Карбид кремния

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Карбид кремния
Siliciumcarbid.jpg
Карбид кремния
Общие
Хим. формула SiC
Физические свойства
Состояние кристаллы, друзы или кристаллические порошки от прозрачного белого, желтого, зеленого или темно-синего до чёрного цветов, в зависимости от чистоты, дисперсности, аллотропных и политипных модификаций.
Молярная масса 40.0962 г/моль
Плотность 3.21[1]
Термические свойства
Т. плав. (с разл.) 2730 °C
Химические свойства
Растворимость в воде нерастворим
Растворимость в кислотах нерастворим
Оптические свойства
Показатель преломления 2.55[2]
Классификация
Рег. номер CAS 409-21-2
PubChem 9863
Рег. номер EINECS 206-991-8
SMILES
RTECS VW0450000
ChemSpider 9479
Безопасность
Токсичность
NFPA 704.svg
Приводятся данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иного.

Карби́д кре́мния (карбору́нд) — бинарное неорганическое химическое соединение кремния с углеродом. Химическая формула SiC. В природе встречается в виде чрезвычайно редкого минерала — муассанита. Порошок карбида кремния был получен в 1893 году. Используется как абразив, полупроводник, для имитирующих алмаз вставок в дешёвые ювелирные украшения.

Открытие и начало производства[править | править вики-текст]

Повторение эксперимента Г. Д. Раунда

О ранних, несистематических и часто непризнанных синтезах карбида кремния сообщали Деспретз (1849), Марсден (1880) и Колсон (1882 год)[3]. Широкомасштабное производство начал Эдвард Гудрич Ачесон в 1893. Он запатентовал метод получения порошкообразного карбида кремния 28 февраля 1893[4]. Ачесон также разработал электрическую печь, в которой карбид кремния создаётся до сих пор. Он основал компанию The Carborundum Company для производства порошкообразного вещества, которое первоначально использовалось в качестве абразива[5].

Исторически первым способом использования карбида кремния было использование в качестве абразива. За этим последовало применение и в электронных устройствах. В начале XX века карбид кремния использовался в качестве детектора в первых радиоприемниках[6]. В 1907 году Генри Джозеф Раунд создал первый светодиод, подавая напряжение на кристаллы SiC и наблюдая за желтым, зеленым и оранжевым излучением на катоде. Эти эксперименты были повторены О. В. Лосевым в СССР в 1923 году[7].

Формы нахождения в природе[править | править вики-текст]

Монокристалл муассанита (~1 мм в размере)

Природный карбид кремния — муассанит можно найти только в ничтожно малых количествах в некоторых типах метеоритов и в месторождениях корунда и кимберлита. Практически любой карбид кремния, продаваемый в мире, в том числе и в виде муассанитового украшения, является синтетическим. Природный муассанит был впервые обнаружен в 1893 году в качестве небольшого включения в метеорите Каньон Диабло в Аризоне Фердинандом Анри Муассаном, в честь которого и был назван минерал в 1905 году[8]. Исследование Муассана о естественном происхождении карбида кремния было изначально спорным, потому что его образец мог быть загрязнён крошкой карбида кремния от пилы (в то время пилы уже содержали данное вещество)[9].

Хоть карбид кремния и является редким веществом на Земле, однако, он широко распространён в космосе. Это вещество распространено в пылевых облаках вокруг богатых углеродом звёзд, также его много в первозданных, не подверженных изменениям, метеоритах, почти исключительно, в форме бета-полиморфа. Анализ зёрен карбида кремния, найденных в Мерчисонском углеродистом хондритовом метеорите, выявил аномальное изотопное соотношение углерода и кремния, что указывает на происхождение данного вещества за пределами Солнечной системы: 99 % зёрен SiC образовалось около богатых углеродом звёзд, принадлежащих к асимптотической ветви гигантов[10]. Карбид кремния можно часто обнаружить вокруг таких звезд по их ИК-спектрам[11].

