Гетероструктура

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Гетероструктура

Гетерострукту́ра — термин в физике полупроводников, обозначающий выращенную на подложке слоистую структуру из различных полупроводников, в общем случае отличающихся шириной запрещённой зоны. Между двумя различными материалами формируется так называемый гетеропереход, в котором возможна повышенная концентрация носителей, и отсюда — формирование вырожденного двумерного электронного газа. В отличие от гомоструктур обладает большей свободой выбора в конструировании нужного потенциального профиля зоны проводимости и валентной зоны. Для выращивания гетероструктур используют много различных методов, среди которых можно выделить два основных:

Первый метод позволяет выращивать гетероструктуры с высокой точностью (до атомного монослоя[1]). Второй же не имеет высокой точности, но по сравнению с первым методом обладает более высокой производительностью.

За развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники Жорес Алфёров (Россия) и Герберт Крёмер (США) были удостоены Нобелевской премии в 2000 году.

В рамках программы развития нанотехнологий в России ведётся активное развитие производств, связанных с гетероструктурами, а именно производство солнечных батарей и светодиодов.

См. также[править | править код]

Примечания[править | править код]

  1. W. Patrick McCray, MBE deserves a place in the history books, Nature Nanotechnology 2, 259—261 (2007) doi:10.1038/nnano.2007.121

Литература[править | править код]

Джойс Б. А., Хекингботтом Р., Менх У. и др. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. — Под ред. Л. Ченга, К. Плога. Пер. с англ. под ред. Ж. И. Алферова, Ю. В. Шмарцева. — Москва: Мир, 1989. — 582 с. — ISBN 5-03-000737-7.