DDR3 SDRAM

Модули памяти DDR3 представленные Samsung на Intel Developer Forum 2008

DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM.

У DDR3 уменьшено на 30% (точный процент)) потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм (вначале, в дальнейшем 65-, 50-, 40-нм) техпроцесса при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).

Существуют DDR3L (L означает Low) с ещё более пониженным энергопотреблением до 1,35 В. Это меньше традиционных DDR3 на 10%.

В 2012 году было сообщено о выходе памяти DDR3L-RS для смартфонов.

Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.

Совместимость

Сравнение планок памяти DDR, DDR2 и DDR3 по внешнему виду.

Модули DIMM с памятью DDR3, имеющие 240 контактов, не совместимы с модулями памяти DDR2 электрически и механически. Ключ расположен в другом месте, поэтому модули DDR3 не могут быть установлены в слоты DDR2, сделано это с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других и их возможного повреждения вследствие несовпадения электрических параметров.
В переходный период производители выпускали материнские платы, которые поддерживали установку и модулей DDR2, и DDR3, имея соответствующие разъёмы (слоты) под каждый из двух типов, но одновременная работа модулей разных типов не допускалась.

Спецификации стандартов

Стандартное название	Частота памяти	Время цикла	Частота шины	Эффективная(удвоенная) скорость	Название модуля	Пиковая скорость передачи данных при 64-битной адресации в одноканальном режиме
DDR3-800	100 МГц	10,00 нс	400 МГц	800 МТ	PC3-6400	6400 МБ/с
DDR3-1066	133 МГц	7,50 нс	533 МГц	1066 МТ	PC3-8500	8533 МБ/с
DDR3-1333	166 МГц	6,00 нс	667 МГц	1333 МТ	PC3-10600	10667 МБ/с
DDR3-1600	200 МГц	5,00 нс	800 МГц	1600 МТ	PC3-12800	12800 МБ/с
DDR3-1866	233 МГц	4,29 нс	933 МГц	1866 МТ	PC3-14900	14933 МБ/с
DDR3-2133	266 МГц	3,75 нс	1066 МГц	2133 МТ	PC3-17000	17066 МБ/с

Возможности

Возможности микросхем DDR3 SDRAM

• Предвыборка 8 байт
• Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
• Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
• Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
• Выполнение CAS Write Latency за такт
• Встроенная терминация данных
• Встроенная калибровка ввода/вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
• Автоматическая калибровка шины данных

Возможности модулей DIMM DDR3

• Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией
• Высокоточные резисторы в цепях калибровки

Преимущества и недостатки

Преимущества по сравнению с DDR2

• Бо́льшая пропускная способность (до 17066 МБ/с)
• Меньшее энергопотребление

Недостатки по сравнению с DDR2

• Более высокая CAS-латентность (компенсируется большей пропускной способностью)

См. также

• DDR2 SDRAM
• Двухканальный режим
• Трёхканальный режим
• DDR4 SDRAM

Производители

Набор Kingston KHX1600C9D3X2K2/8GX 8GB DDR3-1600 CL9 240-pin DIMM установленный на материнской плате ASUS P8H67

• AMD
• Corsair
• SuperTalent (USA)
• Kingston
• Patriot
• Samsung
• PQI
• NCP
• Hynix
• OCZ
• Team Group

Литература

В. Соломенчук, П. Соломенчук Железо ПК. — 2008. — ISBN 978-5-94157-711-8

Ссылки

• Как выбрать оперативную память DDR3? (рус.)
• JEDEC
• Сергей Пахомов — Энциклопедия современной памяти, «КомпьютерПресс»