Тагиров, Владимир Исмаил оглы

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
(перенаправлено с «Таиров, Владимир Исмаил оглы»)
Перейти к навигации Перейти к поиску
В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Тагиров.
Владимир Исмаил оглы Тагиров
азерб. Vladimir İsmayıl oğlu Tahirov
Тагиров Владимир Исмаил оглы.jpg
Дата рождения 5 апреля 1932(1932-04-05)
Место рождения
Дата смерти 2014
Место смерти
Страна
Научная сфера физика
Место работы
Альма-матер
Учёная степень доктор физико-математических наук
Учёное звание профессор
член-корреспондент НАНА

Влади́мир Исмаи́л оглы́ Таи́ров (азерб. Vladimir İsmayıl oğlu Tahirov) — азербайджанский физик, доктор физико-математических наук, профессор кафедры физики полупроводников физического факультета Бакинского государственного университета, член-корреспондент НАНА.

Биография[править | править код]

Владимир Таиров родился 5 апреля 1932 года в селе Уруд Сисианского района Армянской ССР. В 1949 году окончил среднюю школу. В 1951 году окончил двухлетний физико-математический факультет Агдамского педагогического института. В 1956 году окончил отделение физики физико-математического факультета Азербайджанского государственного университета. В 1962 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Исследование сегрегации, диффузии и растворимости таллия и тантала в монокристаллах германия». В 1972 году защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по теме «Исследование примесных состояний и донорно-акцепторного взаимодействия в твердых растворах германий-кремний».

Умер в Баку в 2014 году.

Научная деятельность[править | править код]

Владимир Таиров исследовал фундаментальные свойства большого числа полупроводников (Ge, Ge-Si, Te, GaSb, BiSb, Te-Se, соединения типа A3B5 и др.) Занимался разработкой новых полупроводниковых соединений, обладающих широким спектром интересных физических свойств. Им изобретен новый класс тройных полупроводниковых соединений типа A3IB5IIIC9VI, включающих в себя более 45 соединений. Владимир Таиров разработал новый метод получения однородных монокристаллов твердых растворов, обладающих сильной сегрегацией. Им также разработан новый метод получения монокристаллов перитектических соединений с летучими компонентами, новый метод определения глубины залегания примесей, новый экспрессный метод определения теплоемкости твердых тел.

Некоторые научные работы[править | править код]

  • «Полупроводниковые твердые растворы Ge-Si», «Элм», Баку, 1983, 208 стр.
  • «Новый класс тройных полупроводниковых соединений типа A3IB5IIIC9VI», БГУ, Баку, 2001, 304 стр.
  • «Об определении глубины залегания примесных уровней в полупроводниках», ФТП, 4, № 11, стр. 2182—2184, 1970.
  • «О механизме образования дефектов в антимониде галлия при кристаллизации и взаимодействии с паровой фазой», «Электронная техника», серия 14, № 7, стр. 93-96, 1971.
  • «Инфракрасные спектры отражения слоистых монокристаллов Cu3Ju5S9», Phys. Stat. Solidi, 144, № 1, K73-K76, 1987.

Источники[править | править код]