Инжекция

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Инжекция — физическое явление, наблюдаемое в полупроводниковых или гетеропереходах, при котором при пропускании электрического тока в прямом направлении через p-n-переход в прилежащих к переходу областях создаются высокие концентрации неравновесных («инжектированных») носителей заряда. Явление инжекции является следствием уменьшения высоты потенциального барьера в p-n-переходе при подаче на него прямого смещения.

Явление инжекции лежит в основе работы многих полупроводниковых приборов: диодов, биполярных транзисторов, тиристоров, инжекционно-пролетных диодов, светодиодов и полупроводниковых инжекционных лазеров.

Особенностью явления инжекции в гетеропереходах является возможность наблюдения явления суперинжекции, при котором концентрация инжектированных носителей может превышать концентрацию легирующих примесей в области, из которой идет инжекция. Это явление принципиально важно для работы полупроводниковых инжекционных лазеров.

Инжекция в p-n-переходе[править | править код]

При достаточно высокой температуре, когда примесные атомы практически полностью ионизованы, в n-области, легированной донорами с концентрацией Nd, концентрация основных носителей (электронов) равна nn ≈ Nd. Так как в невырожденном полупроводнике концентрации электронов n и дырок p связаны соотношением n·p =ni [1], где niсобственная концентрация носителей заряда, то концентрация неосновных носителей (дырок) в n-области равна  pn=ni2/ nn, причем nnnipn.

Распределение концентраций электронов и дырок в p-n-переходе при нулевом смещении U=0 (непрерывная кривая) и при положительном смещении U>0 (пунктирная кривая).

В области p-типа, легированной акцепторами с концентрацией Na, концентрация дырок равна pp ≈ Na, в то же время концентрация электронов np=ni2/ pp, при этом выполняется соотношение ppninp.

Распределение концентраций электронов и дырок в p-n-переходе в отсутствие тока показано на рисунке справа. Как видно, концентрация дырок в дырочной области pp (основные носители) постоянна и велика. В переходной области она уменьшается на много порядков и принимает малое значение pn в n-области (неосновные носители). Аналогично, концентрация электронов изменяется от большого значения nn в n-области до малой величины np в p-области.

В состоянии равновесия (при нулевом напряжении смещения) высота потенциального барьера Vbi устанавливается такой, что потоки носителей заряда, протекающие через p-n-переход в обоих направлениях, точно скомпенсированы. Например, поток электронов, движущихся из n- в p-область за счет диффузии и преодолевающих потенциальный барьер, равен потоку неосновных электронов, которые генерируются в p-области и, подходя к p-n-переходу, затягиваются электрическим полем в n-область. То же справедливо и для дырок.

Если теперь на p-n-переход подать напряжение смещения, то равновесие нарушится, потоки окажутся нескомпенсированными и через переход потечёт электрический ток. При этом значение тока будет зависеть от знака приложенного напряжения.

Рассмотрим, что будет происходить с диффузионным и дрейфовым токами, если к p-n-переходу приложить положительное внешнее смещение. При U>0  дырки из p-области устремятся в n-область, где они станут неосновными носителями. Так как pp > pn, эти дырки будут рекомбинировать с электронами. Однако вследствие конечности времени жизни дырок τp, рекомбинация произойдёт не сразу, поэтому в некоторой области за пределами перехода концентрация дырок будет оставаться больше pn. Одновременно с этим увеличится и концентрация электронов в n-области, так как дополнительные электроны войдут из электрода для компенсации объёмного заряда пришедших дырок.  Аналогичным образом электроны будут переходить в p-область, становясь там неосновными носителями, и постепенно рекомбинировать  с дырками. Поэтому и слева от перехода концентрация электронов увеличится, а также увеличится и концентрация дырок, которые войдут из левого электрода для компенсации объёмного заряда электронов.

Таким образом, инжекция заключается в увеличении концентрации носителей обоего знака по обе стороны от перехода, то есть в возникновении квазинейтральных областей повышенной проводимости.[1]

Примечания[править | править код]

  1. 1 2 Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. — Москва: Наука, 1977. — С. 174, 259.

Литература[править | править код]