Полупроводник n-типа

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Схематическое изображение кремния с донорной примесью фосфора

Полупроводники n-типа — полупроводник, в котором основные носители заряда — электроны проводимости.

Для того чтобы получить полупроводник n-типа, собственный полупроводник легируют донорами. Обычно это атомы, которые имеют на валентной оболочке на один электрон больше, чем у атомов полупроводника, который легируется. При не слишком низких температурах электроны и со значительной вероятностью переходят с донорных уровней в зону проводимости, где их состояния делокализованы и они могут вносить вклад в электрический ток.

Число электронов в зоне проводимости зависит от концентрации доноров, энергии донорных уровней, ширины запрещенной зоны полупроводника, температуры, эффективной плотности уровней в зоне проводимости.

Обычно легирование проводится до уровня 1013−1019 доноров в см3. При высокой концентрации доноров полупроводник становится вырожденным.

См. также[править | править вики-текст]