BSIM4
BSIM4 — новое поколение физических моделей транзисторов, с расширенными возможностями. Моделирует планарные МОП-транзисторы, изготовленные по техпроцессам порядка 100 нм и более тонким. Примеры физических моделей: BSIM3 (BSIM4), EKV, HSPICE Level 28. BSIM4 появился в 2000 году[1].
Новые возможности BSIM4
[править | править код]В 2004 году университет Berkeley представил BSIM4 Version 4.0 с новыми возможностями.
- Подвижная модель, которая объясняет эффект Кулоновского рассеивания, так же как зависимость длины канала подвижности вследствие сильного легирования.
- Расширенная модель сопротивления подложки (rbodyMod = 2), у которой увеличена длина и ширина канала, и количество контактов.
- Параметры сопротивления затвора, XGW, NGCON, который теперь могут быть заданы как отдельные параметры (XGL все ещё, моделируемый параметр).
- Дополнительная температурные свойства параметров модели :VOFF, VFBSDOFF.
- Новый параметр DELVTO, который может использоваться, чтобы показывать изменение порогового напряжения.
- Новая технология компактного размещения, увеличивает количество каналов связи, повышая производительность модели.
- Гибкая подложка сопротивления цепи для RF (радиочастотного) моделирования.
- Новая точная модель теплового шума и его распределения для вынужденного шума затвора.
- Не-квази-статичная (NQS) модель, включающая стабильное RF (радиочастотное) моделирование и AC моделирование, вычисляющая (NQS) эффект в ёмкостном сопротивлении.
- Точная модель прямого туннелирования затвора для многих уровней диэлектриков затвора.
- Обширная и гибкая геометрия паразитных моделей для различных подключений и устройств с большим количеством контактов.
- Улучшенная модель эффекта объёмного заряда рассеивания.
- Более точная и мобильная модель для прогнозируемого моделирования.
- Расширенные диодные характеристики для подключений.
- Полупроводниковый стабилитрон с и без ограничения тока.
- Диэлектрическая проницаемость диэлектриков затвора являются параметрами модели.
- Комплексная модель насыщения тока, включающая все механизмы регулирования и ограничения по скорости насыщения тока.
Примечания
[править | править код]- ↑ Архивированная копия . Дата обращения: 7 августа 2017. Архивировано из оригинала 7 августа 2017 года.
Ссылки
[править | править код]- https://web.archive.org/web/20061113195732/http://www-device.eecs.berkeley.edu/~bsim3/bsim4.html
- http://eesof.tm.agilent.com/pdf/rf_cmos_Thomas.pdf
- https://web.archive.org/web/20070929060550/http://kvmg.org/adms.php adms код генератор, Ngspice, zspice, bsim4.va (BSIM4.3.0 Verilog-A model)
- http://www.kit-e.ru/assets/files/pdf/2004_07_26.pdf, http://kit-e.ru/assets/files/pdf/2004_08_56.pdf