Синхротрон: различия между версиями
[непроверенная версия] | [отпатрулированная версия] |
Dinamik (обсуждение | вклад) →Крупнейшие европейские источники СИ: связность |
|||
Строка 12: | Строка 12: | ||
# Второе поколение — синхротроны, специально построенные для генерации синхротронного излучения. В основном использовали для генерации излучения поворотные магниты. Энергетически это невыгодно, так как те же самые магниты используются для управления траекторией, и генерируемое излучение в итоге выходит не только на [[Экспериментальная станция источника синхротронного излучения|экспериментальные станции источника СИ]], а равномерно распределено в пространстве; |
# Второе поколение — синхротроны, специально построенные для генерации синхротронного излучения. В основном использовали для генерации излучения поворотные магниты. Энергетически это невыгодно, так как те же самые магниты используются для управления траекторией, и генерируемое излучение в итоге выходит не только на [[Экспериментальная станция источника синхротронного излучения|экспериментальные станции источника СИ]], а равномерно распределено в пространстве; |
||
# Третье поколение — начали проектировать в начале 1990-х годов. При проектировании синхротронов 3-го поколения в их конструкции предусматривалось большое число длинных (5 и более метров) прямолинейных промежутков, предназначенных для установки вставных устройств — [[Вигглер|вигглеров]] и [[Ондулятор|ондуляторов]]. Использование для генерации излучения специализированных устройств гораздо более энергоэффективно — большая часть излучаемой электронами энергии выводится непосредственно на [[Экспериментальная станция источника синхротронного излучения|экспериментальные станции]], при этом снятие магнитного поля с неиспользуемых в отдельные моменты времени вставных устройств позволяет также существенно уменьшить энергопотребление экспериментальной установки. Следует указать, что мощность потерь энергии электронами на одном вставном устройстве может превышать 300 кВт. |
# Третье поколение — начали проектировать в начале 1990-х годов. При проектировании синхротронов 3-го поколения в их конструкции предусматривалось большое число длинных (5 и более метров) прямолинейных промежутков, предназначенных для установки вставных устройств — [[Вигглер|вигглеров]] и [[Ондулятор|ондуляторов]]. Использование для генерации излучения специализированных устройств гораздо более энергоэффективно — большая часть излучаемой электронами энергии выводится непосредственно на [[Экспериментальная станция источника синхротронного излучения|экспериментальные станции]], при этом снятие магнитного поля с неиспользуемых в отдельные моменты времени вставных устройств позволяет также существенно уменьшить энергопотребление экспериментальной установки. Следует указать, что мощность потерь энергии электронами на одном вставном устройстве может превышать 300 кВт. |
||
# Четвёртое поколение источников синхротронного излучения — уже не являются более синхротронами. Технология развития накопительных колец достигла совершенства в источниках третьего поколения, и дальнейшее совершенствование накопителей — а именно повышение плотности электронов, повышение яркости источника [[Синхротронное излучение|СИ]] уже физически невозможно. Критическим параметром стал эммитанс — фактически, [[фазовый |
# Четвёртое поколение источников синхротронного излучения — уже не являются более синхротронами. Технология развития накопительных колец достигла совершенства в источниках третьего поколения, и дальнейшее совершенствование накопителей — а именно повышение плотности электронов, повышение яркости источника [[Синхротронное излучение|СИ]] уже физически невозможно. Критическим параметром стал эммитанс — фактически, [[фазовый объём]], занимаемый электронами при движении по орбите. При этом оказывается, что если даже в начальный момент инжекции электроны имели очень маленький эммитанс, в процессе многократного (миллиарды раз) прохождения по орбите, они «забывают» о своем начальном состоянии, и эммитанс пучка далее определяется как несовершенством магнитной структуры ускорителя, так и межчастичными взаимодействиями. Для уменьшения эммитанса (и т.о. повышения яркости) предлагаются источники на базе [[Лазер на свободных электронах|лазеров на свободных электронах]], а также линейных ускорителей с рекуперацией энергии «[[MARS (ускоритель)|MARS]]»<ref>{{cite journal | journal=Nuclear Instruments and Methods in Physical research |title= MARS - a project of the difraction limited |
||
fourth generation X-ray source based on supermicrotron |author=Kulipanov G.N.; Skrinsky A.N.; Vinokurov N.A. |volume=A467-468 P1| pages=16-21 |year=2001 }}</ref> |
fourth generation X-ray source based on supermicrotron |author=Kulipanov G.N.; Skrinsky A.N.; Vinokurov N.A. |volume=A467-468 P1| pages=16-21 |year=2001 }}</ref> |
||
Версия от 17:25, 18 января 2011
Синхротро́н (от др.-греч. σύγχρονος — одновременный) — один из видов ускорителей с орбитой постоянного радиуса, растущим во времени магнитным полем, определяющим этот радиус, и постоянной частотой ускоряющего электрического поля. В синхротроне достигнуты энергии около 20 ГэВ.[источник не указан 5144 дня]
Принципиальное устройство синхротрона
Синхротрон представляет собой электровакуумную установку с приблизительно кольцевой вакуумной камерой, в которой частицы ускоряются до скорости, близкой к скорости света, а стоящие на их пути мощные постоянные магниты изменяют направление их движения. В вакуумной камере постоянно поддерживается глубокий вакуум (порядка Торр и глубже), чтобы избежать быстрого поглощения ускоренных частиц. Так как постройка сплошного постоянного магнита по всему периметру кольца технически дорога, то вакуумную камеру синхротрона строят в виде многоугольника, с поворачивающимися магнитами в углах. Синхротрон действует по резонансному принципу уcкорения, то есть пролетающие частицы попадают в ускоряющее поле всегда в резонанс с изменением поля.
