Красильник, Захарий Фишелевич
Захарий Фишелевич Красильник | |
---|---|
Дата рождения | 2 ноября 1947 (77 лет) |
Место рождения | Черновцы |
Страна |
СССР Россия |
Род деятельности | физик |
Научная сфера | Физика полупроводников, полупроводниковые гетероструктуры, физика наноструктур, кремниевая оптоэлектроника |
Место работы | ИФМ РАН |
Альма-матер | Радиофак ГГУ |
Учёная степень | доктор физико-математических наук |
Учёное звание | член-корреспондент РАН |
Научный руководитель | М. И. Рабинович |
Награды и премии |
Заха́рий Фи́шелевич Краси́льник (род. 2 ноября 1947, Черновцы) — советский и российский физик, член-корреспондент РАН (2016), профессор, директор Института физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) с 2009 по 2021 г., руководитель научного направления "Физика микро- и наноструктур" Федерального исследовательского центра "Институт прикладной физики РАН" с 2021 г. , заведующий межфакультетской базовой кафедрой «Физика наноструктур и наноэлектроника» Нижегородского государственного университета (ННГУ) им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН с 2004 г.
Научные интересы лежат в области физики полупроводников и полупроводниковых гетероструктур, физики наноструктур и кремниевой оптоэлектроники. Автор более 230 научных статей, индексируемых WoS. Число цитирований научных работ ~ 1300 [1].
Биография
[править | править код]Родился в семье Фишеля Ионовича Красильника (1905—1955). В 1970 году З. Ф. Красильник окончил радиофизический факультет Горьковского государственного университета им. Н. И. Лобачевского по специальности радиофизика и поступил на работу в Научно-исследовательский радиофизический институт (г. Горький) в должности младшего научного сотрудника. В 1977 году переведен во вновь образованный Институт прикладной физики Академии наук СССР (ИПФ АН СССР, затем — ИПФ РАН), где прошел путь от младшего научного сотрудника до заместителя директора отделения физики твердого тела, заведующего отделом физики полупроводников. В 1977 году защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по теме «Взаимодействие волн в полупроводниках с дрейфом носителей заряда», научный руководитель — профессор М. И. Рабинович. В 1988 году защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук на тему «Инвертированные распределения и индуцированное циклотронное излучение дырок с отрицательными массами в полупроводниках».
С 1993 года — заместитель директора, заведующий отделом физики полупроводников Института физики микроструктур РАН, образованного в 1993 г. на базе Отделения физики твердого тела ИПФ РАН.
В 2009 году избран директором ИФМ РАН.
Научные достижения
[править | править код]Основные направления научных исследований З. Ф. Красильника связаны с физикой полупроводников и полупроводниковых гетероструктур, физикой наноструктур и кремниевой оптоэлектроникой. З. Ф. Красильником теоретически предсказаны взрывная неустойчивость акустоэлектронных волн, в том числе в условиях генерации гиперзвука светом при вынужденном рассеянии Мандельштама — Бриллюэна (1973 г.), комбинационное усиление звука в пьезополупроводниках в условиях черенковского резонанса при скоростях дрейфа меньших скорости звука (1976 г.). Одним из важнейших результатов научной деятельности З. Ф. Красильника явилось первое наблюдение индуцированной циклотронной неустойчивости тяжелых дырок германия. В результате, под руководством З. Ф. Красильника были созданы полупроводниковые мазеры с плавной перестройкой магнитным полем частоты генерации в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. За цикл работ в этом направлении З. Ф. Красильнику с соавторами в 1987 году была присуждена Государственная премия СССР в области науки и техники.
