DDR3 SDRAM
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
 |
В этой статье не хватает ссылок на источники информации.
Информация должна быть проверяема, иначе она может быть поставлена под сомнение и удалена.
Вы можете отредактировать эту статью, добавив ссылки на авторитетные источники. |
| типы DRAM памяти |
DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, тип 3) — это тип оперативной памяти используемой в компьютерах, разработанный как последователь DDR2 SDRAM.
DDR3 обещает сокращение потребления энергии на 40% по сравнению с модулями DDR2, благодаря применению 90-нм (в дальнейшем 65-нм и 50-нм) технологии производства, что позволяет снизить эксплуатационные токи и напряжения (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR). Для сокращения утечки тока будут использоваться транзисторы с двойным затвором.
Изображение: Вверху - модуль DDR3 SDRAM, внизу - модуль DDR2 SDRAM
Содержание |
[править] Спецификация стандартов
[править] Чипы и модули
| Стандартное название | Частота памяти | Время цикла | Частота шины | Передач данных в секунду | Название модуля | Пиковая скорость передачи данных |
| DDR3-800 | 100 МГц | 10.00 нс | 400 МГц | 800 млн | PC3-6400 | 6400 МБ/с |
| DDR3-1066 | 133 МГц | 7.50 нс | 533 МГц | 1066 млн | PC3-8500 | 8533 МБ/с |
| DDR3-1333 | 166 МГц | 6.00 нс | 667 МГц | 1333 млн | PC3-10600 | 10667 МБ/с[1] |
| DDR3-1600 | 200 МГц | 5.00 нс | 800 МГц | 1600 млн | PC3-12800 | 12800 МБ/с |
| DDR3-1800 | 225 МГц | 4.44 нс | 900 МГц | 1800 млн | PC3-14400 | 14400 МБ/с |
| DDR3-2000 | 250 МГц | 4.00 нс | 1000 МГц | 2000 млн | PC3-16000 | 16000 МБ/с |
| DDR3-2133 | 266 МГц | 3.75 нс | 1066 МГц | 2133 млн | PC3-17000 | 17066 МБ/с |
| DDR3-2400 | 300 МГц | 3.33 нс | 1200 МГц | 2400 млн | PC3-19200 | 19200 МБ/с |
- Возможности
DDR3 SDRAM компонентов:
- Появление контакта асинхронного сброса
- Support of system level flight time compensation
- On-DIMM Mirror friendly DRAM ballout
- Introduction of CWL (CAS Write Latency) per speed bin
- Встроенная калибровка портов ввода/вывода
- Калибровка READ и WRITE DDR3 модулей:
- Определение адресов и команд непосредственно в контроллере модуля (fly-by)
- Высокоточные резисторы в цепях калибровки
- Преимущества по сравнению с DDR2
- Более высокая полоса пропускания (до 2400 МГц)
- Увеличенная эффективность при малом энергопотреблении (более длительное время работы батарей в ноутбуках)
- Улучшенная конструкция, способствующая охлаждению
- Недостатки по сравнению с DDR2
- Обычно более высокая CAS-латентность, но компенсируемая высокой полосой пропускания, таким образом увеличивающаяся полная производительность в определённых приложениях
- До недавнего времени (2009 год) стоило намного больше, чем эквивалентная память DDR2.
