11)
Место рождения Ташкент, Узбекская ССР, СССР
Дата смерти 23 июня 2020(2020-06-23) (76 лет)
Место смерти Ташкент
Гражданство Узбекистан
Род деятельности полупроводники. физико-математические исследования
Отец Каримов Вахит
Мать Каримова Махсума
Супруга Хакимова Гавхар Халиловна
Дети 4
Логотип Викисклада Медиафайлы на Викискладе

Абдулазиз Вахитович Каримов (11 января 1944 — 23 июня 2020, Ташкент) — ученый, изобретатель, физик, доктор физико-математических наук, профессор.

Биография[править | править код]

Благодарственное письмо за поддержку молодым учёным в проекте «Лучший молодой учёный 2020» среди научно-образовательных учреждений СНГ

Родился 11 января 1944 г. в Ташкенте, учился в школе № 90 им. Максима Горького с 1952 — по 1962 годы.

Окончил Ташкентский педагогический институт, физико-математический факультет. Был главным научным сотрудником в Физико-техническом институте научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии Наук Республики Узбекистан. Автор и соавтор более 40 изобретений. Изобретатель в области полупроводниковой оптоэлектроники. Изобретения: трёхбарьерный фотодиод Каримова (патент РУз 1994), полевой термотранзистор (1998) и другие. Предложен фотодиод на основе pAlInGaAs-nGaAs-m-переходов.

Научная деятельность Абдулазиз Каримова связана с изучением физических явлений и процессов в эпитаксиальных многослойных структурах и разработкой их физических основ, созданием нового класса полупроводниковых приборов. Он на протяжении творческой деятельности опубликовал более 450 научных статей, два монографических сборника, одну монографию и одно учебное пособие, является соавтором более 40 изобретений.

В научном направлении, руководимом им, защищены 2 докторские и 9 кандидатских диссертаций. Эти научные работы посвящены исследованию оптико-электрических процессов в полупроводниковых структурах и разработке на их основе нового поколения диодных и транзисторных структур.

Под руководством Абдулазиза Каримова в Узбекистане были разработаны физические основы технологии и оригинальные конструкции многобарьерных фотодиодных структур с внутренним фотоэлектрическим усилением и получены впервые в 90-годах [Karimov AV. Three-barrier photodiode. USSR Patent. * 1676399. 08.05., 1991. Karimov AV. Three-barrier photodiode. Uzb Patent no. 933. 15.04. 1994., Reports of Academy of Science. УзССР № 12, 1990, с.17-18].

Многобарьерные структуры из года в год пополняются новыми конструкциями с расширенными функциональными возможностями. Обнаруженные в двухбарьерных рAlGaInAs-n GaAs-Au-структурах инжекционные и полевые эффекты составляют основу инжекционно-полевого фотодиода с переключаемым от рабочего напряжения спектральным диапазоном [A.V. Karimov, D.M. Yodgorova. An injection -type field-emission рhotodiode., Radioelectronics and communications systems- № 2. 2006. p. 55-59].

Его научные результаты опубликованы в различных изданиях (Электроника, Instruments and experimental technologies, Semiconductors, Technical Physics Letters, Radioelectronics and communicatios systems, Journal Semiconductor Physics Quantum Electronics Optoelectronics, Инженерно-физический журнал), охватывающих широкую географию.

Заслуживают внимания результаты исследования спектральных характеристик двухбарьерных структур с гофрированной фотоприемной поверхностью [A.V. Karimov, D.M. Yodgorova, E.N.Yakubov. Research of structures corrugated photoreceiving surface.// Journal Semiconductor Physics Quantum Electronics Optoelectronics.2004 г. Vol. 7. № 4, р. 378—382], а также чувствительных в примесной области спектра (Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Гиясова Ф. А., Азимов Т. М., Бузруков У. М., Якубов А. А.).

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2007. № 4, с.23-28). В сравнении с классическими однобарьерными фотодиодными структурами в разработанных структурах получены высокие значения фоточувствительности от 5 до 15 А/Вт, что на один — полтора порядка выше чем (0.5-1 А/Вт) в известных аналогах.

