Квон, Зе Дон

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
(перенаправлено с «Квон Зе Дон»)
Перейти к навигации Перейти к поиску
В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Квон.
Зе Дон (Дмитрий Харитонович) Квон
Дата рождения 3 ноября 1950(1950-11-03) (73 года)
Место рождения пос. Быков, Долинский район, Сахалинская область, РСФСР, СССР
Страна  СССР→ Россия
Род деятельности физик
Научная сфера физика конденсированного состояния
Место работы Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, НГУ
Альма-матер НГУ
Учёная степень доктор физико-математических наук (1992)
Учёное звание профессор (1993)
член-корреспондент РАН (2022)
Награды и премии

Зе Дон (Дмитрий Харитонович) Квон (род. 3 ноября 1950 года) — советский и российский физик, специалист в области физики конденсированного состояния и мезоскопической физики. Заведующий лабораторией Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Доктор физико-математических наук (1992), профессор кафедры физики полупроводников ФФ НГУ (1993)[1], член-корреспондент РАН (2022)[2].

Известен исследованиями физичеких свойств низкоразмерных электроннo-дырочных систем в квантовых ямах на основе теллурида ртути[2]. Автор и соавтор более 300 статей[2]. Имеет более 3200 цитирований своих работ, опубликованных в реферируемых журналах. Индекс Хирша (2021 год) — 31[3].

Биография

[править | править код]

Родился 3 ноября 1950 года в поселке Быков Долинского района Сахалинской области в семье служащих[4]. В 1973 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета, а в 1978 году — аспирантуру Института физики полупроводников имени А. Ф. Иоффе РАН[4].

Начал работать в Институте физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН с 1973 года. В 1998 году стал заведующим лабораторией физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5[4].

В 1980 году защитил кандидатскую диссертацию[5] по теме «Исследование свойств инверсионных каналов в германиевых МДП-структурах».

В 1992 году защитил докторскую диссертацию по теме «Квантовые явления в тонких полупроводниковых слоях и микроструктурах на их основе»[4].

С 1984 года ведёт преподавательскую деятельность в НГУ и в 1993 году стал профессором кафедры физики полупроводников. Читает курс «Физика полупроводников тонких слоёв и низкоразмерных структур»[4].

В 2022 году избран членом-корреспондентом от Отделения физических наук РАН[2].

Научная деятельность

[править | править код]

З. Д. Квон является специалист в области физики конденсированного состояния. Его основная сфера научных интересов связана с изучением квантовых свойств низкоразмерных электронных систем и наноструктур[6][2].

Вклад З. Д. Квона в исследования физики конденсированного состояния описываются, но не исчерпываются следующими темами: интерференционные эффекты в системах с сильным спин-орбитальным взаимодействием, подавление слабой локализации микроволновым полем, стохастическая динамика двумерных электронов, мезоскопический фотогальванический эффект и мезоскопическая термоэдс, осцилляции Ааронова — Бома в сверхмалых полупроводниковых интерферометрах, обусловленное эффектами памяти отрицательное магнитосопротивление, эффекты близости и андреевское отражение в мезоскопических переходах сверхпроводник-нормальный металл-сверхпроводник, магнитный пробой двумерного топологического изолятора, осцилляции магнитосопротивления, индуцированные терагерцовым излучением, межзонные переходы в трехмерном топологическом изоляторе[6][2].

Под руководством З. Д. Квона впервые определены величина рашбовского спинового расщепления в двумерных электронных системах без центра инверсии, созданы и исследованы новые разновидности твердотельных электронных биллиардов и обнаружены устойчивые электронные траектории и фрактальной структура их фазового пространства. В его лаборатории в Институте физики полупроводников в Новосибирске исследованы состояния двумерного полуметалла в HgTe квантовых ямах и Андерсоновская локализации в двумерной электронно-дырочной системе, двумерные и трёхмерные топологические изоляторов на основе HgTe и на основе этого впервые наблюдались различные сценарии Андерсоновской локализации, а также явления, связанные с жесткой связью спина и электрона[6][2].

