Тетраметиламмония гидроксид

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Тетраметиламмония гидроксид
TMAH.svg
Общие
Систематическое
наименование
Тетраметиловый гидроксид аммония
Сокращения TMAH, TMAOH
Хим. формула (CH3)4NOH
Классификация
Рег. номер CAS 75-59-2
PubChem 60966
Рег. номер EINECS 200-882-9
SMILES
ChemSpider 54928
Приводятся данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иначе.

Гидрокси́д тетраметиламмо́ния (TMAH, TMAOH — от англ. tetramethylammonium hydroxide) это четвертичное аммонийное соединение (англ.) с молекулярной формулой (CH3)4NOH. ОН используется как анизотропный травитель для кремния. Также используется как основной растворитель при производстве кислотного фоторезиста в процессе фотолитографии. Поскольку он является катализатором фазового перехода, он очень эффективен для удаления фоторезиста. Также используется как поверхностно-активное вещество при синтезе ферромагнитых жидкостей, чтобы препятствовать слипанию её частиц.

Токсичность[править | править вики-текст]

Раствор TMAH является сильным основанием. Ионы тетраметиламмония могут повреждать нервы и мышцы, приводя к затруднению дыхания и, возможно, смерти вскоре после контакта даже с небольшим количеством вещества.[источник не указан 1460 дней] Чистый TMAH практически не имеет запаха, загрязненный триметиламином (который применяется в производстве четвертичных аммониевых солей) имеет запах мертвой рыбы.

Анизотропный травитель[править | править вики-текст]

TMAH относится к семейству растворов четвертичных гидроксидов аммония и широко используется для анизотропного травления кремния. Типичная температура травления 70°-90 °C, типичная концентрация 5 %-25 % TMAH по массе в водном растворе. Скорость травления кремния увеличивается с ростом температуры и падает с ростом концентрации TMAH. Грубость травления кремниевой поверхности увеличивается с ростом концентрации TMAH, при концентрации 20 % получается гладкая поверхность травления.

Распространенные материалы для масок при длительном травлении в TMAH включают в себя диоксид кремния (химически осаждённый из газовой фазы при пониженном давлении ) и нитрид кремния. Нитрид кремния имеет незначительную скорость травления в TMAH; скорость травления в TMAH для диоксида кремния зависит от качества пленки, но в целом имеет порядок 0.1 нм/минуту.