Он принимал активное участие в международных конференциях, выступал с докладами в Праге 13-17 октябрь 2002 г., Берлине 23-25 июнь 2003 г., Париже 7-11 июнь 2004 г., Киеве и Одессе 2004—2007 годах на международных конференциях по физическим процессам в фотопреобразователях, фотодиодах, фототранзисторах и по проблемам физических процессов в p-n-переходах.

Являлся членом оргкомитета конференций проводимых в Баку и Одессе (2004—2007 гг.) по информационным и электронным технологиям.

Абдулазиз Каримов являлся активным исполнителем международных грантов UZB-31 "Development of the solar energy photoconverters based on new structures: «ion-beam modified and diamond-like layers-multicrystalline silicon» "01.04.2000-31.06.2002 гг. и в UZB-56(J) «Development and investigation of the microrelief photoconverters with InGaAs/GaAs and AlGaAs/GaAs heteroepitaxial junctions» 01.10.2002 — 31.12.2004 гг.

Awards 2008 −2009 Who is Who certificate of Karimov Abdulaziz

Абдулазиз Каримов со своими учениками работал над проблемами создания нового поколения фотоприемных структур для приема и обработки информации, Абдулазиз Каримов является зрелым специалистом в своей области и как один из ведущих специалистов занесен в биографический сборник 10th Anniversary Edition of Who’s Who in Science and Engineering Scheduled for publication in December 2007 / Marquis Who's Who / Who’s Who in Science and Engineering.

В 2020 году был награжден[чем?] за оказанную поддержку молодым учёным в проекте «I международное издание» «Лучший молодой учёный 2020» среди научно-образовательных учреждений Содружества Независимых Государств, организованном Объединением юридических лиц в форме ассоциации «Общенациональное движение Бобек» — г. Нур-Султан, Казахстан, 13-17 марта 2020 № 091.

Абдулазиз Вахитович был одним из инициаторов установления прочных научно-производственных связей между специалистами Узбекистана и Беларуси. При его непосредственном участии в 2019 году было подписано основополагающее «Соглашение о сотрудничестве Научно-исследовательского института физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете имени М. Улугбека Республики Узбекистан, Инновационно-промышленным кластером „Микро-, опто- и СВЧ-электроники“ и ОАО „Планар“, Республики Беларусь».

Каримов Абдулазиз придерживался справедливости, благородства, поддержание молодежи, бескорыстной помощи, добродушия.

Личная запись из книги «Физические явления в арсенидгалиевых структурах с микрослойным квазиизопериодическим переходом» 2005 г автор Каримов Абдулазиз:

«У истории нет черновиков, ошибки уходят в прошлое — их невозможно исправить». Каримов А. В.

«Мысль передается как волна — звуковая, электромагнитная, отражается на языке — про себя». Каримов А. В.

«В мире беспорядков порядок беспорядок». Каримов А. В.

«Время,- материализованное нами вечное движение, имеющее фиксированную скорость». Каримов А. В.

«Всë и вся для питания, удовлетворения мозга — сущности существа». Каримов А. В.

«Сознательная жизнь заключается в борьбе за естественный, самостоятельный рост и развитие личности, общества и всего живого». Каримов А.В

Karimov Abdulaziz 1966 Личный автопортрет Каримов Абдулазиз Вахитович 1966 г. «Художник и автор Каримов Абдулазиз Вахитович 1966г»

Публикации и изобретения[править | править код]

