Дельта-легирование
Дельта-легирование англ. delta-doping или англ. δ-doping — внедрение тонкого легированного слоя в полупроводниковые кристаллы, выращенные эпитаксиальными методами. Для внедрения легирующей примеси процесс роста останавливают и запускают газ с примесью. Толщина слоя составляет порядка 1 нм. Типичным примером δ-легирования является кремний (n-тип примеси) и бериллий (p-тип примеси) в GaAs/AlGaAs гетероструктурах с двумерным электронным газом (ДЭГ).[1] Дельта-слой отделён от ДЭГ нелегированной областью называемой спейсером. В таких структурах можно получить ДЭГ с более высокой подвижностью, чем в однородно легированных полупроводниках[2]. Это происходит благодаря увеличению расстояния между рассеивающими центрами и ДЭГ. Концентрация ДЭГ также будет зависеть от размера спейсера. Чем он больше тем меньше электронов перейдёт в квантовую яму. Располагая дельта-слой в короткопериодической сверхрешётке GaAs/AlGaAs можно увеличить концентрацию и при этом сохранить высокую подвижность носителей тока.
Примечания[править | править код]
- ↑ Harris J. J. Delta-doping of semiconductors // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. — 1993. — Т. 4. — С. 93—105. — doi:10.1007/BF00180462. (недоступная ссылка)
- ↑ Дельта-легирование полупроводников = Delta-doping of semiconductors / Edited by E. F. Schubert. — New York: Cambridge University Press, 1996. — С. 7. — 616 с.
 | На эту статью не ссылаются другие статьи Википедии. |