Обсуждение:Изобретение транзистора

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Здесь находятся завершившиеся обсуждения. Просьба не вносить изменений.

Рецензирование статьи Изобретение транзистора[править код]

Вторая статья из цикла про безумного профессора Шокли, гениального часовщика Эрни и индиевые бусины.

Она стала слишком длинной, что-то надо резать (но не хотелось бы терять структуру "до 1970 года", которая повторяет и Морриса, и Риордана). Retired electrician (talk) 00:32, 1 апреля 2012 (UTC)[ответить]

Не хватает краткого определения транзистора.OkladVadim 10:38, 1 апреля 2012 (UTC)[ответить]
Не нужно, поскольку есть ссылка на соответствующую статью. Филатов Алексей 11:57, 1 апреля 2012 (UTC)[ответить]
  • Нужно создать страницу обсуждения статьи и включить в неё данную подстраницу рецензирования. Филатов Алексей 11:57, 1 апреля 2012 (UTC)[ответить]
  • В разделе "Предыстория" есть картинка с англоязычными надписями (вроде единственная из всех представленных). Предлагаю автору перевести её, либо обратиться в графическую мастерскую, написав там соответствующий перевод фраз. Филатов Алексей 11:57, 1 апреля 2012 (UTC)[ответить]
    • Добавил в подпись даты и названия патента. Сам файл перелицовывать не надо — он ценен только как историческое свидетельство. Так можно дойти и до того, что саму графику перерисовать по ГОСТам (это не абсурд — читать схемы 1920-х годов потруднее чем читать даты и цифры латиницей. Вот был, скажем, Зворыкин всегда писал образцовые, доходчивые и притом краткие тексты — а схемы его сразу и не разберёшь — где анод, где катод…). Retired electrician (talk) 19:52, 6 апреля 2012 (UTC)[ответить]
  • Весьма достойная статья, не надо её резать. Приятно видеть, что она намного ши́рше, глубже́е и какчественней английской и, уж тем более, испанской. Феномен транзистора и история его изобретения достойны ещё бо́льшей статьи, если это возможно. • тракторист 17:39, 1 апреля 2012 (UTC)[ответить]
  • Насколько мне известно, история полупроводниковых усилительных приборов начиналась с исследования полевого эффекта и разработки полевых транзисторов. Судя по объёму материала, посвящённого истории полевых транзисторов, вы планируете написать аналогичную обособленную статью об их изобретении? Если нет, то этот раздел желательно было бы расширить. Быть может, для нынешней статьи более подходящим было бы название «Изобретение биполярного транзистора»? • тракторист 17:39, 1 апреля 2012 (UTC)[ответить]
    • С изобретением полевого много каши не сваришь. Неудачная тема. Он (дискретный ПТ) просто вывалился из «генеральной линии» развития технологии. В «историях отрасли» (Лоек, Риордан, Моррис, Зайц) полевым отводится совсем мало места. Выстраивается цепочка из перечисленных в статье типов биполярных транзисторов, потом ДТЛ-логика, потом Видлар и Фуллагар, а потом — как чёрт из своей шкатулки выскакивает Интел с n-MOS логикой. А во втором эшелоне одновременно десятки фирм пытаются, как могут, сделать дискретный ПТ. В третьем эшелоне эти новации отсеиваются, отлаживается технология массовых серий, формируется номенклатура рынка. Единого вектора - нет. Чтоб развернуть тему сверх того, что есть в статье, надо самостоятельно анализировать массу первичных публикаций, значение которых в рамках темы совсем не очевидно = орисс.
    • Похоже, но ещё хуже с тематикой GaAs — есть хорошие обзоры по GaAs в оптоэлектронике (в том числе советская практика), но совсем мало по истории «не опто» GaAs. Хотя именно в рамках изобретения транзистора была увлекательнейшая гонка в СВЧ-диапазоне. Но целостного описания её нет (или плохо искал).91.76.101.175 22:00, 2 апреля 2012 (UTC)[ответить]
      • Жаль, что история ПТ не удостоится столь же детального освещения, как изобретение БТ. Впрочем, да, дискретные маломощные ПТ всегда занимали долю не более 5‒10 %. Лишь в последние, скажем, 10‒15 лет КМОП логика практически вытеснила все остальные виды, мощные ключи на ПТ и IGBT вытеснили БТ и основательно потеснили тиристоры в самых сильноточных приложениях. • тракторист 00:02, 3 апреля 2012 (UTC)[ответить]
  • "а, стало быть, могут быть" --> "и могут быть"
  • "В 1922 О. В. Лосев" --> "В 1922 году О. В. Лосев"
  • "возможность усиления и генерации на кристаллическом детекторе" усиления и генерации чего?
  • "управления электричскими токами" --> "управления электрическими токами"
  • "германияатомами фосфора" --> "германия атомами фосфора"
  • "отрицательное сопротивление" --> "отрицательное дифференциальное сопротивление"
  • "на Western Electric" --> "в Western Electric"
  • "на Texas Instruments" --> "на заводе Texas Instruments"
  • "600 С" --> "600 °С"
  • "строго параллельные (эпитаксиальные) слои" Зачем здесь это слово в скобках?
  • "создание эффективной кремниевой солнечной батареи" Кремний - непрямозонный полупроводник, поэтому непонятная фраза.
  • "до 200 МГц, и массово применялись" --> "до 200 МГц и массово применялись"
  • "методы диффузии устарелыми" --> "методы диффузии устаревшими"

Alexander Mayorov 15:24, 12 мая 2012 (UTC)[ответить]

Спасибо, исправил кроме «на Western Electric» (ср. «на Автовазе») и «на Texas Instruments» (там речь не о серии, а об опытной плавке, а где именно — на заводе, в лаборатории — из источника не ясно). Возможно, нужно третье мнение. Вопрос об эффективности батарей по Фуллеру — на ваше усмотрение. Имеется в виду, конечно, «эффективно в сравнении с „обычными“ кремниевыми фотоэлементами тех лет». Retired electrician (talk) 16:34, 12 мая 2012 (UTC)[ответить]
Пусть тот, кто знает русский язык разберётся как правильно использовать предлоги "в" и "на". Я не уверен, просто использовал аналогию "на заводе", "в фирме", хотя "на предприятии". Google пишет "в Автовазе" чаще. Alexander Mayorov 16:45, 12 мая 2012 (UTC)[ответить]
  • Правильнее было бы говорить о разработке технологии изготовления и патентовании, а не об изобретении. Идея полупроводникового прибора со свойствами транзистора была многократно озвучена в научной литературе начиная с 1940 года в разных странах.