Полупроводник p-типа

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Кристаллическая решетка полупроводника р-типа.

Полупроводник p-типа — полупроводник, в котором основными носителями заряда являются дырки.

Полупроводники p-типа получают методом легирования собственных полупроводников акцепторами. Для полупроводников четвёртой группы периодической таблицы, таких как кремний и германий, акцепторами могут быть примеси химических элементов третьей группы — бор, алюминий.

Концентрация дырок в валентной зоне определяется температурой, концентрацией акцепторов, положением акцепторного уровня над верхом валентной зоны, эффективной плотностью уровней в валентной зоне.

См. также[править | править исходный текст]