Эльбрус-S

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
<<   Эльбрус-S   >>
Центральный процессор
Elbrus S top bot.jpg
Микропроцессор Эльбрус-S
Производство: 2010
Производитель: Россия
Частота ЦП: 500 МГц
Технология производства:
0,090 мкм
Маркировка: 1891ВМ5Я
Разъём: HFCBGA / 1156

Эльбру́с-S (1891ВМ5Я) — российский микропроцессор с архитектурой VLIW (EPIC), разработанный компанией МЦСТ. Является следующим поколением микропроцессора Эльбрус 2000.

Описание[править | править вики-текст]

Процессор (Система на кристалле, СнК) Эльбрус-S основан на архитектуре ELBRUS, отличительной чертой которой является наиболее глубокое на сегодняшний день распараллеливание ресурсов для одновременно исполняющихся VLIW-инструкций. Пиковая производительность 39,5 GIPS.

Модули[править | править вики-текст]

Процессор является основой 4-процессорного вычислительного модуля МВ3S/C[1]. В основе модуля лежит процессорный модуль МВ3S1/C, представляющий собой одноплатную конфигурацию, состоящую из четырех микросхем «Эльбрус-S», объединяемых высокоскоростными каналами межпроцессорного обмена, подключенных к ним секций общей оперативной памяти и контроллеров ввода/вывода[2]. Формат модуля CompactPCI 6U. Модуль содержит 8Гб ОЗУ.

Вместе с процессором используется микросхема КПИ (контроллера периферийных интерфейсов), испытания которой завершились одновременно с испытаниями процессора[3].

Процессоры и модуль на их основе были представлены в октябре 2010 года на выставках «ChipEXPO-2010» и Softool[4].

История[править | править вики-текст]

Завершить разработку микропроцессора «Эльбрус-S» на техпроцесе 90 нм планировалось в 2009 году[5].

В декабре 2010 года в «МЦСТ» завершилась госприёмка ОКР в части процессорной микросхемы «Эльбрус-S»[6][7].

Технические характеристики[править | править вики-текст]

Основные характеристики микропроцессора «Эльбрус-S»[8][4]
Технологический процесс КМОП 0,09 мкм
Рабочая тактовая частота 500 МГц
Пиковая производительность
  • 64 бита — 4,0 GFLOPS
  • 32 бита — 8,0 GFLOPS
Разрядность данных
  • целые — 8, 16, 32, 64
  • вещественные — 32, 64, 80
Кеш-память
  • команд 1-го уровня — 64 Кбайт
  • данных 1-го уровня — 64 Кбайт
  • 2-го уровня (универсальная) — 2 Mбайт
Кеш-таблица страниц
  • данных — 1024 входов
  • команд — 64 входов
Пропускная способность
  • шин связи с кеш-памятью — 16 Гбайт/с
  • шин связи с оперативной памятью — 8 Гбайт/с
  • шин связи межпроцессорного обмена — 12 Гбайт/с
Площадь кристалла 142 мм²
Количество транзисторов 218 млн.
Количество слоев металла 9
Тип корпуса / количество выводов HFCBGA / 1156
Размеры корпуса 35×35×3,2 мм
Напряжение питания 1,1 / 1,8 / 2,5 В
Рассеиваемая мощность 13 Вт — типовая, 20 Вт — максимальная


Ссылки[править | править вики-текст]

Примечания[править | править вики-текст]