МЦСТ-R150

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Микропроцессор МЦСТ R-150 (1891ВМ1) российской фирмы МЦСТ из серии процессоров МЦСТ-R, основанной на архитектуре SPARC, изначально разработанной в 1985 году компанией Sun Microsystems. Полностью программно совместим с архитектурой SPARC V8. Изготавливается с 2001 года. Кремниевые пластины производятся в Израиле на фабрике Tower Semiconductor, а корпусированием и тестированием процессоров занимается компания ASE[1](Тайвань).[1]

Представляет собой одноядерную систему на кристалле с встроенными кэшем первого уровня. Для связи процессоров друг с другом, с модулями памяти и устройствами ввода-вывода в архитектуре SPARC предусмотрена шина MBus — высокоскоростная шина, обеспечивающая когерентность кэш-памяти процессоров в многопроцессорных структурах. Микросхема разработана по технологическим нормам 0,35 мкм с использованием библиотек стандартных элементов.

Микропроцессор R-150 предназначен для создания ЭВМ для стационарных и встроенных решений, а также может размещаться в мезонинных микропроцессорных модулях. Используется главным образом по заказам Министерства обороны Российской Федерации.

Основные характеристики микропроцессора «R-150»[2]
Характеристики Значения
1 Технологический процесс КМОП 0,35 мкм
2 Рабочая тактовая частота 150 МГц
3 Размер слов: 32/64
4 Кэш-память команд 1-го уровня 8 Кбайт (2 way)
5 Кэш-память данных 1-го уровня 16 Кбайт (4 way)
6 Внешняя кэш-память 2-го уровня 1 Мбайт
7 Пропускная способность шин связи с кэш памятью 2-го уровня 1,2 Гбайт/с
8 Пропускная способность шины MBus 0,4 Гбайт/с
9 Площадь кристалла 100 мм²
10 Количество транзисторов 2,8 млн
11 Количество слоев металла 4
12 Тип корпуса / количество выводов BGA / 480
13 Напряжение питания 3,3 В
14 Рассеиваемая мощность <4 Вт

Примечания[править | править код]

Источники[править | править код]