Галиев Галиб Бариевич
 | В статье не хватает ссылок на источники (см. рекомендации по поиску). |
 | Для улучшения этой статьи желательно:
|
| Галиб Бариевич Галиев | |
|---|---|
| Дата рождения | 20 января 1947 (77 лет) |
| Место рождения | деревня Ахуново Учалинского района Башкирской АССР, СССР |
| Страна |
 СССР Россия |
| Научная сфера | электроника |
| Место работы | * Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН |
| Альма-матер | * МИЭТ |
| Учёная степень | доктор физико-математических наук (2004) |
Галиб Бариевич Галиев (род. 20 января 1947, дер. Ахуново Учалинского района Башкирской АССР) — советский и российский инженер, доктор физико-математических наук (2004), заведующий лабораторией «Исследования процессов формирования низкоразмерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5» Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН.
Биография[править | править код]
1966 г. – окончил с золотой медалью Ахуновскую среднюю школу Учалинского района Башкирской АССР. 1966 – 1973 гг. – студент дневного отделения физико-технического факультета МИЭТ, закончил по специальности автоматика и электроника.
к. ф.-м. н. (1987 г.) – за разработку спектроскопии электроотражения света для прецезионного исследования и контроля параметров полупроводниковых структур. с. н. с. (1990 г.) д. ф.-м. н. (2004 г.) – за развитие молекулярно-лучевой эпитаксии низкоразмерных систем на основе гетероструктурных и дельта-легированных квантовых ям на подложках GaAs различной ориентации.
Научная деятельность[править | править код]
1973–1975 гг. – инженер НИИ физических проблем МЭП СССР, г. Москва, г. Зеленоград. 1975–1990 гг. – инженер, старший инженер, ведущий инженер, с. н. с. НИИ молекулярной электроники МЭП СССР, г. Москва, г. Зеленоград. 1990–2002 гг. – с. н. с., и. о. зав. лаб., зав. лаб. ИРЭ РАН, г. Москва. с 2003 г. по настоящее время – зав. лаб. ИСВЧПЭ РАН, г. Москва.
Автор более 180 научных работ, 6 авторских свидетельств и 4 патентов. Соавтор 1 монографии «Наноструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике» М.: «Техносфера», 2010 г. Являлся научным руководителем 16-ти дипломников и 3 к.т.н., а в настоящее время является научным руководителем 2-х студентов и 4-х аспирантов.