Физико-технологический институт РАН

Физико-технологический институт РАН (ФТИ РАН)
Международное название	FTI RAS
Основан	1988
Директор	чл.-корреспондент РАН В. Ф. Лукичёв
Расположение	Россия, Москва
Юридический адрес	117218 Москва, Нахимовский проспект 36/1
Сайт	ftian.ru

Физико-технологический институт (ФТИАН) — институт Отделения нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук.

С мая 2017 года директор Физико-технологического института — член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук Владимир Фёдорович Лукичёв.

Научные подразделения

• Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники (ММФТПМ)
• Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов (МССП)
• Лаборатория субмикронной литографии (СЛ)
• Лаборатория физики поверхности и микроэлектронных структур (ФПМС)
• Лаборатория физических основ квантовых вычислений

Проекты и исследования

• Ионно-лучевые технологии
• Плазмохимическое травление — технология создания элементов МЭМС и НЭМС

История ФТИАН

Создан в 1988 году на базе на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР.

Ранее директорами института были: академик Камиль Ахметович Валиев и сменивший его на этом посту в 2005 году академик Орликовский Александр Александрович.

См. также

• Ярославский филиал Физико-технологического института РАН

Ссылки

• Физико-технологический институт (ФТИАН)
• Кафедра физических и технологических проблем микроэлектроники на базе физико-технологического института