Сурис, Роберт Арнольдович

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Роберт Арнольдович Сурис
Дата рождения 31 декабря 1936(1936-12-31) (83 года)
Место рождения Москва
Страна  СССР Россия
Научная сфера физика твёрдого тела, микроэлектроника
Место работы ФТИ им. А. Ф. Иоффе
Альма-матер Московский институт стали и сплавов
Учёная степень доктор физико-математических наук (1974)
Учёное звание академик РАН (2006)
Научный руководитель В. Л. Бонч-Бруевич
Награды и премии
В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Сурис.

Ро́берт Арно́льдович Су́рис (род. 31 декабря 1936, Москва) — советский и российский физик, доктор физико-математических наук, академик РАН (2006). Заведует лабораторией ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН.

Область научных интересов: теория твёрдого тела и полупроводников, теория твердотельных приборов и микроэлектронная технология, статистическая механика и фазовые переходы.

Биография[править | править код]

Сын известного архитектора Арнольда Суриса.

С отличием окончил физико-химический факультет МИСиСа (1960).

В 1964 году защитил диссертацию на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук, в 1974 году — диссертацию на соискание учёной степени доктора физико-математических наук.

Работал в НИИ «Пульсар» (Москва) и НИИ физических проблем (Зеленоград). С 1988 года заведует лабораторией, затем сектором теоретических основ микроэлектроники в Физико-техническом институте РАН.

30 мая 1997 года избран членом-корреспондентом РАН, 25 мая 2006 года избран действительным членом РАН по Отделению физических наук.

Профессор, заведующий кафедрой физики твёрдого тела СПбПУ (1989—2012), с 2011 года заведует кафедрой физики конденсированного состояния Санкт-Петербургского академического университета.

Член редколлегий «Журнала технической физики», «Писем в Журнал технической физики» и журнала «Микроэлектроника». Член Президиума СПбНЦ РАН.

Был женат на дочери физика Б. Н. Финкельштейна (1902—1962)[1].

Научная деятельность[править | править код]

Специалист по физике твердотельных наноструктур, физике полупроводников и физическим основам твердотельной электроники. Совместно с Р. Ф. Казариновым разработал теорию электрических и оптических свойств полупроводниковых сверхрешёток, выдвинул идеи и разработал теории каскадных лазеров на основе полупроводниковых сверхрешёток, гетеролазеров с распределённой обратной связью. Развил теорию лазеров на квантовых точках.

Создал теорию пограничных состояний в полупроводниковых гетероструктурах и в структуре металл — оксид — полупроводник. Предсказал существование в плазме полупроводников волн перезарядки ловушек, определяющих свойства ИК-фотоприёмников и фоторефрактивных сред, и создал их теорию. Развил теорию фликкер-шумов в эпитаксиальных плёнках высокотемпературных сверхпроводников, теорию коллективных эффектов и многочастичных электронно-дырочных комплексов в наноструктурах и процессов эпитаксиального роста таких струтур.

Имеет более 3000 цитирований своих работ, опубликованных в реферируемых журналах. Индекс Хирша — 28[2].

Награды[править | править код]

Примечания[править | править код]

Ссылки[править | править код]