Производство[править | править вики-текст]

Из-за редкости нахождения в природе муассанита, карбид кремния, как правило, имеет искусственное происхождение. Простейшим способом производства является спекание кремнезема с углеродом в графитовой электропечи Ачесона при высокой температуре 1600—2500 °C:

~\mathsf{SiO_2 + 3C \xrightarrow{1600-2500^oC} SiC + 2CO}
Синтетические кристаллы SiC ~ 3 мм в диаметре

Чистота карбида кремния, образующегося в печи Ачесона, зависит от расстояния до графитового резистора в ТЭНе.

Кристаллы высокой чистоты бесцветного, бледно-жёлтого и зелёного цвета находятся ближе всего к резистору. На большем расстоянии от резистора цвет изменяется на синий или черный из-за примесей. Загрязнителями чаще всего являются азот и алюминий, они влияют на электропроводность полученного материала[12].

Кристаллы карбида кремния, полученные благодаря процессу Лели

Чистый карбид кремния можно получить с помощью так называемого процесса Лели[13], в котором порошкообразный SiC возгоняется в атмосфере аргона при 2500 °C и осаждается на более холодной подложке в виде чешуйчатых монокристаллов размерами до 2×2 см. Этот процесс дает высококачественные монокристаллы, в основном состоящие из 6H-SiC фазы (это связано с высокой температурой роста). Улучшенный процесс Лели при участии индукционного нагрева в графитовых тиглях дает еще большие монокристаллы до 10 см в диаметре[14]. Кубический SiC, как правило, выращивается с помощью более дорогостоящего процесса — химического осаждения паров[12][15].

Чистый карбид кремния также может быть получен путем термического разложения полимера полиметилсилана (SiCH3)n, в атмосфере инертного газа при низких температурах. Относительно CVD-процесса метод пиролиза более удобен, поскольку из полимера можно сформировать изделие любой формы перед запеканием в керамику[16][17][18][19].

Структура и свойства[править | править вики-текст]

Известно примерно 250 кристаллических форм карбида кремния[20]. Полиморфизм SiC характеризуется большим количеством схожих кристаллических структур, называемых политипами. Они являются вариациями одного и того же химического соединения, которые идентичны в двух измерениях, но отличаются в третьем. Таким образом, их можно рассматривать как слои, сложенные в стопку в определённой последовательности[21].

Альфа-карбид кремния (α-SiC) является наиболее часто встречающимся полиморфом. Эта модификация образуется при температуре свыше 1700 °C и имеет гексагональную решётку, кристаллическая структура типа вюрцита.

Бета-модификация (β-SiC), с кристаллической структурой типа цинковой обманки (аналог структуры алмаза), образуется при температурах ниже 1700 °C[22]. До недавнего времени бета-форма имела сравнительно небольшое коммерческое использование, однако, в настоящее время в связи с использованием его в качестве гетерогенных катализаторов интерес к ней увеличивается. Нагревание бета-формы до температур свыше 1700°С способно приводить к постепенному переходу кубической бетаформы в гексагональную (2Н,4Н,6Н,8Н) и ромбичекую (15R).[23] При повышении температуры и времени процесса все образующиеся формы переходят в конечном итоге в гексагональный альфа-политип 6Н.[24]

Свойства основных политипов карбида кремния[25][26]
Политип 3C (β) 4H 6H (α)
Кристаллическая структура Цинковая обманка (кубич.) Гексагональная Гексагональная
Пространственная группа ~\mathsf{T^2_d-F43m} ~\mathsf{C^4_{6v}-P6_3mc} ~\mathsf{C^4_{6v}-P6_3mc}
Символ Пирсона ~\mathsf{cF8} ~\mathsf{hP8} ~\mathsf{hP12}
Постоянные решётки (Å) ~4.3596 ~3.0730; 10.053 ~3.0810; 15.12
Плотность (г/см³) 3.21 3.21 3.21
Ширина запрещенной зоны (эВ) 2.36 3.23 3.05
МОС (ГПа) 250 220 220
Теплопроводность (Вт/(см·К)) 3.6 3.7 4.9

Чистый карбид кремния бесцветен. Его оттенки от коричневого до черного цвета связаны с примесями железа. Радужный блеск кристаллов обусловливается тем, что при контакте с воздухом на их поверхности образуется плёнка из диоксида кремния, что приводит к пассивированию внешнего слоя.

