Осмийдигерманий: различия между версиями

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
[отпатрулированная версия][отпатрулированная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
м + {{изолированная статья}}
дополнение
Строка 6: Строка 6:


| наименование = {{PAGENAME}}
| наименование = {{PAGENAME}}
| традиционные названия =
| традиционные названия = Дигерманийосмий
| сокращения = <!-- принятые сокращения названия -->
| сокращения = <!-- принятые сокращения названия -->
| хим. формула = Ge{{sub|2}}Os
| хим. формула = Ge{{sub|2}}Os
| рац. формула = <!-- формула, отображающая помимо всего прочего строение вещества -->
| рац. формула = OsGe{{sub|2}}


| состояние = <!-- бесцветные кристаллы/жидкость/газ -->
| состояние = кристаллы
| примеси = <!-- типичное кол-во, указать единицы -->
| примеси = <!-- типичное кол-во, указать единицы -->
| молярная концентрация = <!-- число, в моль/л -->
| молярная концентрация = <!-- число, в моль/л -->
Строка 127: Строка 127:
[[Моноклинная сингония|моноклинной сингонии]],
[[Моноклинная сингония|моноклинной сингонии]],
[[пространственная группа]] '''''C 2/m''''',
[[пространственная группа]] '''''C 2/m''''',
параметры ячейки ''a'' = 0,8995 нм, ''b'' = 0,3094 нм, ''c'' = 0,7685 нм, β = 119,16°, Z = 4.
параметры ячейки ''a'' = 0,8995 нм, ''b'' = 0,3094 нм, ''c'' = 0,7685 нм, β = 119,16°, Z = 4
<ref>{{книга
|ответственный = Под ред. Н. П. Лякишева |заглавие = Диаграммы состояния двойных металлических систем |место = М.
|издательство = Металлургия |год = 1997 |том = 2 |страниц = 1024 |isbn = 5-217-01569-1
}}</ref><ref>{{статья
|автор = B. Predel
|заглавие = Ge-Os (Germanium-Osmium)
|ссылка =
|язык =
|издание = Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry
|год = 1996
|том = 5f
|номер =
|страницы = 1
|doi = 10.1007/10501684_1489
|issn =
}}</ref><ref>{{статья
|автор = B. Predel
|заглавие = Ge - Os (Germanium - Osmium)
|ссылка =
|язык =
|издание = Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry
|год = 2013
|том =
|номер =
|страницы = 144
|doi = 10.1007/978-3-642-24778-1_93
|issn =
}}</ref><ref>{{статья
|автор = G. Weitz, L. Born, E. Hellner
|заглавие = Zur Struktur des OsGe{{sub|2}}
|ссылка =
|язык =
|издание = Z. Metallkd.
|год = 1960
|том = 51
|номер =
|страницы = 238–243
|doi =
|issn =
}}</ref>.

Проявляет [[полупроводник]]овые свойства <ref>{{статья
|автор = Nader M. Elmarhoumi
|заглавие = Novel Semi-Conductor Material Systems: Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization
|ссылка = http://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc490047/m2/1/high_res_d/dissertation.pdf
|язык =
|издание = Dissertation Prepared for the Degree of «Doctor of Philosophy (Physics)»
|год = 2013
|том =
|номер =
|страницы = 138
|doi =
|issn =
}}</ref>.
<!--
<!--


Строка 134: Строка 188:
== Применение ==
== Применение ==
-->
-->
== Примечания ==
{{примечания}}



== Литература ==
* {{книга
|ответственный = Под ред. Н. П. Лякишева |заглавие = Диаграммы состояния двойных металлических систем |место = М.
|издательство = Металлургия |год = 1997 |том = 2 |страниц = 1024 |isbn = 5-217-01569-1
}}


{{Соединения осмия}}
{{Соединения осмия}}

Версия от 07:49, 28 марта 2015

Осмийдигерманий
Общие
Систематическое
наименование
Осмийдигерманий
Традиционные названия Дигерманийосмий
Хим. формула Ge2Os
Рац. формула OsGe2
Физические свойства
Состояние кристаллы
Молярная масса 335,51 г/моль
Плотность 11,9 г/см³
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.

Осмийдигерманий — бинарное неорганическое соединение осмия и германия с формулой Ge2Os, кристаллы.

Получение

  • Сплавление стехиометрических количеств чистых веществ:

Физические свойства

Осмийдигерманий образует кристаллы моноклинной сингонии, пространственная группа C 2/m, параметры ячейки a = 0,8995 нм, b = 0,3094 нм, c = 0,7685 нм, β = 119,16°, Z = 4 [1][2][3][4].

Проявляет полупроводниковые свойства [5].

Примечания

  1. Диаграммы состояния двойных металлических систем / Под ред. Н. П. Лякишева. — М.: Металлургия, 1997. — Т. 2. — 1024 с. — ISBN 5-217-01569-1.
  2. B. Predel. Ge-Os (Germanium-Osmium) // Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry. — 1996. — Т. 5f. — С. 1. — doi:10.1007/10501684_1489.
  3. B. Predel. Ge - Os (Germanium - Osmium) // Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry. — 2013. — С. 144. — doi:10.1007/978-3-642-24778-1_93.
  4. G. Weitz, L. Born, E. Hellner. Zur Struktur des OsGe2 // Z. Metallkd.. — 1960. — Т. 51. — С. 238–243.
  5. Nader M. Elmarhoumi. Novel Semi-Conductor Material Systems: Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization // Dissertation Prepared for the Degree of «Doctor of Philosophy (Physics)». — 2013. — С. 138.