Полупроводник n-типа

Схематическое изображение кремния с донорной примесью фосфора

Полупроводни́к n-ти́па — полупроводник, в котором основные носители заряда — электроны проводимости

Для того чтобы получить полупроводник n-типа, собственный полупроводник легируют донорами. Обычно это атомы, которые имеют на валентной оболочке на один электрон больше, чем у атомов полупроводника, который легируется. При не слишком низких температурах электроны со значительной вероятностью переходят с донорных уровней в зону проводимости, где их состояния делокализованы и они могут вносить вклад в электрический ток.

Число электронов в зоне проводимости зависит от концентрации доноров, энергии донорных уровней, ширины запрещенной зоны полупроводника, температуры, эффективной плотности уровней в зоне проводимости.

Обычно легирование проводится до уровня 10¹³−10¹⁹ доноров в см³. При высокой концентрации доноров полупроводник становится вырожденным.

См. также

• p-n-переход
• Полупроводник p-типа

Литература

• Горелик С. С., Дашевский В. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков: Учебник для вузов. — М.: МИСИС, 2003. — 480 с. — ISBN 5-87623-018-7.