Карбид кремния является весьма инертным химическим веществом: практически не взаимодействует с большинством кислот, кроме ортофосфорной кислоты. Способен выдерживать нагревание на открытом воздухе до температур порядка 1500°С. Карбид кремния не плавится при любом известном давлении, но способен сублимировать при температурах свыше 1700°С. Высокая термическая устойчивость карбида кремния делает его пригодным для создания подшипников и частей оборудования для высокотемпературных печей.

Существует большой интерес в использовании данного вещества в качестве полупроводникового материала в электронике, где его высокая теплопроводность, высокое электрическое напряжение пробоя и высокая плотность электрического тока делают его перспективным материалом для высокомощных устройств[27], в том числе при создании сверхмощных светодиодов. Карбид кремния имеет очень низкий коэффициент теплового расширения (4,0·10−6K) и в достаточно широком температурном диапазоне эксплуатации он не испытывает фазовых переходов (в том числе фазовых переходов второго рода), из-за которых может произойти разрушение монокристаллов[12].

Электропроводность[править | править вики-текст]

Карбид кремния является полупроводником, тип проводимости которого зависит от примесей. Проводимость n-типа получается при легировании азотом или фосфором, а p-тип — с помощью алюминия, бора, галлия или бериллия[2]. Металлическая проводимость была достигнута за счет сильного легирования бором, алюминием и азотом.

Сверхпроводимость была обнаружена в политипах 3C-SiC:Al, 3C-SiC:B и 6H-SiC:B при одинаковой температуре — 1,5 К[28].

Физические свойства[править | править вики-текст]

Карбид кремния является твердым, тугоплавким веществом. Кристаллическая решетка аналогична решетке алмаза. Является полупроводником.[29]

Химические свойства[править | править вики-текст]

Карбид кремния является единственным бинарным соединением, образуемым элементами IV группы Периодической таблицы элементов Д.И,Менделеева. По типу химической связи карбид кремния относится к ковалентным кристаллам. Доля ионной связи, обусловленной некоторым различием в электроотрицательностях атомов Si и C, не превышает 10-12%. Энергия ковалентной связи между атомами кремния и углерода в кристаллах SiC почти в три раза превышает энергию связи между атомами в кристаллах кремния. Благодаря сильным химическим связям карбид кремния выделяется среди других материалов высокой химической и радиационной стойкостью, температурной стабильностью физических свойств, большой механической прочностью и высокой твердостью. В инертной атмосфере карбид кремния разлагается только при очень высокой температуре:

~\mathsf{SiC \ \xrightarrow{2830^\circ C} \ Si + C}

Сильно перегретый пар разлагает карбид кремния:

~\mathsf{SiC + 2H_2O \ \xrightarrow{1300^\circ C} \ SiO_2 + CH_4}

Концентрированные окисляющие кислоты и их смеси растворяют карбид кремния:

~\mathsf{3SiC + 8HNO_3 \longrightarrow 3SiO_2 + 3CO_2 + 8NO + 4H_2O}
~\mathsf{3SiC + 18HF + 8HNO_3 \longrightarrow 3H_2[SiF_6] + 3CO_2 + 8NO + 10H_2O}

В присутствии кислорода щёлочи растворяют карбид кремния:

~\mathsf{3SiC + 4NaOH + O_2 \longrightarrow Na_4SiO_4 + 3C + 2H_2O}
~\mathsf{SiC + 4NaOH + 2O_2 \ \xrightarrow{350^oC} \ Na_2SiO_3 + Na_2CO_3 + 2H_2O}

При нагревании реагирует с кислородом:

~\mathsf{2SiC + 3O_2 \ \xrightarrow{950-1700^\circ C} \ 2SiO_2 + 2CO }
с галогенами:
~\mathsf{SiC + 2Cl_2 \ \xrightarrow{600-1200^\circ C} \ SiCl_4 + C }
с азотом, образуя нитрид кремния:
~\mathsf{6SiC + 7N_2 \ \xrightarrow{1000-1400^\circ C} \ 2Si_3N_4 + 3C_2N_2 }
с активными металлами:
~\mathsf{2SiC + 5Mg \ \xrightarrow{700^\circ C} \ 2Mg_2Si + MgC_2 }
и их пероксидами:
~\mathsf{SiC + 4Na_2O_2 \ \xrightarrow{700-800^\circ C} \ Na_2SiO_3 + Na_2CO_3 + 2Na_2O }

