DDR2 SDRAM

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
типы DRAM памяти

DDR2 SDRAM (англ. double-data-rate two synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, второе поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти DDR SDRAM.

В 2010-ых была в значительной степени вытеснена памятью стандарта DDR3.

Описание[править | править исходный текст]

Модуль памяти 1 ГБ DDR2-533 с радиатором

Как и DDR SDRAM, DDR2 SDRAM использует передачу данных по обоим срезам тактового сигнала, за счёт чего при такой же частоте шины памяти, как и в обычной SDRAM, можно фактически удвоить скорость передачи данных (например, при работе DDR2 на частоте 100 МГц эквивалентная эффективная частота для SDRAM получается 200 МГц). Основное отличие DDR2 от DDR — вдвое большая частота работы шины, по которой данные передаются в буфер микросхемы памяти. При этом, чтобы обеспечить необходимый поток данных, передача на шину осуществляется из четырёх мест одновременно. Итоговые задержки оказываются выше, чем для DDR.

Внешнее отличие модулей памяти DDR2 от DDR — 240 контактов (по 120 с каждой стороны)

Микросхемы памяти DDR2 производятся в новом корпусе типа BGA (FBGA).
Напряжение питания микросхем: 1,8 В
Потребляемая мощность: 247 мВт
Интерфейс ввода-вывода: SSTL_18
Burst Length: 4/8
Prefetch Size: 4-bit
Новые функции: ODT, OCD Calibration, Posted CAS, AL (Additive Latency)

Совместимость[править | править исходный текст]

DDR2 не является обратно совместимой с DDR, поэтому ключ на модулях DDR2 расположен в другом месте по сравнению с DDR и вставить модуль DDR2 в разъём DDR, не повредив последний (или первый), невозможно.
Существуют переходники для установки модулей DDR2 в слоты DDR[1], но их можно рассматривать скорее как технологический курьез. Дело в том, что для функционирования такого переходника необходим контроллер памяти, обладающий способностью работать как с памятью типа DDR, так и DDR2 — например, Intel 915 Express.

Технические стандарты[править | править исходный текст]

Микросхемы[править | править исходный текст]

Тип чипа Частота памяти Частота шины Эффективная частота
DDR2-400 100 МГц 200 МГц 400 МГц
DDR2-533 133 МГц 266 МГц 533 МГц
DDR2-667 166 МГц 333 МГц 667 МГц
DDR2-800 200 МГц 400 МГц 800 МГц
DDR2-1066 266 МГц 533 МГц 1066 МГц

Модули[править | править исходный текст]

Для использования в ПК, DDR2 RAM поставляется в модулях DIMM с 240 контактами и одним ключом (прорезью в полосе контактов). DIMM’ы различаются по максимальной скорости передачи данных (часто называемой пропускной способностью).

Название модуля Частота шины Тип Пиковая скорость передачи данных
PC2-3200 200 МГц DDR2-400 3200 МБ/с или 3,2 ГБ
PC2-4200 266 МГц DDR2-533 4200 МБ/с или 4,2 ГБ/с
PC2-5300 333 МГц DDR2-667 5300 МБ/с или 5,3 ГБ/с
PC2-5400 337 МГц DDR2-675 5400 МБ/с или 5,4 ГБ/с
PC2-5600 350 МГц DDR2-700 5600 МБ/с или 5,6 ГБ/с
PC2-5700 355 МГц DDR2-711 5700 МБ/с или 5,7 ГБ/с
PC2-6000 375 МГц DDR2-750 6000 МБ/с или 6,0 ГБ/с
PC2-6400 400 МГц DDR2-800 6400 МБ/с или 6,4 ГБ/с
PC2-7100 444 МГц DDR2-888 7100 МБ/с или 7,1 ГБ/с
PC2-7200 450 МГц DDR2-900 7200 МБ/с или 7,2 ГБ/с
PC2-8000 500 МГц DDR2-1000 8000 МБ/с или 8,0 ГБ/с
PC2-8500 533 МГц DDR2-1066 8500 МБ/с или 8,5 ГБ/с
PC2-9200 575 МГц DDR2-1150 9200 МБ/с или 9,2 ГБ/с
PC2-9600 600 МГц DDR2-1200 9600 МБ/с или 9,6 ГБ/с

Быстрейшей серийно выпускаемой памятью DDR2 является Team Xtreem PC2-10400, которая, однако, имеет большие задержки — 6-6-6-х и повышенное напряжение питания — 2.35-2.45 В. Для таймингов 5-5-5-х, по-видимому, быстрейшими серийными модулями являются PC2-9600, а для 4-4-4-х — PC2-8888 производства Corsair и Geil Ultra Plus PC2-9280. Существуют также модули с наименьшими задержками, CL3, со значительно меньшей скоростью работы. Самыми быстрыми из них являются PC2-6400[2].

Помимо разделения по пропускной способности и ёмкости, модули делятся по:

  • наличию дополнительного чипа памяти для кода коррекции ошибок. Обозначаются символами ECC, например, так: PC2-6400 ECC;
  • наличию специализированной микросхемы адресации — register. «Обычные» модули обозначаются как «non-registered» или «unbuffered». Регистр в буферированных — «registered» — модулях улучшает качество сигнала командно-адресных линий (ценой дополнительного такта задержки при обращении), что позволяет поднять частоты и использовать до 36 микросхем памяти на модуль, создавая модули повышенной емкости, которые обычно применяются в серверах и рабочих станциях. Практически все выпускающиеся сейчас модули DDR2 Reg также оснащены ECC.
  • наличию микросхемы AMB (Advanced Memory Buffer). Такие модули называются полностью буферированными (fully buffered), обозначаются буквами F или FB и имеют другое расположение ключа на модуле. Это дальнейшее развитие идеи registered модулей — Advanced Memory Buffer осуществляет буферизацию не только сигналов адреса, но и данных, и использует последовательную шину к контроллеру памяти вместо параллельной. Эти модули нельзя устанавливать в материнские платы, разработанные для других типов памяти, и положение ключа этому препятствует.

Как правило, даже если материнская плата поддерживает registered и unbuffered (обычная память) модули, модули разных типов (registered и unbuffered) не могут работать совместно на одном канале. Несмотря на механическую совместимость разъёмов, Registered память просто не запустится в материнской плате, рассчитанной на применение обычной (небуферизованной) памяти и наоборот. Наличие/отсутствие ECC никоим образом не влияет на ситуацию. Всё это касается как обычной DDR, так и DDR-II.

Категорически невозможно использовать Registered память вместо обычной памяти и наоборот. Без всяких исключений. Единственным исключением в настоящее время являются двухпроцессорные LGA1366 платы, которые работают как с обычной, так и с Registered DDR-III, однако смешивать в одной системе два типа памяти нельзя.

Преимущества по сравнению с DDR
  • Более высокая полоса пропускания
  • Как правило, меньшее энергопотребление
  • Улучшенная конструкция, способствующая охлаждению
Недостатки по сравнению с DDR
  • Обычно более высокая CAS-латентность (от 3 до 6)
  • Итоговые задержки при одинаковых (или даже более высоких) частотах оказываются выше

См. также[править | править исходный текст]

Литература[править | править исходный текст]

В. Соломенчук, П. Соломенчук Железо ПК. — 2008. — ISBN 978-5-94157-711-8

Примечания[править | править исходный текст]

Ссылки[править | править исходный текст]