Библиография

[править | править код]
  • Baskin, E.; Gusev, G.; Kvon, Z.; Pogosov, A.; Entin, M. (1992). "Stochastic dynamics of 2D electrons in a periodic lattice of antidots". ZhETF Pisma Redaktsiiu. 55: 649.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)
  • Gusev, G. M.; Kvon, Z. D.; Shegai, O. A.; Mikhailov, N. N.; Dvoretsky, S. A.; Portal, J. C. (2011). "Transport in disordered two-dimensional topological insulators". Physical Review B. 84: 121302. doi:10.1103/PhysRevB.84.121302.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)
  • Gusev, G. M.; Kvon, Z. D.; Olshanetsky, E. B.; Levin, A. D.; Krupko, Y.; Portal, J. C.; Mikhailov, N. N.; Dvoretsky, S. A. (2014). "Temperature dependence of the resistance of a two-dimensional topological insulator in a HgTe quantum well". Physical Review B. 89: 125305. doi:10.1103/PhysRevB.89.125305.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)
  • Olshanetsky, E. B.; Kvon, Z. D.; Gusev, G. M.; Levin, A. D.; Raichev, O. E.; Mikhailov, N. N.; Dvoretsky, S. A. (2015). "Persistence of a Two-Dimensional Topological Insulator State in Wide HgTe Quantum Wells". Physical Review Letters. 114: 126802. doi:10.1103/PhysRevLett.114.126802.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)
  • Cassé, M.; Kvon, Z. D.; Gusev, G. M.; Olshanetskii, E. B.; Litvin, L. V.; Plotnikov, A. V.; Maude, D. K.; Portal, J. C. (2000). "Temperature dependence of the Aharonov-Bohm oscillations and the energy spectrum in a single-mode ballistic ring". Physical Review B. 62: 2624—2629. doi:10.1103/PhysRevB.62.2624.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)
  • Levin, A. D.; Gusev, G. M.; Levinson, E. V.; Kvon, Z. D.; Bakarov, A. K. (2018). "Vorticity-induced negative nonlocal resistance in a viscous two-dimensional electron system". Physical Review B. 97: 245308. doi:10.1103/PhysRevB.97.245308.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)

Награды

[править | править код]
  • Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (5 февраля 2024 года) — за большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук[7].

Примечания

[править | править код]
  1. ↑ Профессора НГУ, 2014, с. 199—200.
  2. ↑ 1 2 3 4 5 6 7 Квон Зе Дон. https://new.ras.ru/. РАН (2022). Дата обращения: 9 мая 2024. Архивировано 9 мая 2024 года.
  3. ↑ Список российских учёных, имеющих индекс цитирования > 1000. Дата обращения: 1 мая 2014. Архивировано 31 октября 2020 года.
  4. ↑ 1 2 3 4 5 Профессора НГУ, 2014, с. 200.
  5. ↑ Профессора НГУ, 2014, с. 199.
  6. ↑ 1 2 3 Квон Зе Дон (Дмитрий Харитонович). Объединение учителей Санкт-Петербурга. eduspb.com. Дата обращения: 24 декабря 2022. Архивировано 24 декабря 2022 года.
  7. ↑ Указ Президента Российской Федерации от 5 февраля 2024 года № 91 «О награждении государственными наградами Российской Федерации». Дата обращения: 5 февраля 2024. Архивировано 5 февраля 2024 года.

Литература

[править | править код]
  • Профессора НГУ. Физический факультет. Персональный состав. 1961—2014 гг. / Cост. Н. Н. Аблажей, С. А. Красильников; отв. ред. В. А. Александров. — Новосибирск: РИЦ НГУ, 2014. — 540 с. — ISBN 978-5-4437-0326-8.

Ссылки

[править | править код]
Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Квон,_Зе_Дон&oldid=138589775