Мадоян, Сусанна Гукасовна
| Сусанна Гукасовна Мадоян | |
|---|---|
| Дата рождения | 24 июня 1925 |
| Место рождения | Батуми, Грузия |
| Дата смерти | 8 ноября 2023 (98 лет) |
| Место смерти | |
| Страна |
 СССР |
| Научная сфера | Электротехника |
| Место работы | Научно-производственное предприятие «Исток» |
| Альма-матер |
МХТИ; МИСиС |
| Учёная степень | Кандидат технических наук |
| Научный руководитель | Красилов, Александр Викторович |
| Известен как | Cоздательница первого полупроводникового триода (транзистора) в СССР |
Сусанна Гукасовна Мадоян (24 июня 1925, Батуми, ССРГ - 8 ноября 2023, Москва, РФ) — советский электротехник, кандидат технических наук (1960), создательница первого полупроводникового триода (транзистора) в СССР[1][2][3][4][5][6][7][8][9][10].
Биография[править | править код]
Сусанна Гукасовна родилась 24 июня 1925 г. в городе Батуми в Грузии. Её отец — Гукас Акопович Мадоян происходил из деревни Гюлантуп Карского района уезда Эриванской губернии, входившего до Первой мировой войны в состав Российской империи. Во время геноцида армян турки ворвались в их деревню, началась резня, его пятнадцатилетнего брата Арута закололи вместе с остальными молодыми мужчинами на глазах у матери, которая, не выдержав увиденного, умерла. Дед Сусанны, Акоп, остался один с четырьмя детьми. Мать Ашхен Хачатуровна Мурадян.
С аттестатом отличника она без экзаменов поступила в Московский химико-технологический институт им. Менделеева. Учиться начала на факультете органической химии, а с шестого семестра перешла на спецфакультет, на только что открывшуюся новую кафедру.
В конце 1960 года Мадоян защитила диссертацию на степень кандидата технических наук и начала цикл новых работ по созданию СВЧ приборов – туннельных диодов, основанных не только на германии, но и на появившемся к тому времени новых полупроводниковых материалах – арсениде галлия и антимониде галлия. В 1969 г. оставила полупроводниковую промышленность и занялась преподаванием – получила должность доцента кафедры «Полупроводниковые приборы» в Институте стали и сплавов[1].
Умерла в Москве 8 ноября 2023 года. У Сусанны Гукасовны остались сын, двое внуков и шестеро правнуков.
История создания транзистора[править | править код]
В 1948 в Московском Химико-технологическом институте (МХТИ) на кафедре «Технология электровакуумных и газоразрядных приборов» при распределении дипломных работ Сусанне Мадоян досталась тема «Исследование материалов для кристаллического триода». Так 22-летняя дипломница Сусанна Мадоян, сама того не ожидая, оказалась первым разработчиком транзисторов в СССР[1][11].
Вскоре её направили в подмосковный город Фрязино, в НИИ-160 (НИИ «Исток»), в лабораторию А.В. Красилова. Исследователи раздобыли пластинку полупроводникового материала, вынутую из какого-то трофейного немецкого датчика, а затем Сусанна соорудила конструкцию из двух контактных пружинок, сделанных из бериллиевой бронзы, и двух стальных скобок. Эта контактная пара перемещалась взад-вперед по пластинке с помощью горизонтального винта, приводимого в движение отвёрткой, а вся миниатюрная экспериментальная установка по виду мало отличалась от обыкновенного реостата или потенциометра.
Снимаемый сигнал подавался на «характерограф» — прибор подобный осциллографу, который настраивался другим лаборантом. И теоретические познания и практический опыт Сусанне приходилось приобретать в процессе работы. Передвигая контакты по пластинке можно было снимать характеристики и отыскивать точки дававшие лучшие показатели.
Однако характеристики были очень нестабильными и после примерно получаса работы контакты приходилось переводить в какое-нибудь другое место. Тем не менее «усилительный (транзисторный) эффект» в конце концов был получен. В 1949 г. было зарегистрировано первое наблюдение «транзисторного эффекта» и, по сути дела, создание первого советского триода (слова «транзистор» тогда никто не знал), авторами которого и стали инженер А.В. Красилов и студентка-дипломница Сусанна Мадоян. Разумеется, это была лишь действующая экспериментальная установка; промышленный выпуск транзисторов начался позже, в 1950-е с изобретением плоскостного или «планарного» транзистора.
В 1947 г. в МХТИ была открыта специализированная кафедра «Технология Электровакуумных и Газоразрядных Приборов», на которую Мадоян пришла в том же году. Разумеется, тогда она и не предполагала что её имя станет одной их знаменательных вех в истории отечественной (да наверное и мировой) электроники которой будет посвящена вся её последующая профессиональная жизнь[1].
В СССР первая научно-исследовательская работа по полупроводниковому триоду была выполнена в НИИ-160 (ныне НПП «Исток») дипломницей МХТИ Сусанной Гукасовной Мадоян. Лабораторный макет транзистора (точечного) заработал в феврале 1949 года. Серийное производство точечных транзисторов (ТС1 — ТС7) началось в 1953 г., плоскостных (П1) — в 1955.
