Таиров, Юрий Михайлович: различия между версиями

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Интерактивная навигация по истории
[непроверенная версия][непроверенная версия]
← Предыдущая правкаСледующая правка →
Содержимое удалено Содержимое добавлено
ВизуальныйВики-текст
Метка: редактор вики-текста 2017
Строка 9: Строка 9:
Проректор по научной работе (1970—1988). С 1976 г. был профессором кафедры диэлектриков и полупроводников. Читает курсы «Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов», «Проблемы современной электроники», «Технология полупроводниковых приборов и интегральных микросхем» и др.
Проректор по научной работе (1970—1988). С 1976 г. был профессором кафедры диэлектриков и полупроводников. Читает курсы «Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов», «Проблемы современной электроники», «Технология полупроводниковых приборов и интегральных микросхем» и др.


Таиров теоретически обобщил и решил проблему физико-химических основ выращивания политипной структуры ряда широкозонных полупроводников и управления ею, разработал метод выращивания объемных кристаллов полупроводникового [[карбид кремния|карбида кремния]] различных политипных модификаций («метод ЛЭТИ»), широко используемый для промышленного производства слитков карбида кремния ведущими фирмами мира.
Таиров теоретически обобщил и решил проблему физико-химических основ выращивания политипной структуры ряда широкозонных полупроводников и управления ею, разработал метод выращивания объемных кристаллов полупроводникового [[карбид кремния|карбида кремния]] различных политипных модификаций («метод ЛЭТИ»), широко используемый для промышленного производства слитков карбида кремния ведущими фирмами мира<ref name="SiC">{{cite book|first=|last=|title=International School on Crystal Growth of Technologically Important Electronic Materials|editor=K. Byrappa et al.|publisher=Allied Publishers PVT. Limited|year= 2003|isbn= 81-7764-375-4}}</ref>,<ref name="SiC2">{{cite book|first=|last=|title=SiC Power Materials: Devices and Applications|editor=Zhe Chuan Feng|publisher=Springer|year= 2004|isbn= 978-3-642-05845-5}}</ref>.


Автор более 300 научных трудов, в том числе 5 монографий, 2 учебников, более 70 авторских свидетельств. Один из создателей Центра микротехнологий и диагностики ЛЭТИ. Член Международного комитета по карбиду кремния, председатель и член программных комитетов отечественных и зарубежных конференций по широкозонным полупроводникам, член научного совета по физике полупроводников РАН, член редколлегии журналов «ФТП», «Электроника», «Материалы электронной техники» и др.
Автор более 300 научных трудов, в том числе 5 монографий, 2 учебников, более 70 авторских свидетельств. Один из создателей Центра микротехнологий и диагностики ЛЭТИ. Член Международного комитета по карбиду кремния, председатель и член программных комитетов отечественных и зарубежных конференций по широкозонным полупроводникам, член научного совета по физике полупроводников РАН, член редколлегии журналов «ФТП», «Электроника», «Материалы электронной техники» и др.

Версия от 20:37, 18 декабря 2019

Юрий Михайлович Таиров
Дата рождения 1 ноября 1931(1931-11-01)
Место рождения
Дата смерти 14 декабря 2019(2019-12-14) (88 лет)
Страна
Место работы
Альма-матер
Учёная степень доктор технических наук
Награды и премии
орден Почёта орден Трудового Красного Знамени орден «Знак Почёта»
заслуженный деятель науки и техники РСФСР
В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Таиров.

Юрий Михайлович Таиров (1 ноября 1931, Псков — 14 декабря 2019[1]) — специалист в области физики и технологии широкозонных полупроводников и электронных приборов на их основе. Доктор технических наук (1975), профессор (1977).

Биография

Поступил в ЛЭТИ в 1950 г., но вскоре в 1951 г. был сослан в Казахстан как сын «врага народа» (отец Михаил Алексеевич Таиров арестован в 1949 г. по так называемому «ленинградскому делу», реабилитирован в 1954 г.). В 1953 г., после смерти Сталина, был реабилитирован и восстановлен в качестве студента в ЛЭТИ. В 1959 г. окончил кафедру «Диэлектрики и полупроводники» и получил диплом инженера. С этого года работал на кафедре диэлектриков и полупроводников (теперь кафедра микро- и наноэлектроники) в должности старшего инженера проблемной лаборатории электрофизических процессов в диэлектриках и полупроводниках. В 1959/1960 учебном году стажировался в Калифорнийском университете (Беркли, США). Там Таиров познакомился с достижениями зарубежных ученых, прослушал курсы квантовой механики, физики твердого тела, теории полупроводников. По возвращении стал заниматься синтезом монокристаллического карбида кремния и в 1963 г. успешно защитил кандидатскую, а в 1975 г. — докторскую диссертации по этой тематике. В 1964-65 м гг. был ассистентом кафедры, в 1965—1975 г. — доцентом.

Проректор по научной работе (1970—1988). С 1976 г. был профессором кафедры диэлектриков и полупроводников. Читает курсы «Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов», «Проблемы современной электроники», «Технология полупроводниковых приборов и интегральных микросхем» и др.

Таиров теоретически обобщил и решил проблему физико-химических основ выращивания политипной структуры ряда широкозонных полупроводников и управления ею, разработал метод выращивания объемных кристаллов полупроводникового карбида кремния различных политипных модификаций («метод ЛЭТИ»), широко используемый для промышленного производства слитков карбида кремния ведущими фирмами мира[2],[3].

Автор более 300 научных трудов, в том числе 5 монографий, 2 учебников, более 70 авторских свидетельств. Один из создателей Центра микротехнологий и диагностики ЛЭТИ. Член Международного комитета по карбиду кремния, председатель и член программных комитетов отечественных и зарубежных конференций по широкозонным полупроводникам, член научного совета по физике полупроводников РАН, член редколлегии журналов «ФТП», «Электроника», «Материалы электронной техники» и др.

Награды

Заслуженный деятель науки и техники РФ (1992), Заслуженный профессор ЛЭТИ, Почетный доктор Новгородского госуниверситета. Соросовский профессор (1997—2001). Орден Трудового Красного Знамени, орден Почета. Медали.

Труды

  • Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов: Учебник. М.: Высшая школа, 1983, 1990, 2002
  • Технология полупроводниковых приборов: М.: Высшая школа, 1984

Литература

  • Лабиринты памяти: Альманах / Под общ. ред. В. В. Лучинина. СПб.: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2011. 304 с.
  • Выдающиеся выпускники и деятели Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» имени В. И. Ульянова (Ленина). 1886—2006: биографический справочник / под ред. Д. В. Пузанкова. СПб: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2006. 350 с. ISBN 5-7629-0721-X
  • Газета «Электрик». Ноябрь 2011. № 16 (3096) (посвящён 65-летию кафедры микро- и наноэлектроники).

Примечания

  1. ↑ Некролог
  2. ↑ International School on Crystal Growth of Technologically Important Electronic Materials / K. Byrappa et al.. — Allied Publishers PVT. Limited, 2003. — ISBN 81-7764-375-4.
  3. ↑ SiC Power Materials: Devices and Applications / Zhe Chuan Feng. — Springer, 2004. — ISBN 978-3-642-05845-5.
Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Таиров,_Юрий_Михайлович&oldid=104011997