Обсуждение:Биполярный транзистор

Заменить целиком на перевод англ. версии

Artemon55 (обс.) 14:38, 17 августа 2018 (UTC) Статья ни о чем, пришлось прочитать английскую версию. Вместо намерения объяснить принцип работы и суть происходящих процессов в различных режимах — в случайные разделы, в произвольном порядке напиханы какие-то справочные табличные данные.
Подтверждаю. Статья ужасная, как работает транзистор совершенно не понятно. Я понимаю, что это не учебник, но что-то понять из ТАКОЙ статьи совершенно невозможно. Я так понимаю, можно править, если не устраивает?195.72.142.151 22:59, 18 декабря 2019 (UTC)

непонятки

Я так и не понял как это работает!!!! Что такое p-n переход я знаю, а вот остальное не идёт. Почему I постоянно, а U - нет?????

копивио?

Текст статьи определенно откуда то содран. Идут ссылки на неизвестные иллюстрации...

Для тех, кто хочет править, или дополнять и делать из статьи хоть что-то... http://dvo.sut.ru/libr/eqp/i001eqp1/3-1.htm глава книги про транзистор, но не на высшем пилотаже, хотя и не самая плохая.

Нужно дополнять

Нужно бы рассказать, о транзисторе как об источнике тока (привести пример схемы замещения цепи) - необходимая, на мой взгляд, информация. К тому же не сказано, почему транзистор называется биполярным (вроде потому, что в качестве основных носителей используются и электроны, и дырки). Желательно еще наличие полных схем замещения для каждого типа (ОБ, ОЭ, ОК), хотя бы простую, но с указанием положения входных и выходных параметров, а то наглядности нет никакой. Dycros 19:52, 12 июня 2008 (UTC)

ВП:ПС. --Panther ^@ 08:13, 13 июня 2008 (UTC)

С предложением "В биполярном транзисторе, в отличие от других разновидностей, основными носителями являются и электроны, и дырки" не совсем согласен. Предлагаю заменить на "В биполярном транзисторе, в отличие от униполярных приборов, в формировании тока транзистора участвуют как электроны, так и дырки". Т. к. понятие "основные носители" обычно используется для обозначения тех носителей, концентрация которых больше. ANA 18:58, 11 августа 2010 (UTC)

Не надо!

Забудьте про аналог источника тока, это только запутает неподготовленного читателя. В первом приближении транзистор должен подаваться исключительно как хитрое управляемое сопротивление + два диода.

83.237.171.106 16:09, 5 июля 2008 (UTC) anonymous

• или дроссельная заслонка, управляющая потоком из к в э, а управляемая потоком из б в э.//Berserkerus 20:35, 5 июля 2008 (UTC)

• Википедия — не только первое приближение. Да, она не должна запутывать неподготовленного читателя. Но это не значит, что в ней не должно быть более глубоких знаний. Надо отразить в статье всё, но последовательно, чтобы не запутать. Caesarion 07:46, 8 июля 2008 (UTC)
  • глубокие знания могут быть, но ниже по тексту, желательно. т.е. сверху вниз - от простого к сложному.//Berserkerus 09:09, 8 июля 2008 (UTC)

По-моему, нужно просто четко и логично перестроить статью. Не стоит сваливать всю информацию в один абзац. Думаю, требуются более строгие объяснения. 83.174.247.44 19:53, 30 января 2009 (UTC)

Проверка работоспособности транзистора

Думаю, стоит указать способы проверки транзистора с помощью омметра или цифрового мультиметра. Поиск базы, определение структуры (p-n-p или n-p-n), указать что при измерениях показаний на переходах сопротивление на коллекторном переходе меньше, а на эмиттерном - больше. Maksimd04 23:27, 2 мая 2009 (UTC)

Граничная частота транзистора

Надо бы где-то тут дать ссылки на некоторые характеристики. Например - на граничную частоту. Не соображу где. Qkowlew 00:13, 3 марта 2010 (UTC)

На мой взгляд, нужно создать раздел о параметрах транзисторов. И включить в него содержание указанной статьи. У самой по себе статьи Граничная частота транзистора я не вижу перспектив для развития. VladimirZhV 08:36, 3 марта 2010 (UTC)

Непонятная/ недоработанная статья

В статье отсутствуют некоторые определения непонятных словосочетаний ( эмиттер транзистора смещен в прямом направлении (открыт) - это как понимать????) ,а также ссылки на них. Статья тупо содрана с книги.

109.206.133.234 20:24, 7 ноября 2012 (UTC)

Грубые ошибки в описании режимов работы транзистора

Режимы работы транзистора описаны не верно, в частности ошибочно указаны граничные условия режимов. В результате ни один режим не описан верно. Исправил режим отсечки. Будет время, доработаю остальные. --Gentleangel 04:41, 8 ноября 2013 (UTC)

ученые мужи методом тыка всю науку описивают?

