DDR3 SDRAM

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
типы DRAM памяти
Модули памяти DDR3, представленные Samsung на Intel Developer Forum 2008
Модуль памяти DDR3

DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM, увеличив размер предподкачки с 4 бит до 8 бит.[1][2]

У DDR3 уменьшено потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти.[3][4] Снижение напряжения питания достигается за счёт использования более тонкого техпроцесса (в начале 90-нм, в дальнейшем 65, 50, 40 нм) при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).

Существует вариант памяти DDR3L (L означает Low) с ещё более низким напряжением питания, 1,35 В, что меньше традиционного для DDR3 на 10 %.[5]

В 2012 году было сообщено о выходе памяти DDR3L-RS для смартфонов.[6]

Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.

Совместимость[править | править вики-текст]

Сравнение планок памяти DDR, DDR2 и DDR3 по внешнему виду.

Модули DIMM с памятью DDR3, имеющие 240 контактов, не совместимы с модулями памяти DDR2 ни электрически, ни механически. Ключ расположен в другом месте, поэтому модули DDR3 не могут быть установлены в слоты DDR2, сделано это с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других и их возможного повреждения вследствие несовпадения электрических параметров.

В переходный период производители выпускали материнские платы, которые поддерживали установку и модулей DDR2, и DDR3, имея соответствующие разъёмы (слоты) под каждый из двух типов, но одновременная работа модулей разных типов не допускалась.

Спецификации стандартов[править | править вики-текст]

Стандартное название Частота памяти, МГц Время цикла, нс Частота шины, МГц Эффективная (удвоенная) скорость, млн. передач/с Название модуля Пиковая скорость передачи данных при 64-битной шине данных в одноканальном режиме, МБ/с
DDR3‑800 100 10,00 400 800 PC3‑6400 6400
DDR3‑1066 133 7,50 533 1066 PC3‑8500 8533
DDR3‑1333 166 6,00 667 1333 PC3‑10600 10667
DDR3‑1600 200 5,00 800 1600 PC3‑12800 12800
DDR3‑1866 233 4,29 933 1866 PC3‑14900 14933
DDR3‑2133 266 3,75 1066 2133 PC3‑17000 17066
DDR3‑2400 300 3,33 1200 2400 PC3‑19200 19200

Возможности DDR3[править | править вики-текст]

Возможности микросхем DDR3 SDRAM[править | править вики-текст]

  • Предвыборка 8 байт[источник не указан 363 дня]
  • Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
  • Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
  • Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
  • Выполнение CAS Write Latency за такт
  • Встроенная терминация данных
  • Встроенная калибровка ввода-вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
  • Автоматическая калибровка шины данных

Возможности модулей DIMM DDR3[править | править вики-текст]

  • Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией
  • Высокоточные резисторы в цепях калибровки

Преимущества и недостатки[править | править вики-текст]

Преимущества по сравнению с DDR2[править | править вики-текст]

  • Бо́льшая пропускная способность (до 19200 МБ/с)
  • Меньшее энергопотребление.

Недостатки по сравнению с DDR2[править | править вики-текст]

  • Более высокая CAS-латентность (компенсируется большей пропускной способностью)


Производители микросхем памяти[править | править вики-текст]

В 2012—2013 годах более 10 % рынка поставок микросхем памяти DDR3 занимали[7][8]

Небольшую долю также имели тайваньские Nanya (Elixir, Nanya Technology Corporation) и Winbond.

См. также[править | править вики-текст]

Примечания[править | править вики-текст]

Литература[править | править вики-текст]

В. Соломенчук, П. Соломенчук Железо ПК. — 2008. — ISBN 978-5-94157-711-8.

Ссылки[править | править вики-текст]