Примечания[править | править код]
- ↑ 1 2 3 4 Сусанна Гукасовна Мадоян. www.computer-museum.ru. Дата обращения: 9 ноября 2022. Архивировано 9 ноября 2022 года.
- ↑ Электроника НТБ — научно-технический журнал / Отечественному транзистору уже 60 лет. Что способствовало его появлению? www.electronics.ru. — Часть на странице: "Профессор Е.В.Жариков посвятил свой доклад роли вузов в создании первых транзисторов и рассказал по материалам дела, хранящегося в архиве, о разработчике первого отечественного транзистора, в те времена дипломнице, Сусанне Гукасовне Мадоян". Дата обращения: 9 ноября 2022. Архивировано 9 ноября 2022 года.
- ↑ Щука А. Электроника. 2 изд.. — БХВ-Петербург, 2008. — С. 171, часть на странице: "В Советском Союзе транзисторный эффект впервые наблюдали в 1949 году. Авторами первого отечественного точечного транзистора были советские исследователи НИИ-160 (ныне "Исток") Александр Викторович Красилов и его аспирантка Сусанна Гукасовна Мадоян". — 751 с. — ISBN 978-5-9775-0160-6. Архивировано 9 ноября 2022 года.
- ↑ Валентин Михайлович Пролейко. — Litres, 2022-05-15. — С. Часть на странице: "...родоначальники отечественной транзисторной техники Сусанна Гукасовна Мадоян и Николай Алексеевич Пеннин...". — 1213 с. — ISBN 978-5-457-71731-2. Архивировано 9 ноября 2022 года.
- ↑ Анатолий Белоус, Сергей Шведов, Мердан Мерданов. СВЧ-электроника в системах радиолокации и связи. Техническая энциклопедия. Книга 1. — Litres, 2022-05-15. — С. 466, часть на странице: "В отделе А.В. Красилова под руководством начальника лаборатории С.Г. Мадоян при активном участии А.П. Шибанова (отдел Ю.А. Каменецкого – обеспечение метрологией и экспериментальными исследованиями на СВЧ) были разработаны первые генераторные тунельные диоды сантиметрового диапазона частот". — 783 с. — ISBN 978-5-04-337961-0. Архивировано 9 ноября 2022 года.
- ↑ Николай Симонов. Несостоявшаяся информационная революция. Условия и тенденции развития в СССР электронной промышленности и средств массовой коммуникации. Часть I. 1940–1960-е годы. — Litres, 2022-01-29. — С. Часть на странице: "Считается, что первые НИР по транзисторам («точечно-контактным триодам») в Советском Союзе в 1949 г. поставили...НИИ-160 (А. В. Красилов и С. Г. Мадоян)". — 515 с. — ISBN 978-5-04-070753-9. Архивировано 9 ноября 2022 года.
- ↑ Борис Малашевич. 50 лет отечественной микроэлектронике. Краткие основы и история развития. Выпуск 5. — Litres, 2022-05-15. — С. 168, часть на странице: "Официально разработчиком первого экспериментального транзистора является студентка Московского химико-технологического института С. Г. Мадоян, выполнявшая под руководством А. В. Красилова дипломную работу по теме «Точечный транзистор»". — 800 с. — ISBN 978-5-457-73727-3. Архивировано 9 ноября 2022 года.
- ↑ Разработка первых транзисторов в СССР. История России. statehistory.ru. — Часть на странице: "В Советском Союзе первая НИР по транзисторам была поставлена в НИИ-160 (в дальнейшем - НИИ «Исток») в декабре 1948 г. Работа была выполнена Сусанной Мадоян - дипломницей Химико-технологического института им. Д.И. Менделеева под руководством А.В. Красилова". Дата обращения: 9 ноября 2022. Архивировано 9 ноября 2022 года.
- ↑ Почему у первого транзистора СССР была только «мама»? Хабр. Дата обращения: 9 ноября 2022. Архивировано 9 ноября 2022 года.
- ↑ Березанская В.м. ФИАН СОЗДАТЕЛЬ ПЕРВОГО РОССИЙСКОГО ТРАНЗИСТОРА. НЕИЗВЕСТНАЯ СТРАНИЦА ИСТОРИИ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ // Вестник Российской академии наук. — 2010. — Т. 80, вып. 2. — С. Часть на странице: "К весне 1949 г. С.Г. Мадоян получила транзисторный эффект". — ISSN 0869-5873. Архивировано 9 ноября 2022 года.
- ↑ Юлиус Лилиенфельд: 130 лет забытому пионеру электроники. itWeek. — Часть на странице: "В 1949 г. московская студентка 22-летняя Сусанна Мадоян за время своей дипломной практики в институте электроники...под руководством А. В. Красилова сама сделала работающий транзистор". Дата обращения: 9 ноября 2022. Архивировано 9 ноября 2022 года.