Применение[править | править вики-текст]

Абразивные и режущие инструменты[править | править вики-текст]

Режущие диски из карбида кремния

В современной гранильной мастерской карбид кремния является популярным абразивом из-за его прочности и низкой стоимости. В обрабатывающей промышленности из-за его высокой твердости он используется в абразивной обработке в таких процессах как шлифование, хонингование, водоструйная резка и пескоструйная обработка. Частицы карбида кремния ламинируются на бумагу для создания шлифовальной шкурки[32].

Суспензии мелкодисперсных порошков карбида кремния в масле, глицерине или этиленгликоле используются в процессе проволочной резки полупроводниковых монокристаллов на пластины.

В 1982 году случайно был обнаружен композит, состоящий из оксида алюминия и карбида кремния, кристаллы которого растут в виде очень тонких нитей [33].

Конструкционные материалы[править | править вики-текст]

Карбид кремния используется в качестве лицевого слоя композитной секции противопулевого бронежилета

Карбид кремния наряду с карбидом вольфрама и другими износостойкими материалами применяется для создания торцевых механических уплотнений.

В 1980-х и 1990-х годах карбид кремния исследовался в нескольких научно-исследовательских программах разработки высокотемпературных газовых турбин в США, Японии и Европе. Планировалось, что разработаные компоненты из карбида кремния заменят рабочие и сопловые лопатки турбин из никелевых жаропрочных сплавов. Тем не менее, ни один из этих проектов не привел к промышленному производству, в основном из-за низкого сопротивления ударным нагрузкам и низкой вязкости разрушения карбида кремния[34].

Подобно другим высокотвердым керамическим материалам (оксид алюминия и карбид бора), карбид кремния используется как компонент композитной брони, применяемой для защиты вооружения и военной техники, а также в виде составного элемента слоистой брони керамика/органопластик противопульных жилетов. В бронежилете «Кожа дракона», созданном компанией Pinnacle Armor, используются диски из карбида кремния[35].

Автомобильные запчасти[править | править вики-текст]

Углерод-керамические (карбид кремния) дисковые тормоза Porsche Carrera GT

Инфильтрованый кремний в материале «композит углерод-углерод» используется для производства высококачественных «керамических» дисковых тормозов, так как способен выдерживать экстремальные температуры. Кремний вступает в реакцию с графитом в «композите углерод-углерод», становясь армированным углеродным волокном карбида кремния (C/SiC). Диски из этого материала используются на некоторых спортивных автомобилях, в том числе Porsche Carrera GT, Bugatti Veyron, Chevrolet Corvette ZR1, Bentley, Ferrari, Lamborghini[36]. Карбид кремния используется также в спеченных формах в дизельных фильтрах для очистки от твердых частиц[37].

Электроника и электротехника[править | править вики-текст]

Первыми электрическими устройствами из SiC были нелинейные элементы варисторы и вентильные разрядники (смотри также: тирит, вилит, лэтин,силит )для защиты электроустановок от перенапряжений. Карбид кремния в разрядниках применяется в виде материала вилита — смеси SiC и связующего. Также на основе карбида кремния делают варисторы. Эти элементы должны были обладать высоким сопротивлением до тех пор пока напряжение на них не достигнет определенного порогового значения VT, после чего их сопротивление должно упасть до более низкого уровня и поддерживать этот уровень, пока приложенное напряжение падает ниже VT[38].

Электронные приборы[править | править вики-текст]

Карбид кремния используется в сверхбыстрых высоковольтных диодах Шоттки, N-МОП-транзисторах и в высокотемпературных тиристорах[39]. По сравнению с приборами на основе кремния и арсенида галлия приборы из карбида кремния имеют следующие преимущества:

  • в несколько раз большая ширина запрещённой зоны;
  • в 10 раз большая электрическая прочность;
  • высокие допустимые рабочие температуры (до 600 °C);
  • теплопроводность в 3 раза больше, чем у кремния, и почти в 10 раз больше, чем у арсенида галлия;
  • устойчивость к воздействию радиации;
  • стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.