По инициативе З. Ф. Красильника в ИФМ РАН были начаты работы по молекулярно-пучковой эпитаксии и исследованию оптических свойств кремний-германиевых структур и кремниевых структур, легированных эрбием. Была развита технология роста структур с самоорганизующимися кремний-германиевыми квантовыми точками. Под руководством З. Ф. Красильника коллективом исследователей ИФМ РАН и Научно-исследовательского физико-технического института ННГУ им. Н. И. Лобачевского были получены излучающие эпитаксиальные кремниевые структуры, легированные эрбием, с уникальными свойствами излучающих центров. В кремний-германиевых структурах с квантовыми точками и в многослойных наноразмерных структурах кремний-эрбий продемонстрирована эффективная электролюминесценция в важном для телекоммуникаций диапазоне длин волн вблизи 1,5 мкм. Созданы гибридные А3В5 лазеры на искусственных Ge/Si подложках.
Педагогическая деятельность
[править | править код]- С 1989 года по 2004 год — старший преподаватель, профессор (1996) кафедры электроники радиофизического факультета ННГУ им. Н. И. Лобачевского, заведующий филиалом кафедры электроники в ИФМ РАН; руководитель специализации «Физика твердого тела» на ВШОПФ ННГУ им. Н. И. Лобачевского.
- С 2004 года — заведующий межфакультетской базовой кафедрой «Физика наноструктур и наноэлектроника» ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН.
- Под руководством З. Ф. Красильника защищены 8 диссертаций на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.
- Руководитель Ведущей научной школы РФ «Фундаментальные научные проблемы развития кремниевой оптоэлектроники и освоения терагерцового диапазона с использованием полупроводниковых наноструктур».
- Заслуженный профессор Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (2016 г.).
Публикации
[править | править код]Автор более 500 работ, опубликованных в научных журналах и материалах научных конференций.
Членство в профессиональных организациях, советах, комитетах
[править | править код]- Член Научного совета при Президиуме РАН по квантовым технологиям
- Член Научного совета РАН по проблеме «Физика полупроводников».
- Член редколлегий журналов «Успехи физических наук», «Физика и техника полупроводников», «Журнал технической физики».
- Член ряда ученых, специализированных и экспертных советов.
- Член программных и организационных комитетов ряда международных и российских научных конференций.
Награды, премии и стипендии
[править | править код]- 1987 г. — Государственная премия СССР в области науки и техники.
- 1997—2002 гг. — Государственная стипендия для выдающихся ученых России.
- 2024 г. — Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (5 февраля 2024 года) — за большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук[2].
Примечания
[править | править код]- ↑ Список российских ученых, имеющих более 100 сылок на работы опубликованные за последние 7 лет . Дата обращения: 10 февраля 2011. Архивировано 15 апреля 2009 года.
- ↑ Указ Президента Российской Федерации от 5 февраля 2024 года № 91 «О награждении государственными наградами Российской Федерации» . Дата обращения: 6 февраля 2024. Архивировано 6 февраля 2024 года.
Ссылки
[править | править код]- Профиль Захария Фишелевича Красильника на официальном сайте РАН
- З. Ф. Красильник на сайте ИФМ РАН
- З. Ф. Красильник на сайте межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника» ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН
- Булюбаш Б. Где работают нанофизики // Сайт «Наука и технологии РФ»
- Нижегородская правда, № 123 от 11.11.2010. «Из лабораторий в цеха»
- «Предприятия должны самостоятельно заказывать в ВУЗах обучение специалистов».
- Нижегородская правда, № 61 от 10.06.2010. «Нам оно нано».
- «Десять блондинок и нанопомада».
- «Нанотехнологии создаются мозгами нижегородцев». (недоступная ссылка)
- Фильм об ИФМ РАН.
- Родившиеся 2 ноября
- Родившиеся в 1947 году
- Персоналии по алфавиту
- Родившиеся в Черновцах
- Доктора физико-математических наук
- Награждённые медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени
- Лауреаты Государственной премии СССР
- Учёные по алфавиту
- Члены-корреспонденты РАН
- Физики XX века
- Физики XXI века
- Физики СССР
- Физики России
- Выпускники радиофизического факультета Нижегородского государственного университета
- Преподаватели Нижегородского государственного университета
- Сотрудники Института физики микроструктур РАН