T-RAM

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Типы компьютерной памяти
Энергозависимая
Энергонезависимая

T-RAM (англ. Thyristor RAM) — тиристорная память с произвольным доступом, новый вид оперативной памяти, сочетающий в себе сильные стороны DRAM и SRAM: высокую скорость работы и большой объём. Данная технология использует ячейки памяти, основанные на NDR, которые называются Thin-Capacitively-Coupled-Thyristor[1]. T-RAM уходит от привычных дизайнов ячеек памяти: 1T и 6T, применяемых в DRAM и SRAM памяти. Благодаря этому, данная память является хорошо масштабируемой, и уже имеет плотность хранения данных в несколько раз превышающую её у SRAM памяти. В данный момент идёт разработка следующего поколения T-RAM памяти, которая, как планируется, будет сопоставима по плотности записи с DRAM.

Предполагается, что данный тип памяти будет использован в новейших процессорах компании AMD, производимых по нормам 32 и 22 нм[2].

Примечания[править | править вики-текст]

См. также[править | править вики-текст]

Ссылки[править | править вики-текст]