Из почти двухсот пятидесяти модификаций карбида кремния только две применяются в полупроводниковых приборах — 4H-SiC и 6H-SiC.

Проблемы с интерфейсом элементов основанных на диоксиде кремния препятствуют развитию N-МОП-транзисторов и IGBT, основанных на карбидокремнии. Другая проблема заключается в том, что сам SiC пробивается при высоких электрических полях в связи с образованием цепочек дефектов упаковки, но эта проблема может быть решена совсем скоро[40].

История светодиодов из SiC весьма примечательна: впервые свечение в SiC было обнаружено Х. Роундом в 1907 году. Первые коммерческие светодиоды были также на основе карбида кремния. Желтые светодиоды из 3C-SiC были изготовлены в Советском Союзе в 1970-х годах[41], а синие (из 6H-SiC) по всему миру в 1980-х[42]. Производство вскоре остановилось, потому что нитрид галлия показал в 10-100 раз более яркую эмиссию. Эта разница в эффективности связана с неблагоприятной непрямой запрещенной зоной SiC, в то время как нитрид галлия имеет прямую запрещенную зону, которая способствует увеличению интенсивности свечения. Тем не менее, SiC по прежнему является одним из важных компонентов светодиодов — это популярная подложка для выращивания устройств из нитрида галлия, также он служит теплораспределителем в мощных светодиодах[42].

Астрономия и точная Оптика[править | править вики-текст]

Жесткость, высокая теплопроводность и низкий коэффициент теплового расширения делают карбид кремния термостабильным материалом в широком диапазоне рабочих температур. Это обуславливает широкое применение карбидкремниевых мартиц для изготовления зеркальных элементов в различных оптических системах, например в астрономических телескопах или в системах передачи энергии с использованием лазерного излучения. Развитие технологий (химическое осаждение паров) позволяет создавать диски из поликристаллического карбида кремния до 3,5 метров в диаметре. Заготовки зеркал могут формироваться различными методами, включая прессование чистого мелкого порошка карбида кремния под высоким давлением. Несколько телескопов, например Gaia, уже оснащены оптикой из карбида кремния, покрытого серебром[43][44].

Пирометрия[править | править вики-текст]

Изображения теста пирометрии. Высота пламени 7 см

Волокна из карбида кремния используются для измерения температуры газов оптическим методом, называемым тонкой пирометрией накаливания. При измерении тонкие нити (диаметр 15 мкм) из карбида кремния вводят в зону измерения. Волокна практически не влияют на процесс горения, а их температура близка к температуре пламени. Таким методом может быть измерена температура в диапазоне 800—2500 K[45][46].

Нагревательные элементы[править | править вики-текст]

Первые упоминания об использовании карбида кремния для изготовления нагревательных элементов относятся к началу 20-го века, когда они были изготовлены The Carborundum Company в США и EKL в Берлине[источник не указан 239 дней].

В настоящее время карбид кремния является одним из типичных материалов для изготовления нагревательных элементов, способных работать при температурах до ~800°С на воздухе и до ~1400°С в нейтральной или восстановительной среде[источник не указан 239 дней], что заметно выше чем доступно для многих металлических нагревателей[источник не указан 239 дней].

Нагревательные элементы из карбида кремния используются при плавлении цветных металлов и стекла, при термической обработке металлов, флоат-стекла, при производстве керамики, электронных компонентов и т. д.[47]

Ядерная энергетика[править | править вики-текст]

Благодаря высокой устойчивости к воздействию внешних неблагоприятных факторов, включая природные, высокой прочности и твердости, низкому коэффициенту термического расширения и низкому коэффициенту диффузии примесей и продуктов деления реакционноспечённый карбид кремния нашёл применение в ядерной энергетике[48].

Карбид кремния, наряду с другими материалами, используется в качестве слоя из триструктурально-изотропного покрытия для элементов ядерного топлива в высокотемпературных реакторах, в том числе в газоохлаждаемых реакторах.

Из карбида кремния изготавливаются пеналы для длительного хранения и захоронения ядерных отходов.

