LOCOS

LOCOS, сокращение от LOCal Oxidation of Silicon, «локальное окисления кремния» — микротехнологический процесс, в котором диоксид кремния формируется в выбранной зоне на кремниевой подложке, имеющей Si—SiO₂ структуру в более низкой точке, чем остальная поверхность кремния.

Эта технология была разработана чтобы изолировать МОП-транзисторы друг от друга.

Основная цель заключается в создании изоляционной структуры оксида кремния, которая проникает под поверхность пластины, так что Si—SiO₂ структура проходит по более низкой точке, чем остальная часть поверхности кремния. Для этого используется термическое оксидирование выбранных мест вокруг транзисторов. Кислород, проникая в глубь пластины, взаимодействует с кремнием и превращает его в оксид кремния. Таким образом изолирующий барьер ограничивает транзистор от перекрестных помех.