Вот как-то везде умалчивается, почему же это транзистор в активном режиме, вдруг не с того ни сего начинает пропускать ток обратной полярности через переход коллектор-база. Если представить схему транзистора как два встречно направленных диода то, отсюда и нужно исходить – почему это один переход вдруг с перепугу начинает проводить ток обратной полярности. Казалось бы, вроде напряжения пробоя не столь велико на переходе коллектор-база (попробуйте-ка прозвонить этот переход обратным током) – а он начинает проводить и, при этом этот переход не разрушается. Дайте ссылку на такое объяснение этакого не внятного процесса или ученые мужи методом тыка всю науку описивают? --128.69.142.99 11:17, 20 сентября 2015 (UTC)

Идиоты!

В схеме с общим коллектором на базу должен подаваться плюс, а на коллектор - минус (коли речь идёт о n-p-n транзисторе). То-то я собрал схему, смотрю - ничего не работает, поменял полярность - всё заработало. Да и за пруфом далеко ходить не надо. Надо поменять картинку срочно!!! 83.237.108.191 15:51, 30 января 2016 (UTC)

Схема ОК с n-p-n.

• Во-первых, спасибо на добром слове, во-вторых, гарантий не даём, в-третьих, правьте смело — stannic^{(обс)(вкл)(выкл)} 15:54, 30 января 2016 (UTC)
• В-четвёртых, сомневаюсь, что дело в знаках [1][2][3]. — stannic^{(обс)(вкл)(выкл)} 17:22, 30 января 2016 (UTC)
  • Если речь о этой картинке, то здесь все правильно. Наш юный коллега, прежде чем так резко, сто раз нужно проверить. Но ничего, с годами станете спокойнее и терпимее. Д.Ильин 19:54, 30 января 2016 (UTC).

Возразившие личности, вы глубоко заблуждаетесь. Вчера тестировал n-p-n-транзисторы. То есть реально работал руками с реальным железом. А не с бумажками. У n-p-n-транзистора, дабы его открыть, на базу подаётся плюс относительно коллектора! Не верите - проверьте на реальном железе! И только потом переходите на личности. Я работаю инженером в области АСУТП, если что. На ссылке [2], приведённой вами же, ток базы показан стрелкой правильно, то есть на базе плюс. На вашей ссылке [3] вообще бред, авторы того опуса, судя по всему, путают эмиттер с коллектором, и забыли, что на схемах стрелки направления тока должны быть всегда от плюса к минусу, а никак не наоборот! (теперь посмотрите и на вашу "правильную" картинку) Картинку бы исправил, но надо рег-ться. P. S. Ув. Д. Ильин, в ваших убеждениях "никогда не переходить на личности", а тут вы их грубо нарушили, как же так? Стыдно для 65-летнего дяденьки ;) 83.237.108.191 10:32, 31 января 2016 (UTC)

• Колега, Вы заблуждаетесь. Что ж, разберем по косточкам. Вероятно, Вы согласитесь, что на рисунке правильно показано направление токов. Также правильно показано, что на коллектор подается +, на эмиттер - минус. Допустим, для определенности, что ЭДС коллекторного источника питания 9 В. Припишем потенциалу коллектора нулевое значение. Напомню, что точку с нулевым потенциалом можно выбрать произвольно и от этой точки далее отсчитываются все напряжения узлов. Таким образом, потенциал коллектора очевидно будет 0 В. Тогда потенциал эмиттера будет -9 В. Потенциал базы будет равен 0 минус ЭДС базового источника. Допустим, ЭДС базового источника 4,5 В. Тогда потенциал базы будет -4,5 В. Таким образом, напряжение на базе относительно эмиттера равно +4,5 В, -4,5 - (-9) = 4,5 В, а напряжение коллектора относительно минуса коллекторного питания +9 В. Следовательно, и на коллекторе, и на базе положительные напряжения относительно эмиттера, что и требовалось показать.

Да Вы это можете проверить и на железе. Возьмите батарейку "Крона" (9 В) пусть это будет коллекторное питание. В эмиттер нужно включить резистор, так как в открытом состоянии через транзистор потечет очень большой ток, который может убить транзистор, скажем, резистор 1 кОм. В качестве питания базы можно взять 3 сухих элемента (4,5 В), включать резистор в базу не нужно. Соберите схему и включите. Измерьте напряжения относительно минуса коллекторной батареи. Будет: на эмиттере - т. е. напряжение на резисторе +3.9 В (4,5 - 0,6), на базе 4,5 В (9 - 4,5) 0,6 В - прямое напряжение открытого эмиттерного перехода.

Повторюсь, рисунок неудачный но по полярностям корректный.

А оскорбить я Вас не был намерен, просто заметил, что излишняя горячность (Идиоты!) с годами проходит... Если мои слова Вас обидели, ради бога, простите. Д.Ильин 10:52, 31 января 2016 (UTC).

Хорошо, понял о чём речь, нечасто на практике приходилось иметь дело с двумя источниками питания в цепи с общим коллектором. Тестировал, разумеется, с одним общим источником питания. Думаю, было бы неплохо добавить картинки для цепей с ОЭ и ОК, где используется один общий источник питания. 83.237.107.149 13:24, 31 января 2016 (UTC)

Работа транзистора в ключевом режиме

Использование в режиме усиления тока в генераторе импульсов.