Ювелирные изделия[править | править вики-текст]

Кольцо с синтетическим муассанитом

Чаще всего он использовался в качестве абразива, но в последнее время можно найти применение данного материала и в качестве полупроводника или как имитатор алмаза в ювелирном деле.

Как ювелирный камень карбид кремния используется в ювелирном деле: называется «синтетический муассанит» или просто «муассанит». Муассанит похож на алмаз: он прозрачен и тверд (9—9,5 по шкале Мооса, по сравнению с 10 для алмаза), с показателем преломления 2,65—2,69 (по сравнению с 2,42 для алмаза).

Муассанит имеет несколько более сложную структуру, чем обычный кубический диоксид циркония. В отличие от алмаза, муассанит может иметь сильное двулучепреломление. Это качество является желательным в некоторых оптических конструкциях, но только не в драгоценных камнях. По этой причине муассанитовые драгоценности разрезают вдоль оптической оси кристалла, чтобы свести к минимуму эффект двупреломления. Муассанит имеет более низкую плотность 3,21 г/см³ (против 3,53 г/см³ для алмаза) и гораздо более устойчив к теплу. В результате получается камень с большим блеском минерала, с четкими гранями и хорошей устойчивостью к внешним воздействиям. В отличие от алмаза, который горит при температуре 800 °C, муассанит остается неповрежденным вплоть до температуры в 1800 °C (для сравнения: 1064 °C — температура плавления чистого золота). Муассанит стал популярен как заменитель алмаза, и может быть ошибочно принят за алмаз, так как его теплопроводность гораздо ближе к алмазу, чем у любого другого заменителя бриллианта. Драгоценный камень можно отличить от алмаза с помощью его двулучепреломления и очень небольшой зелёной или жёлтой флуоресценции в ультрафиолетовом свете[49].

Производство стали[править | править вики-текст]

Карбид кремния выступает в качестве топлива для изготовления стали в конвертерном производстве. Он чище чем уголь, что позволяет сократить отходы производства. Также может быть использован для повышения температуры и регулирования содержания углерода. Использование карбида кремния стоит меньше и позволяет производить чистую сталь из-за низкого уровня содержания микроэлементов, по сравнению с ферросилицием и сочетанием с углеродом[50].

Катализатор[править | править вики-текст]

Естественная резистентность карбида кремния к окислению, а также открытие новых путей синтеза кубической формы β-SiC с большей площадью поверхности, приводит к большому интересу в использовании его в качестве гетерогенного катализатора. Эта форма уже использовалась в качестве катализатора при окислении углеводородов, таких как н-бутан, малеиновый ангидрид[51][52].

Производство графена[править | править вики-текст]

Карбид кремния используется для производства графена с помощью графитизации при высоких температурах. Это производство рассматривается как один из перспективных методов синтеза графена в больших масштабах для практических применений[53][54]. Высокая температура (1500—2000 °C) приводит к разложению карбида кремния. Кремний как более летучий элемент уходит из приповерхностных слоёв оставляя монослойный или многослойный графен, нижние из которых сильно связаны с объёмным кристалом. В качестве исходного материала используют монокристаллы 6H-SiC(0001), на поверхности которых формировались террасы графена в результате термообработки с размерами около 1 микрона, разделённые областями с несколькими слоями[55].

См. также[править | править вики-текст]

Примечания[править | править вики-текст]