Поколения синхротронов
Синхротроны, а точнее источники синхротронного излучения, условно делят на четыре поколения:[1]
- Первое поколение — синхротроны, построенные как ядерно-физические установки, где синхротронное излучение было вредным, «паразитным» излучением, не позволяющим далее увеличивать энергию ускоряемых частиц. На этих установках впервые начали отрабатываться методики использования синхротронного излучения;
- Второе поколение — синхротроны, специально построенные для генерации синхротронного излучения. В основном использовали для генерации излучения поворотные магниты. Энергетически это невыгодно, так как те же самые магниты используются для управления траекторией, и генерируемое излучение в итоге выходит не только на экспериментальные станции источника СИ, а равномерно распределено в пространстве;
- Третье поколение — начали проектировать в начале 1990-х годов. При проектировании синхротронов 3-го поколения в их конструкции предусматривалось большое число длинных (5 и более метров) прямолинейных промежутков, предназначенных для установки вставных устройств — вигглеров и ондуляторов. Использование для генерации излучения специализированных устройств гораздо более энергоэффективно — большая часть излучаемой электронами энергии выводится непосредственно на экспериментальные станции, при этом снятие магнитного поля с неиспользуемых в отдельные моменты времени вставных устройств позволяет также существенно уменьшить энергопотребление экспериментальной установки. Следует указать, что мощность потерь энергии электронами на одном вставном устройстве может превышать 300 кВт.
- Четвёртое поколение источников синхротронного излучения — уже не являются более синхротронами. Технология развития накопительных колец достигла совершенства в источниках третьего поколения, и дальнейшее совершенствование накопителей — а именно повышение плотности электронов, повышение яркости источника СИ уже физически невозможно. Критическим параметром стал эммитанс — фактически, фазовый объём, занимаемый электронами при движении по орбите. При этом оказывается, что если даже в начальный момент инжекции электроны имели очень маленький эммитанс, в процессе многократного (миллиарды раз) прохождения по орбите, они «забывают» о своем начальном состоянии, и эммитанс пучка далее определяется как несовершенством магнитной структуры ускорителя, так и межчастичными взаимодействиями. Для уменьшения эммитанса (и т.о. повышения яркости) предлагаются источники на базе лазеров на свободных электронах, а также линейных ускорителей с рекуперацией энергии «MARS»[2]
Top-Up режим
Top-Up или режим инжекции на полной энергии — специализированный режим работы ускорительно-накопительного комплекса (синхротрона). Для реализации Top-UP режима в составе комплекса необходимо иметь дополнительный, бустерный синхротрон, обеспечивающий инжекцию электронов в накопительное кольцо основного ускорителя на полной (рабочей) энергии ускорителя. Инжекция на полной энергии позволяет не проводить перенакоплений электронов, а добавлять электроны к уже движущимся в накопительном кольце, компенсируя происходящие потери частиц.
В отличие от этого режима, более распространенной конструкцией ускорительно-накопительного комплекса является такая, в которой инжекция происходит на энергии в несколько раз меньшей. Меньшая энергия инжекции позволяет иметь гораздо более дешёвую и компактную систему инжекции, но требует регулярных перекоплений электронного пучка (со сбросом ранее накопленных электронов), и последующего ускорения накопленных электронов до полной энергии в основном накопительном кольце.
Российские источники СИ
- Дубнинский электронный синхротрон (строится)
- Зеленоградский электронный синхротрон — институт физпроблем им. Ф. В. Лукина (строится)
- Курчатовский источник синхротронного излучения
- Сибирский центр синхротронного излучения- ускорители ВЭПП-3, ВЭПП-4 — используются в том числе в качестве источников СИ.
Синхротроны третьего поколения
Крупнейшие европейские источники СИ
См. также
- Векслер, Владимир Иосифович
- Каскадный ускоритель
- Австралийский синхротрон
- ELETTRA — Синхротронная световая лаборатория ELETTRA
- Большой адронный коллайдер
Ссылки на литературу
- ↑ Фетисов, Г.В. (2007), Синхротронное излучение, Москва: ФизМатЛит.
- ↑ Kulipanov G.N.; Skrinsky A.N.; Vinokurov N.A. (2001). "MARS - a project of the difraction limited
fourth generation X-ray source based on supermicrotron". Nuclear Instruments and Methods in Physical research. A467-468 P1: 16–21.
{{cite journal}}
: line feed character в|title=
на позиции 43 (справка)Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка)
Ссылки
- Синхротрон протонный в Физической энциклопедии
- www.lightsources.org — Сайт, посвященный синхротронам и источникам СИ. В том числе на сайте приведен список всех существующих в н.в. в мире источников СИ
Это заготовка статьи об элементарных частицах. Помогите Википедии, дополнив её. |
Для улучшения этой статьи желательно:
|