Оже-рекомбинация
Оже-рекомбинация — механизм рекомбинации в полупроводниках, при котором лишняя энергия передаётся другому электронному возбуждению.
При рекомбинации электрона проводимости и дырки, электрон переходит из зоны проводимости в валентную зону. При этом он теряет энергию, которая приблизительно равняется ширине запрещённой зоны. Эта энергия должна передаться какой-нибудь другой частице или квазичастице: фотону, фонону или другому электрону. Последний из перечисленных процессов называется оже-рекомбинацией по аналогии с эффектом Оже. Электрон, который получает выделенную энергию, переходит на высоковозбуждённый уровень в зоне проводимости. Это высоковозбуждённое состояние потом термализуется, постепенно отдавая энергию колебаниям кристаллической решётки.
Оже-рекомбинация существенна при высокой плотности носителей заряда в полупроводнике, поскольку требует столкновения трёх квазичастиц. Одновременная высокая концентрация электронов проводимости и дырок возможна при интенсивном возбуждении полупроводника светом.
В 2007 году было установлено, что Оже-рекомбинация является причиной снижения эффективности светоизлучающих диодов при больших токах[1][2][3].
Оже-рекомбинация экситонов
[править | править код]Оже-рекомбинация экситонов происходит при столкновении двух экситонов. При этом процессе оба экситона исчезают, а вместо этого возникает другое состояние с высокой энергией, которое со временем может релаксировать к одноэкситонному. Вероятность процесса оже-рекомбинации пропорциональна квадрату плотности экситонов:
- ,
где n — концентрация экситонов, γ — коэффициент рекомбинации, который определяется подвижностью экситонов и радиусом их взаимодействия.
Оже-рекомбинация уменьшает квантовый выход возбуждённого кристалла.
Примечания
[править | править код]- ↑ Richard Stevenson (2009-08-01). "The LED's Dark Secret. Solid-state lighting won't supplant the lightbulb until it can overcome the mysterious malady known as "droop"" (англ.). IEEE Spectrum. Архивировано 12 декабря 2015. Дата обращения: 9 декабря 2015.
- ↑ Iveland, Justin; Martinelli, Lucio; Peretti, Jacques; Speck, James S.; Weisbuch, Claude. "Cause of LED Efficiency Droop Finally Revealed Архивная копия от 24 сентября 2015 на Wayback Machine". Physical Review Letters, 2013. Science Daily. (англ.); arxiv:1304.5469 Архивная копия от 11 августа 2014 на Wayback Machine
- ↑ Claude Weisbuch, Droop in LEDs: Origin and Solutions Архивная копия от 4 марта 2016 на Wayback Machine / DOE SSL R&D Workshop – Tampa Jan 28th, 2014
Литература
[править | править код]- Абакумов, В. Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. - Петербургский институт ядерной физики, 1997 - ISBN 5-86763-111-7 - глава 11 Оже-рекомбинация
Ссылки
[править | править код]- 3. Auger Recombination / Semiconductors and Solar Interactions - SolarWiki, University of California, Davis (англ.)
В статье не хватает ссылок на источники (см. рекомендации по поиску). |