Сегнетоэлектрик

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Сегнетоэлектрик — материал, обладающий спонтанной поляризацией, ориентацию которой можно изменить посредством внешнего электрического поля[1]. Такие вещества обладают сегнетоэлектрическим гистерезисом, когда поляризация материала зависит неоднозначно от внешнего электрического поля.

Сегнетоэлектрические фазовые переходы часто характеризуются либо деформационным переходом, (например, BaTiO3), либо как переходом типа «порядок-беспорядок» (например, NaNO2), хотя часто фазовые переходы демонстрируют элементы обоих типов поведения. В титанате бария, типичном сегнетоэлектрике происходит переход со смещением (изменение положения атома в элементарной ячейке без деформации кристалла), который можно понять с точки зрения поляризационной катастрофы, при которой, если ион немного смещается из состояния равновесия, сила локальных электрических полей, создаваемых ионами в кристалле увеличивается быстрее, чем упруго-восстанавливающие равновесие силы. Это приводит к асимметричному смещению положений равновесных ионов и, следовательно, к постоянному дипольному моменту элементарной ячейки. Ионное смещение в титанате бария относится к положению иона титана в кислородной октаэдрической клетке. В титанате свинца, другом ключевом сегнетоэлектрическом материале, при довольно похожей структуре на титанат бария, движущая сила для сегнетоэлектричества имеет более сложную природу, а взаимодействия между ионами свинца и кислорода также играют важную роль. В сегнетоэлектрике с переходом порядок-беспорядок для каждой элементарной ячейки существует дипольный момент, но при высоких температурах они направлены случайно. При понижении температуры и прохождении точки фазового перехода диполи упорядочиваются, и все они указывают в одном направлении внутри домена.

Важным сегнетоэлектрическим материалом для приложений является цирконат-титанат свинца (ЦТС), который представляет собой твердый раствор, образованный между сегнетоэлектрическим титанатом свинца и антисегнетоэлектрическим цирконатом свинца. Для разных целей используются разные составы; для ячеек памяти предпочтительным является ЦТС, более близкий по составу к титанату свинца, тогда как в пьезоэлектрических приложениях используются пьезоэлектрические коэффициенты с особенностями, связанные с морфотропной фазовой границей, которая близка к составу 50/50.

Для сегнетоэлектрических кристаллов часто наблюдается несколько температур фазовых перехода и гистерезис доменной структуры, как и для ферромагнитных кристаллов. Природа фазового перехода в некоторых сегнетоэлектрических кристаллах до сих пор не изучена.

В 1974 г. Р. Б. Мейер использовал теорию симметрии для предсказания сегнетоэлектрических жидких кристаллов[2] , что было подтверждено несколькими наблюдениями за поведением, связанным с сегнетоэлектричеством в хиральных наклонных смектических жидкокристаллических фазах. Технология позволила создавать мониторы с плоским экраном. С 1994 по 1999 год массовое производство осуществлялось компанией Canon. Сегнетоэлектрические жидкие кристаллы используются в производстве отражающих LCoS.

В 2010 году Дэвид Филд обнаружил, что пленки обычных химических веществ, таких как закись азота или пропан, также проявляют сегнетоэлектрические свойства. Этот новый класс сегнетоэлектрических материалов демонстрирует «спонтанную поляризацию», а также влияет на электрическую природу пыли в межзвездной среде.

Среди других используемых сегнетоэлектрических материалов можно выделить триглицинсульфат, поливинилиденфторид (ПВДФ) и танталат лития .[3]

Интерес также представляют материалы, которые сочетают одновременно сегнетоэлектрические и металлические свойства при комнатной температуре.[4] Согласно исследованию, опубликованному в 2018 году в Nature Communications[5] ученые смогли создать двумерную плёнку такого материала, который был одновременно «сегнетоэлектрическим» (имел полярную кристаллическую структуру) и проводил электричество.

Примечания[править | править код]

  1. Головнин и др., 2016, p. 20.
  2. Clark, Noel A. (June 1980). “Submicrosecond bistable electro‐optic switching in liquid crystals”. Applied Physics Letters. 36 (11): 899—901. Bibcode:1980ApPhL..36..899C. DOI:10.1063/1.91359.
  3. Aggarwal. Pyroelectric Materials for Uncooled Infrared Detectors: Processing, Properties, and Applications. NASA (March 2010). Дата обращения: 26 июля 2013.
  4. Rutgers Physicists Create New Class of 2D Artificial Materials | Rutgers University
  5. Cao, Yanwei (18 April 2018). “Artificial two-dimensional polar metal at room temperature”. Nature Communications. 9 (1): 1547. arXiv:1804.05487. Bibcode:2018NatCo...9.1547C. DOI:10.1038/s41467-018-03964-9. PMID 29670098.

Литература[править | править код]

  • Головнин В. А., Каплунов И. А., Малышкина О. В., Педько Б. Б., Мовчикова А. А. Физические основы, методы исследования и практическое применение пьезоматериалов. — М.: Техносфера, 2016. — 272 с. — ISBN 978-5-94836-352-3.