Кекелидзе, Нодар Проклевич

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Нодар Проклевич Кекелидзе
груз. ნოდარ პროკლეევიჩ კეკელიძე
Nodar-kekelidze.jpg
Дата рождения 8 сентября 1930(1930-09-08)
Место рождения Тбилиси, Грузинская ССР, СССР
Дата смерти 24 декабря 2019(2019-12-24) (89 лет)
Место смерти Тбилиси, Грузия
Страна  СССР Грузия
Научная сфера физика
Место работы Тбилисский государственный университет
Альма-матер Тбилисский государственный университет (1955)
Учёная степень доктор физико-математических наук (1977)
Учёное звание
Награды и премии

Нодар Проклевич Кекелидзе (груз. ნოდარ პროკლეევიჩ კეკელიძე; 1930—2019) — советский и грузинский учёный в области экспериментальной физики, доктор физико-математических наук (1977), профессор (1988), академик АН Грузии (2018). Заслуженный деятель науки Грузинской ССР (1985).

Биография[править | править код]

Родился 8 сентября 1930 года в Тбилиси.

С 1952 по 1955 год обучался на физико-математическом факультете Тбилисского государственного университета. В 1961 году закончил аспирантуру Физического института имени П. Н. Лебедева АН СССР, в 1971 году закончил докторантуру в Институте физики полупроводников СО АН СССР.

С 1961 года на научно-исследовательской и педагогической работе в Тбилисском государственном университете: с 1961 по 1966 год — руководитель проблемной лаборатории физики полупроводников, с 1966 по 1973 год — заведующий проблемной лаборатории физической кибернетики, с 1984 по 1985 год — проректор по научной работе этого университета, с 1985 по 1988 год — заведующий лаборатории материаловедения полупроводников, с 1988 по 2006 год — заведующий кафедрой сверхпроводников и полупроводниковых материалов.

С 2009 год на педагогической работе в Грузинском техническом университете в качестве профессора кафедры информатики и систем управления. Одновременно с 2009 по 2019 год был организатором и первым директором Института материаловедения при ТбГУ, одновременно с 2010 по 2019 год — заведующий лаборатории полупроводников материаловедения Института металлургии и материаловедения имени Ф. Тавадзе Академии наук Грузии. Помимо основной деятельности являлся приглашённым преподавателем в ведущих учебных заведениях мира в том числе в Колледже Вильгельма и Марии и Университете Кристофера Ньюпорта в США, в Йенском университете имени Фридриха Шиллера в Германии, в Университете Гакусюина в Японии[1][2][3]

Научно-педагогическая деятельность и вклад в науку[править | править код]

Основная научно-педагогическая деятельность Н. П. Кекелидзе была связана с вопросами в области экспериментальной физики, занимался исследованиями в области изучения радиационных явлений в полупроводниках, занимался вопросами разработки физической основы создания датчиков определяющих уровня кислорода, жидкого гелия, азота и водорода. Н. П. Кекелидзе являлся инициатором проведения Первой Международной конференции по радиационной физике полупроводников и связанных с ними материалов (1979). Н. П. Кекелидзе являлся соавтором первого в Советском Союзе учебника для высших учебных заведений по вопросам радиационной физики (1988).

В 1961 году защитил кандидатскую диссертацию по теме: «Раздельное определение концентраций доноров и акцептов в германии и кремнии и изучение некоторых электрофизических свойств этих полупроводников при низких температурах», в 1977 году защитил докторскую диссертацию на соискание учёной степени доктор физико-математических наук по теме: «Физические явления в твердых растворах JnPxAsi-x». В 1988 году ВАК СССР ему было присвоено учёное звание профессор. В 2018 году был избран действительным членом АН Грузии. Н. П. Кекелидзе было написано более трёхсот пятидесяти научных работ, в том числе монографий и двадцати четырёх свидетельст на изобретения, его работы публиковались в ведущих научных журналах мира. Он подготовил более двадцати двух кандидатов и докторов наук[1][3][2].

Основные труды[править | править код]

  • Раздельное определение концентраций доноров и акцептов в германии и кремнии и изучение некоторых электрофизических свойств этих полупроводников при низких температурах / Акад. наук СССР. Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева. Тбилис. гос. ун-т. - Москва : 1961. - 77 с
  • Физические явления в твердых растворах JnPxAsi-x / Ин-т физики полупроводников Сиб. отд-ния АН СССР. - Новосибирск: 1977. - 38 с[4]

Награды, звания и премии[править | править код]

Примечания[править | править код]