  • Авторское свидетельство № 1676399. Трехбарьерный фотодиод Каримова / Каримов А. В. // 08.05.1991.
  • Каримов А. В. Фотоэлектрическое усиление в трехбарьерной структуре // Лазерная техника оптоэлектроника. 1993, № 3. С. 83-85.
  • Karimov A.V. «Three-barrier photodiode structure». 15-International Workshop on Сhallenges in Predictive Process simulation Prague, Czech Republic, 13-17 October 2002. рр.71-72.
  • Каримов А. В., Ёдгорова Д. М. Одно и двух барьерные структуры для оптоэлектроники. // Электроника. — Минск; 2005. № 11. С. 5-13.
  • Каримов А. В., Ёдгорова Д. М. Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металло-полупроводниковыми переходами // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — Одесса, 2005. № 5. С. 27-30.
  • Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Ашрапов Ф. М. Механизмы токопрохождения в гетеро pAlGaInAs-nGaAs-m-структуре. Узбекский физический журнал 2006, № 1-2, С. 26-35.
  • Karimov A.V., Yodgorova D.M., Zoirova L.Kh. Determination of potential distribution of in a three-barrier structure. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. -Kyiv, 2006. V.9. № 3. -рр. 35-39.
  • Каримов А. В., Гиясова Ф. А., Ёдгорова Д. М. Исследование фотоэлектрических характеристик Ag-nGaAs:О-n+GaAs-структур с баръером Шоттки // Доклады АН РУз. -Ташкент, 2007. № 5. С. 29-33.
  • Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Гиясова Ф. А., Саидова Р. А. Функциональные возможности изотипных Ag-NAlGaAs-nGaAs-nGaInAs-Au-структур с изотипной базовой областью // Инженерно-физический журнал. — Минск: 2008. Т.81. № 5. С. 1005—1009.
  • Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А. и др. Многофункциональная гомопереходная арсенидгаллиевая n-p-m-структура. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. Одесса, 2009. № 6 (84). С. 31-34.
  • Патент РУз № IAP 04059. Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых материалов путём смещивания растворов-расплавов / Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Бахранов Х. Н. и др. // Расмий ахборотнома. — 30.11.2009. № 11
  • Патент РУз №IAP 03930. Устройство для получения диффузионных и эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А3В5 / Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Абдулхаев О. А. и др. // Расмий ахборотнома. — 2009. № 5.
  • Патент РУз № IAP 03936. Устройство жидкостной эпитаксии кольцеобразных слоев на основе соединений А3В5 / Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Гиясова Ф. А. и др. // Расмий ахборотнома. — 2009. № 5.
  • Патент РУз № IAP 04244. Многофункциональный полупроводниковый прибор/ Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Гиясова Ф. А. и др. // Расмий ахборотнома. — 2010. № 8.
  • Патент РУз № IAP 03974. Инжекционно-полевой фотодиод / Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Ашрапов Ф. М. и др. // Расмий ахборотнома. — 2009. № 7.
  • Karimov A. V., Yodgorova D. M. Some Features of Photocurrent Generation in Single and Multibarrier Photodiode Structures // Semiconductors©Pleiades Publishing, Ltd., 2010. V. 44. N. 5. -рр. 647—652.
  • Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulkaev O.A. Physical principles of photo-current generation in Multi-Barrier Punch-Throungh-Structures Second chapter of book «Photodiodes — World Ac-tivities in 2011» edited by Jeong-Woo Park. — InTech, 2011. — pp. 23-36. [ISBN 9789533075303].
  • Патент РУз № IAP 05120. Многофункциональный датчик на основе полевого транзистора/ Каримов А. В., Едгорова Д. М., Абдулхаев О. А.// 12.10.2015
  • Патент РУз IAP 06181 Patent RUz «Photoconverter with avalanche multiplication»/ Karimov A.V. IAP 06181 March 2020.
Патент 2007

Литература[править | править код]

  • Каримов А. В. Трехбарьерный фотодиод Каримова. Авторское свидетельство № 167399 от 8 мая 1991 г.,
  • Многофункциональные арсенидгаллиевые тонкопереходные структуры / А. В. Каримов ; АН Респ. Узбекистан, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева НПО «Физика — Солнце»,
  • Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Зоирова Л. Х. Температурные эффекты в трехбарьерной m1-pAlGaInAs-nGaAs-m2-структуре. // Республиканская конференция: Фундаментальные и прикладные проблемы современной физики 18-19 мая 2007. -Ташкент, 2007. 2-том. -С.170-171.,
  • Karimov А. V. Three-junction Au/AlGaAs(n)/GaAs(p)/Ag photodiode / А. V. Karimov, D. A. Karimova // Materials Sci. Semiconductor Process. — Feb.-June 2003. — Vol. 6, Nos. 1-3. — Р. 137—142.
  • A.V. Karimov, D.M. Yodgorova and O.A. Abdulkhaev\\Photodiodes — World Activities in 2011\\ Chapter 2 Physical Principles of Photocurrent Generation in Multi-Barrier Punch-Through-Structures

Ссылки[править | править код]


Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Каримов,_Абдулазиз_Вахитович&oldid=136675486