  1. Patnaik, P. Handbook of Inorganic Chemicals. — McGraw-Hill, 2002. — ISBN 0070494398.
  2. 1 2 Properties of Silicon Carbide (SiC). Ioffe Institute. Архивировано из первоисточника 24 апреля 2012.
  3. Weimer, A. W. Carbide, nitride, and boride materials synthesis and processing. — Springer, 1997. — P. 115. — ISBN 0412540606.
  4. Acheson, G. (1893) U.S. Patent 492 767 «Production of artificial crystalline carbonaceous material»
  5. The Manufacture of Carborundum — a New Industry (4/7/1894).
  6. Dunwoody, Henry H.C. (1906) U.S. Patent 837 616 «Wireless telegraph system» (silicon carbide detector)
  7. Hart, Jeffrey A.; Stefanie Ann Lenway, Thomas Murtha. A History of Electroluminescent Displays. Архивировано из первоисточника 24 апреля 2012.
  8. Moissan, Henri (1904). «Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon Diablo». Comptes rendus 139: 773–86.
  9. Di Pierro S., Gnos E., Grobety B.H., Armbruster T., Bernasconi S.M., and Ulmer P. (2003). «Rock-forming moissanite (natural α-silicon carbide)». American Mineralogist 88: 1817–21.
  10. Alexander, C. M. O'D. (1990). «In situ measurement of interstellar silicon carbide in two CM chondrite meteorites». Nature 348: 715–17. DOI:10.1038/348715a0.
  11. «The Astrophysical Nature of Silicon Carbide».
  12. 1 2 3 Harris, Gary Lynn Свойства карбида кремния = Properties of silicon carbide. — United Kingdom: IEE, 1995. — 282 с. — P. 19; 170–180. — ISBN 0852968701.
  13. Lely, Jan Anthony Darstellung von Einkristallen von Silicium Carbid und Beherrschung von Art und Menge der eingebauten Verunreinigungen (нем.) // Журнал Berichte der Deutschen Keramischen Gesellschaft. — 1955. — В. 32. — С. 229—236.
  14. N.Ohtani, T.Fujimoto, T.Aigo, M.Katsuno, H.Tsuge, H.Yashiro Large high-quality silicon carbide substrates (англ.) // Nippon Steel Technical Report no. 84. — 2001.
  15. Byrappa, K.; Ohachi, T. Crystal growth technology. — Springer, 2003. — С. 180-200. — ISBN 3540003673.
  16. Pitcher, M. W.; Joray, S. J.; Bianconi, P. A. Smooth Continuous Films of Stoichiometric Silicon Carbide from Poly(methylsilyne) // журнал Advanced Materials. — 2004. — С. 706. — DOI:10.1002/adma.200306467
  17. Park, Yoon-Soo SiC materials and devices. — Academic Press, 1998. — С. 20–60. — ISBN 0127521607.
  18. Bunsell, A. R.; Piant, A. A review of the development of three generations of small diameter silicon carbide fibres // Journal of Materials Science. — 2006. — С. 823. — DOI:10.1007/s10853-006-6566-z
  19. Laine, Richard M. Preceramic polymer routes to silicon carbide. — Babonneau, Florence: Chemistry of Materials, 1993. — С. 260. — DOI:10.1021/cm00027a007
  20. Cheung, Rebecca Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments. — Imperial College Press, 2006. — С. 3. — ISBN 1860946240.
  21. Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies. — Journal of Applied Physics, 1994. — С. 1363. — DOI:10.1063/1.358463
  22. Muranaka, T. Superconductivity in carrier-doped silicon carbide : free download. — Sci. Technol. Adv. Mater., 2008. — DOI:10.1088/1468-6996/9/4/044204
  23. стр. 119-128 в "Карбид кремния" под ред. Г.Хенита и Р.Рол, пер. с англ.; М. Мир: 1972 349с., с ил.
  24. Г.Г. Гнесин "Карбидокремниевые материалы" М. Металлургия: 1977, 216с, с ил.
  25. Properties of Silicon Carbide (SiC). Ioffe Institute. Проверено 6 июня 2009. Архивировано из первоисточника 24 апреля 2012.
  26. Yoon-Soo Park, Willardson, Eicke R Weber SiC materials and devices. — Academic Press, 1998. — P. 1–18. — ISBN 0127521607.
  27. Bhatnagar, M.; Baliga, B.J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices. — IEEE Transactions on Electron Devices, Март 1993. — В. 3. — С. 645–655. — DOI:10.1109/16.199372
