Ван Сицзи

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Это старая версия этой страницы, сохранённая Tatewaki (обсуждение | вклад) в 02:50, 27 марта 2019 (→‎Биография и карьера: дополнение). Она может серьёзно отличаться от текущей версии.
Перейти к навигации Перейти к поиску
Ван Сицзи
кит. упр. 王希季, пиньинь Wáng Xījì
Ван Сицзи в 1950 году
Ван Сицзи в 1950 году
Дата рождения 26 июля 1921(1921-07-26) (102 года)
Место рождения Куньмин, провинция Юньнань
Страна  Китай
Научная сфера космическая техника
Место работы
Альма-матер Национальный юго-западный объединенный университет[en]
Учёное звание Действительный член Академии наук КНР[1]
Автограф Изображение автографа

Ван Сицзи (кит. упр. 王希季, пиньинь Wáng Xījì; род. 26 июля 1921 года в Куньмине, провинция Юньнань) — китайский учёный, специалист по возвращаемой космической технике. Участник китайской программы «Две бомбы и спутник»[en] и обладатель соответствующей награды[zh]. Действительный член Академии наук КНР по отделению техники и технологий (с 1993)[1].

Биография и карьера

Получил высшее образование на инженерном факультете Национального юго-западного объединенного университета[en], закончив его в 1942 году. В 1948-1950 годах учился в Политехническом университете Виргинии (США), закончив его со степенью магистра аэронавтики.

После возвращения в КНР преподавал в Даляньском технологическом университете и Шанхайском университете транспорта. Занимал посты главного инженера Шанхайского института механического и электрического проектирования, директора Пекинского института космических электромеханических исследований, вице-президента Китайского научно-исследовательского института космических технологий, директором Научно-технического комитета, главного инженера департамента аэрокосмической промышленности, главного конструктора национального проекта возвращаемого спутника.

Награды

Примечания

  1. 1 2 王希季  (кит.). 中国科学院院士. Проверено 24 марта 2019.