Дно зоны проводимости

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Это текущая версия страницы, сохранённая Ququ (обсуждение | вклад) в 12:59, 3 октября 2021 (отмена правки 116986907 участника Mikisavex (обс.) экстремум может быть локальным.). Вы просматриваете постоянную ссылку на эту версию.
(разн.) ← Предыдущая версия | Текущая версия (разн.) | Следующая версия → (разн.)
Перейти к навигации Перейти к поиску

Дно зо́ны проводи́мости — самое низкое по энергии состояние в зоне проводимости полупроводника, а также энергия этого состояния. Состояние задаётся волновым вектором электрона , а энергия имеет стандартное обозначение .

В зависимости от полупроводника, дно зоны проводимости может находиться в разных точках зоны Бриллюэна. Часто это чем-либо выделенные точки (скажем, Γ, X, L), отвечающие различной симметрии зоны в различных направлениях. Однако существуют полупроводники, например кремний, для которых дно зоны проводимости не совпадает ни с какой особой точкой зоны Бриллюэна.

Точки в центре и на краях зоны Бриллюэна всегда являются минимумами или максимумами закона дисперсии (из-за условий на периодичность потенциала). Если дно зоны проводимости приходится не на Γ-точку, то есть , оно является вырожденным, а именно, ввиду симметрии, имеется несколько волновых векторов, отвечающих энергетическому минимуму.

Для органических полупроводников, вместо термина «дно зоны проводимости», используется понятие самая низкая незанятая молекулярная орбиталь (англ. LUMO: lowest unoccupied molecular orbital).

Если дно зоны проводимости и потолок валентной зоны полупроводника находятся в одной и той же точке зоны Бриллюэна (), то такой материал называется прямозонным (пример: GaAs), а если в разных — то непрямозонным (пример: Si).

Литература

[править | править код]
  • Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твёрдого тела: В двух томах / М.И Каганов. — М.: Мир, 1979. — 399 с.
  • Ч. Киттель. Введение в физику твёрдого тела. — М.: Наука, 1978.