  28. Kriener, M. Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide (англ.) // Sci. Technol. Adv. Mater. : журнал. — 2008. — В. 9. — С. 044205. — DOI:10.1088/1468-6996/9/4/044205
  29. Важнейшие соединения кремния (рус.)(недоступная ссылка — история). Проверено 24 мая 2010. Архивировано из первоисточника 13 октября 2007.
  30. 1 2 3 4 Кремния карбид (рус.). Проверено 24 мая 2010. Архивировано из первоисточника 24 апреля 2012.
  31. А. М. Голуб Общая и неорганическая химия = Загальна та неорганична хімія. — Вища школа, 1971. — С. 227. — 443 с. — 6700 экз.
  32. Fuster, Marco A. (1997) «Skateboard grip tape», U.S. Patent 5 622 759
  33. Bansal, Narottam P. Handbook of ceramic composites. — Springer, 2005. — С. 312. — ISBN 1402081332.
  34. Ceramics for turbine engines.
  35. Dragon Skin – Most Protective Body Armor – Lightweight. Future Firepower. Архивировано из первоисточника 24 апреля 2012.
  36. Top 10 Fast Cars.
  37. O'Sullivan, D.; Pomeroy, M.J.; Hampshire, S.; Murtagh, M.J. Degradation resistance of silicon carbide diesel particulate filters to diesel fuel ash deposits // MRS proceedings. — 2004. — В. 19. — С. 2913–2921. — DOI:10.1557/JMR.2004.0373
  38. Whitaker, Jerry C. The electronics handbook. — CRC Press, 2005. — С. 1108. — ISBN 0849318890.
  39. Bhatnagar, M.; Baliga, B.J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices // IEEE Transactions on Electron Devices. — март, 1993. — В. 3. — С. 645–655. — DOI:10.1109/16.199372
  40. Madar, Roland Materials science: Silicon carbide in contention : Журнал Nature. — 2004-08-26. — В. 430. — С. 974–975. — DOI:10.1038/430974a
  41. Yellow SiC LED. Архивировано из первоисточника 24 апреля 2012.
  42. 1 2 Stringfellow, Gerald B. High brightness light emitting diodes. — Academic Press, 1997. — С. 48, 57, 425. — ISBN 0127521569.
  43. The largest telescope mirror ever put into space, European Space Agency.
  44. Petrovsky, G. T. 2.7-meter-diameter silicon carbide primary mirror for the SOFIA telescope. — Журнал Proc. SPIE. — С. 263.
  45. Thin-Filament Pyrometry Developed for Measuring Temperatures in Flames  (англ.), NASA.
  46. Maun, Jignesh D.; Sunderland, PB; Urban, DL Thin-filament pyrometry with a digital still camera // Applied Optics. — 2007. — В. 4. — С. 483. — DOI:10.1364/AO.46.000483 — PMID 17230239.
  47. Yeshvant V. Deshmukh Industrial heating: principles, techniques, materials, applications, and design. — CRC Press, 2005. — С. 383–393. — ISBN 0849334055.
  48. López-Honorato, E. TRISO coated fuel particles with enhanced SiC properties // Journal of Nuclear Materials : журнал. — 2009. — С. 219. — DOI:10.1016/j.jnucmat.2009.03.013
  49. O'Donoghue, M. Gems. — Elsevier. — 2006. — С. 89. — ISBN 0-75-065856-8.
  50. Silicon carbide (steel industry) (англ.). Архивировано из первоисточника 24 апреля 2012.
  51. Rase, Howard F. Handbook of commercial catalysts: heterogeneous catalysts. — CRC Press, 2000. — С. 258. — ISBN 0849394171.
  52. Singh, S. K.; Parida, K. M.; Mohanty, B. C.; Rao, S. B. High surface area silicon carbide from rice husk: A support material for catalysts : Reaction Kinetics and Catalysis Letters. — 1995. — С. 29. — DOI:10.1007/BF02071177
  53. de Heer, Walt A. Handbook of Nanophysics. — Epitaxial graphene: Taylor and Francis, 2010. — ISBN 1420075381.
  54. de Heer, Walt A. Epitaxial graphene // Solid State Communications. — 2007. — С. 92. — DOI:10.1016/j.ssc.2007.04.023
  55. Елецкий А. В., Искандарова И. М., Книжник А. А., Красиков Д. Н. Графен: методы получения и теплофизические свойства // УФН. — 2011. — Т. 181. — С. 227—258. — DOI:10.3367/UFNr.0181.201103a.0233

Ссылки[править | править вики-текст]